在如今科技發(fā)展迅速的智能時(shí)代,每個(gè)人都希望技術(shù)能夠達(dá)到更好更優(yōu)異.對(duì)于移動(dòng)設(shè)備和可穿戴設(shè)備,在需要連接和訪問信息方面期望能夠達(dá)到更精準(zhǔn),更迅速.但其實(shí)不管是數(shù)據(jù)連接還是信息的訪問獲取,都離不開晶振,時(shí)鐘振蕩器的應(yīng)用.

我們假設(shè)如果沒有石英晶振,沒有振蕩器,或者說使用了不合格的晶振,貼片晶振,那么就會(huì)出現(xiàn)：設(shè)備電池壽命使用短,互聯(lián)網(wǎng)瀏覽不僅會(huì)變慢而且可能停止,電話短信和郵件不能發(fā)送等各種情況,直接影響了智能市場(chǎng)的發(fā)展.

SiTime用于移動(dòng)和可穿戴設(shè)備的TCXO晶振,SiTime Crystal可確保手機(jī),平板電腦,智能手表和健身追蹤頻段的可靠連接.此外,Sitime的定時(shí)解決方案使用的功率比石英晶體低40％,這意味著電池可以運(yùn)行更長時(shí)間.

SiTime用于移動(dòng)和可穿戴設(shè)備的TCXO晶振優(yōu)勢(shì)如下：

小尺寸,擁有較小的PCB面積

驅(qū)動(dòng)多個(gè)負(fù)載,供應(yīng)各類產(chǎn)品需求

電池壽命更長,超低功耗：900nA

最小化BLE開啟時(shí)間,穩(wěn)定性為3ppm

符合LTE-DRX,確保連接

在10℃/s的溫度下保持穩(wěn)定.

SiTime用于移動(dòng)和可穿戴設(shè)備的TCXO晶振SiT1576型號(hào)

SiTime的TempFlat MEMS™技術(shù)和混合信號(hào)設(shè)計(jì)專業(yè)技術(shù)使得首個(gè)μPowerTCXO采用1.2x2.0mm芯片級(jí)封裝-這是世界上最小的封裝尺寸.典型的內(nèi)核電源電流在100KHz時(shí)僅為6.0μA.與標(biāo)準(zhǔn)振蕩器不同,SiT1576 Super-TCXO具有可編程特性,可供頻率從1Hz和2.5MHz之間.這款獨(dú)特的超小TCXO溫補(bǔ)晶振具有寬頻率范圍,可實(shí)現(xiàn)新的架構(gòu)選擇.SiT1576在多個(gè)溫度點(diǎn)經(jīng)過工廠校準(zhǔn),可確保極低的頻率穩(wěn)定性,低至±5ppm（初始溫度和過溫度）.SiT15xx TCXO放置在溫度室中,增加溫度.從<-40到+85℃,以每秒4度的快速升溫速率.

SiTime SiT1576參數(shù)列表

特征：

1.工廠可編程頻率：1Hz至2.5MHz,針對(duì)低功耗架構(gòu)替代方案進(jìn)行了優(yōu)化

2.超低功耗：33kHz時(shí)為4.5μA（典型值）,100kHz時(shí)為6.0μA（典型值）,最大化電池壽命

3.芯片級(jí)（CSP）尺寸最?。?/span>1.5x0.8 mm,超小型SMD晶振節(jié)省電路板空間

4.具有±5ppm全包頻率穩(wěn)定性,改進(jìn)了本地計(jì)時(shí)并提高了系統(tǒng)功耗,減少了對(duì)移動(dòng)和可穿戴設(shè)備的網(wǎng)絡(luò)計(jì)時(shí)更新的依賴

5.內(nèi)部VDD電源濾波,消除外部VDD旁路電容,以保持超小的占位面積

廣泛應(yīng)用：智能電表（AMR）、健康和保健監(jiān)測(cè)、模擬前端（AFE）參考時(shí)鐘、工業(yè)傳感器、醫(yī)療電子、遙感、手機(jī)配件、眼鏡