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HOSONIC晶振,壓控晶振,D3SV晶振,3225壓控晶體振蕩器

頻率：1.75M~54MHZ

尺寸：3.2x2.5mm

壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,SMD壓控振蕩器應用：SDH/ SONET,以太網,基站,筆記本晶振應用,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27876565

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鴻星晶振的產品作為一個健康的心為客戶工作,因此我們投資建立一個有能力的團隊和基礎設施,為我們所做的每一個產品.公司建立平臺有機的學習鼓勵跨職能團隊的工作保持更好的環(huán)境和溫補晶振,石英晶體振蕩器技術改進.

鴻星晶振科技股份有限公司,依據‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統之范圍,包括任何排除之細節(jié)及調整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統與各書面、辦法書之對應關系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統內之流程順序及交互作用的描述.鴻星晶振公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統之適用范圍包含公司所有的活動、產品及服務.

1.為環(huán)境保護和降低成本開發(fā)綠色技術.

2.為協調發(fā)展,共同參與社會的環(huán)境、健康與安全的改善活動.

3.在產品的整個生命周期內確定、評價和改進重要的環(huán)境、健康和安全因素.

4.建立和維護以國際協定和國家環(huán)境、健康與安全法律法規(guī)為基礎的企業(yè)內部標準.

5.為防止事故的發(fā)生和制造清潔的生產環(huán)境,開發(fā)生產過程的安全技術,明確緊急狀態(tài)反應的職責.

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HOSONIC晶振,壓控晶振,D3SV晶振,3225壓控晶體振蕩器,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

壓控晶體振蕩器原理：

壓控晶體振蕩器是通過調節(jié)（控制腳）電壓,使振蕩器輸出頻率變化的石英晶體振蕩器,主要是通過變容二極管（Vd）的電容的變化,使晶體諧振器的振蕩頻率發(fā)生變化.

牽引范圍（VCXO）：是針對VCXO壓控晶振的參數.

帶有壓控功能的晶振為（VCXO）,即通過調節(jié)控制電壓改變輸出頻率.牽引范圍為變化頻率(增大或減少)與中心頻率的比值.此值一般用ppm表示.通常牽引范圍大約為100 - 200ppm,取決于VCXO壓控晶振的結構和所選擇的晶體.

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鴻星晶振型號		D3SV晶振
輸出頻率范圍		1.75M~54MHZ
標準頻率		19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
電源電壓范圍		+1.68?+3.5V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待機時電流		-更多詳細參數歡迎咨詢億金電子http://www.gshqh.cn/
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30?+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40?+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	負載變化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10^-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V @V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V_CC=+1.8V
	頻率控制極性	正極性

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D3SV 3225 VCXO

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在使用鴻星晶振時應注意以下事項:

安裝SMD有源晶體振蕩器

請確保不要超過相應的回流條件元件規(guī)格,如峰值溫度,最大持續(xù)時間,數量等暴露,溫度變化率與時間的關系等.HOSONIC晶振,壓控晶振,D3SV晶振,3225壓控晶體振蕩器

手工焊接可在最高350℃的溫度下進行.持續(xù)3秒最大.不允許焊接在金屬封裝表面或焊接的封裝邊緣上.請避免電路板的極端變形.變形可能導致分離PCB接觸墊,SMD晶振,有源晶體振蕩器端子的分離或焊接接頭的裂縫.

特別是在已經將組件與組件分開時要求完全注意安裝.應避免板的任何變形或彎曲.如果使用自動安裝系統,請選擇輕微沖擊的設備產生,并在使用前檢查電擊的強度.

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D3SV晶振臺灣進口VCXO晶體振蕩器網絡控制器晶振

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