SiTime用于移動(dòng)和可穿戴設(shè)備的TCXO晶振

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瀏覽：- 發(fā)布日期：2019-07-03 09:19:40【大中小】

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在如今科技發(fā)展迅速的智能時(shí)代,每個(gè)人都希望技術(shù)能夠達(dá)到更好更優(yōu)異.對(duì)于移動(dòng)設(shè)備和可穿戴設(shè)備,在需要連接和訪問(wèn)信息方面期望能夠達(dá)到更精準(zhǔn),更迅速.但其實(shí)不管是數(shù)據(jù)連接還是信息的訪問(wèn)獲取,都離不開(kāi)晶振,時(shí)鐘振蕩器的應(yīng)用.

我們假設(shè)如果沒(méi)有石英晶振,沒(méi)有振蕩器,或者說(shuō)使用了不合格的晶振,貼片晶振,那么就會(huì)出現(xiàn)：設(shè)備電池壽命使用短,互聯(lián)網(wǎng)瀏覽不僅會(huì)變慢而且可能停止,電話短信和郵件不能發(fā)送等各種情況,直接影響了智能市場(chǎng)的發(fā)展.

SiTime用于移動(dòng)和可穿戴設(shè)備的TCXO晶振,SiTime Crystal可確保手機(jī),平板電腦,智能手表和健身追蹤頻段的可靠連接.此外,Sitime的定時(shí)解決方案使用的功率比石英晶體低40％,這意味著電池可以運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間.

SiTime用于移動(dòng)和可穿戴設(shè)備的TCXO晶振優(yōu)勢(shì)如下：

小尺寸,擁有較小的PCB面積

驅(qū)動(dòng)多個(gè)負(fù)載,供應(yīng)各類(lèi)產(chǎn)品需求

電池壽命更長(zhǎng),超低功耗：900nA

最小化BLE開(kāi)啟時(shí)間,穩(wěn)定性為3ppm

符合LTE-DRX,確保連接

在10℃/s的溫度下保持穩(wěn)定.

SiTime用于移動(dòng)和可穿戴設(shè)備的TCXO晶振SiT1576型號(hào)

SiTime的TempFlat MEMS™技術(shù)和混合信號(hào)設(shè)計(jì)專(zhuān)業(yè)技術(shù)使得首個(gè)μPowerTCXO采用1.2x2.0mm芯片級(jí)封裝-這是世界上最小的封裝尺寸.典型的內(nèi)核電源電流在100KHz時(shí)僅為6.0μA.與標(biāo)準(zhǔn)振蕩器不同,SiT1576 Super-TCXO具有可編程特性,可供頻率從1Hz和2.5MHz之間.這款獨(dú)特的超小TCXO溫補(bǔ)晶振具有寬頻率范圍,可實(shí)現(xiàn)新的架構(gòu)選擇.SiT1576在多個(gè)溫度點(diǎn)經(jīng)過(guò)工廠校準(zhǔn),可確保極低的頻率穩(wěn)定性,低至±5ppm（初始溫度和過(guò)溫度）.SiT15xx TCXO放置在溫度室中,增加溫度.從<-40到+85℃,以每秒4度的快速升溫速率.

SiTime SiT1576參數(shù)列表

頻率	1Hz至2.5MHz
頻率穩(wěn)定性（ppm）	±5,±20
工作溫度范圍（°C）	-20到+70,-40到+85
振蕩器類(lèi)型	Hz至MHz TCXO
輸出類(lèi)型	LVCMOS
封裝類(lèi)型（mm²）	1.5x0.8
特征	低抖動(dòng)
電源（V）	1.62至3.63