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NDK晶振,壓控晶振,NV3225SA晶振,VCXO晶體振蕩器
頻率：1.25M~80MHZ
尺寸：3.2x2.5mm
日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振經(jīng)營范圍：晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷售
經(jīng)營理念：
要認(rèn)識到作為世界一流廠家的使命和責(zé)任,要始終在行業(yè)中起帶頭作用.
日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振搶先取得社會需求,為客戶提供高質(zhì)量的服務(wù)與晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振.
追求使用更方便、更穩(wěn)定的發(fā)振源,創(chuàng)造更高的附加價(jià)值.
NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社不畏失敗,向困難挑戰(zhàn),努力培養(yǎng)出能自我開發(fā)的人才.
通過工作發(fā)揚(yáng)人格.
尊重個(gè)人,努力提高員工的生活水平.
以與關(guān)系公司、供貨商及包括地區(qū)社會在內(nèi)的共同繁榮來回報(bào)投資者.
致力于保護(hù)地球環(huán)境,擔(dān)負(fù)起責(zé)任.
NDK晶振,壓控晶振,NV3225SA晶振,VCXO晶體振蕩器,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).
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NDK晶振型號 |
NV3225SA晶振 |
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輸出頻率范圍 |
1.25~80MHz |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
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電源電壓范圍 |
+1.68~+3.5V |
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電源電壓（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz） |
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待機(jī)時(shí)電流 |
-更多詳細(xì)參數(shù)請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn/ |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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輸出負(fù)載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.（After 2 reflows） |
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溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40~+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.（VCC ±5%） |
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負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6 max.（10kΩ//10pF±10%） |
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長期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V |
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頻率控制極性 |
正極性 |
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NDK小型VCXO晶振型號
| 型名 |
尺寸大小 (mm) |
額定頻率范圍 (MHz) |
輸出規(guī)格 | 頻率允許偏差 | 電壓(V) | 工作溫度范圍(℃) | 消耗電流(mA) | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| L | W | H | Min. | Max. | [×10-6] | [VCC] | Min. | Max. | Max. | ||
| NV2520SA晶振 | 2.5 | 2.0 | 0.9 | 1.25 | 80 | CMOS | ±50 | +3.3 | -40 | +85 | 11 |
| NV3225SA晶振 | 3.2 | 2.5 | 0.9 | 1.25 | 80 | CMOS | ±50 | +3.3 | -40 | +85 | 11 |
在使用NDK晶振時(shí)應(yīng)注意
晶體振蕩器的處理與其略有不同其他電子元件.請閱讀以下注意事項(xiàng)小心地正確使用晶體振蕩器確保設(shè)備的最佳性能.
1.電源旁路電容
使用本產(chǎn)品時(shí),請放置一個(gè)約0.01的旁路電容μF,介于電源和GND之間（盡可能靠近產(chǎn)品終端盡可能）.
2.安裝表面貼裝晶體時(shí)鐘振蕩器
（1）安裝電路板后溫度快速變化
當(dāng)安裝板的材料為表面安裝時(shí)陶瓷有晶體時(shí)鐘振蕩器封裝膨脹系數(shù)不同于陶瓷的膨脹系數(shù)材料,焊接的圓角部分可能會破裂,如果受到影響長時(shí)間反復(fù)發(fā)生極端溫度變化.你在這樣的條件下,建議情況是這樣的事先檢查過.
（2）通過自動(dòng)安裝進(jìn)行沖擊
當(dāng)晶體時(shí)鐘振蕩器被吸附或吸入時(shí)自動(dòng)安裝或超過的沖擊過程安裝振蕩器時(shí)會發(fā)生指定值板,振蕩器的特性會改變或惡化.
（3）板彎曲應(yīng)力
將晶體時(shí)鐘振蕩器焊接到印刷后板,彎曲板可能會導(dǎo)致焊接部分剝落關(guān)閉或振蕩器封裝由于機(jī)械應(yīng)力而破裂.NDK晶振,壓控晶振,NV3225SA晶振,VCXO晶體振蕩器
3.抗跌落沖擊力
本目錄中的產(chǎn)品設(shè)計(jì)得非常高抗自由落體沖擊（最多三次）.但是,如果錯(cuò)誤地將產(chǎn)品從桌子等處丟棄,為確保最佳性能,建議您使用再次測量產(chǎn)品的性能或您要求我們再次測量它.
4.靜電
本目錄中的產(chǎn)品使用CMOS IC作為其高頻有源晶振產(chǎn)品元素.因此,在一個(gè)環(huán)境中處理產(chǎn)品對抗靜電的措施拍攝.
5.耐高溫
關(guān)于耐高溫性,使用產(chǎn)品時(shí)在溫度為+ 125°C的極端環(huán)境中超過24小時(shí),產(chǎn)品的所有特點(diǎn)無法保證.要特別注意存放產(chǎn)品在正確的溫度范圍內(nèi).
6. EMI
當(dāng)您考慮EMI時(shí),低電源電壓建議使用（例如2.5V,1.8V,1.5V或0.9V）.此外,請事先咨詢我們有關(guān)的組合針對上述EMI的兩種對策.
7.超聲波清洗
當(dāng)進(jìn)行本目錄中產(chǎn)品的超聲波清潔時(shí)根據(jù)其安裝狀態(tài)和清潔條件等,該產(chǎn)品的石英晶體振蕩器可能會發(fā)生共振斷裂.在超聲波清潔之前,請務(wù)必檢查條件.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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