Abracon分層3/3E的OCXO,AOC1409XAUC-20.0000C晶振
Abracon分層3/3E的OCXO,AOC1409XAUC-20.0000C晶振,高精度時(shí)鐘+超低相位噪聲,Abracon晶振公司的OCXO解決方案采用精密SC切割高“Q”石英晶體諧振器設(shè)計(jì),并結(jié)合精密的溫度監(jiān)測和控制電路。這種組合使Abracon能夠滿足該OCXO系列的3層和3E層要求。
該OCXO系列非常適合需要高頻穩(wěn)定性、低相位噪聲和精確保持性能的5G或GPS應(yīng)用,例如基站、小型蜂窩平臺(tái)、互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心以及衛(wèi)星和航空航天通信。
溫度范圍內(nèi)的精確穩(wěn)定性與超低±1ppb的每日老化相結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)±15ppb、24小時(shí)保持精度,具體取決于系統(tǒng)條件。如果系統(tǒng)丟失參考時(shí)鐘,保留會(huì)延長系統(tǒng)的有用運(yùn)行時(shí)間,這是設(shè)計(jì)射頻、網(wǎng)絡(luò)、電信、GPS和參考計(jì)時(shí)應(yīng)用時(shí)的一個(gè)重要考慮因素。此外,嚴(yán)格的短期穩(wěn)定性改善了低帶寬鎖相環(huán)的采集時(shí)間和GPS應(yīng)用的整體精度。
AOC1409支持20MHz頻率,采用小型14.9x9.7x7.0(6引腳)封裝。AOC2012采用20.32x12.70x11.00mmSMD(4引腳)封裝,工作溫度范圍為-20°C至+70°C。AOC2522系列具有±750ppb的長期老化特性,采用25.4x22x12.7mm(5焊盤)封裝尺寸。AOC1409和AOC2522的工作溫度范圍為-40°C至+85°C。
Abracon分層3/3E的OCXO,AOC1409XAUC-20.0000C晶振
特征
AOC1409特性
六引腳SMD回流焊接封裝
卓越的長期老化:700年內(nèi)±20ppb
AOC2012特性
四引腳SMD回流焊接封裝
卓越的長期老化:1年內(nèi)±20ppm
AOC2522A/B特性
五焊盤SMD回流焊接封裝
卓越的長期老化:750年內(nèi)±20ppb
溫度穩(wěn)定性:-10°C至+40°C范圍內(nèi)±85ppb
應(yīng)用:基站,精密全球定位系統(tǒng),蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施,測試與測量設(shè)備,交換機(jī)和路由器,時(shí)間和頻率參考。晶振資料下載
ABRACON晶振 | 生產(chǎn)品牌 | 型號(hào) | 類型 | 頻率 | 輸出 | 電壓 | 頻率穩(wěn)定度 | 工作溫度 |
AOCJYR-10.000MHZ-M5625LF | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 10MHz | LVCMOS | 3.3V | ±25ppb | -40°C ~ 85°C |
AOCJYR-20.000MHZ-M5627LF | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 20MHz | LVCMOS | 3.3V | ±20ppb | -40°C ~ 85°C |
AOCJY7TQ-X-100.000MHZ-1 | Abracon晶振 | AOCJY7TQ | OCXO | 100MHz | Sine Wave | 12V | ±100ppb | -40°C ~ 70°C |
AOCTQ5-V-10.000MHZ-I5 | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | CMOS | 5V | ±5ppb | -45°C ~ 85°C |
AOCTQ5-V-10.000MHZ-M10 | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | CMOS | 5V | ±10ppb | -55°C ~ 85°C |
AOCTQ5-X-10.000MHZ-I3 | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | CMOS | 5V | ±3ppb | -45°C ~ 85°C |
AOCTQ5-V-10.000MHZ-I3-SW | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 5V | ±3ppb | -45°C ~ 85°C |
AOCTQ5-X-10.000MHZ-I3-SW | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 5V | ±3ppb | -45°C ~ 85°C |
AOCTQ5-X-10.000MHZ-M5 | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | CMOS | 5V | ±5ppb | -55°C ~ 85°C |
AOCJY5-10.000MHZ | Abracon晶振 | AOCJY5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 12V | ±50ppb | -55°C ~ 85°C |
AOCJY6-10.000MHZ-5 | Abracon晶振 | AOCJY6 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 12V | ±0.5ppb | -20°C ~ 70°C |
AOCJY7TQ-V-100.000MHZ-1 | Abracon晶振 | AOCJY7TQ | VCOCXO | 100MHz | Sine Wave | 12V | ±100ppb | -40°C ~ 70°C |
AOCJY7TQ-X-100.000MHZ-5 | Abracon晶振 | AOCJY7TQ | OCXO | 100MHz | Sine Wave | 12V | ±50ppb | -40°C ~ 70°C |
AOCJY6-10.000MHZ-1 | Abracon晶振 | AOCJY6 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 11.4 V ~ 12.6 V | ±0.1ppb | -20°C ~ 70°C |
AOCTQ5-X-10.000MHZ-I5-SW | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 5V | ±5ppb | -45°C ~ 85°C |
AOCTQ5-V-10.000MHZ-I5-SW | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 5V | ±5ppb | -45°C ~ 85°C |
AOCTQ5-X-10.000MHZ-I5 | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | CMOS | 5V | ±5ppb | -45°C ~ 85°C |
AOCTQ5-X-10.000MHZ-M10-SW | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 5V | ±10ppb | -40°C ~ 85°C |
AOCTQ5-X-10.000MHZ-M5-SW | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 5V | ±5ppb | -55°C ~ 85°C |
AOCJY7TQ-X-100.000MHZ-2 | Abracon晶振 | AOCJY7TQ | OCXO | 100MHz | Sine Wave | 12V | ±200ppb | -40°C ~ 85°C |
AOCJYR-24.576MHZ-M6069LF | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 24.576MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppb | -40°C ~ 85°C |
AOCJYR-24.576MHZ-M5834LF | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 24.576MHz | LVCMOS | 3.3V | ±25ppb | -40°C ~ 85°C |
AOCJYR-12.800MHZ-M5649LF | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 12.8MHz | LVCMOS | 3.3V | ±20ppb | -40°C ~ 85°C |
AOCTQ5-X-10.000MHZ-M10 | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | CMOS | 5V | ±10ppb | -40°C ~ 85°C |
AOCTQ5-V-10.000MHZ-M10-SW | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 5V | ±10ppb | -55°C ~ 85°C |
AOCTQ5-V-10.000MHZ-I3 | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | CMOS | 5V | ±3ppb | -45°C ~ 85°C |
AOCTQ5-V-10.000MHZ-M5 | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | CMOS | 5V | ±5ppb | -55°C ~ 85°C |
AOCTQ5-V-10.000MHZ-M5-SW | Abracon晶振 | AOCTQ5 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 5V | ±5ppb | -55°C ~ 85°C |
AOCJY6-10.000MHZ-2 | Abracon晶振 | AOCJY6 | OCXO | 10MHz | Sine Wave | 11.4 V ~ 12.6 V | ±0.2ppb | -20°C ~ 70°C |
AOCJY7TQ-V-100.000MHZ-2 | Abracon晶振 | AOCJY7TQ | VCOCXO | 100MHz | Sine Wave | 12V | ±200ppb | -40°C ~ 85°C |
AOCJY7TQ-V-100.000MHZ-5 | Abracon晶振 | AOCJY7TQ | VCOCXO | 100MHz | Sine Wave | 12V | ±50ppb | -40°C ~ 70°C |
AOCJYR-24.576MHZ-M6069LF-T | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 24.576MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppb | -40°C ~ 85°C |
AOCJYR-10.000MHZ-M5625LF-T | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 10MHz | LVCMOS | 3.3V | ±25ppb | -40°C ~ 85°C |
AOCJYR-24.576MHZ-M5834LF-T | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 24.576MHz | LVCMOS | 3.3V | ±25ppb | -40°C ~ 85°C |
AOCJYR-12.800MHZ-M5649LF-T | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 12.8MHz | LVCMOS | 3.3V | ±20ppb | -40°C ~ 85°C |
AOCJYR-20.000MHZ-M5627LF-T | Abracon晶振 | AOCJYR | OCXO | 20MHz | LVCMOS | 3.3V | ±20ppb | -40°C ~ 85°C |
AOCJY7-100.000MHZ | Abracon晶振 | AOCJY7 | OCXO | 100MHz | Sine Wave | 11.4 V ~ 12.6 V | ±50ppb | -20°C ~ 70°C |
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