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Abracon分層3/3E的OCXO,AOC1409XAUC-20.0000C晶振

2023-06-20 15:18:37 

abracon新聞2.2

Abracon分層3/3E的OCXO,AOC1409XAUC-20.0000C晶振，高精度時鐘+超低相位噪聲，Abracon晶振公司的OCXO解決方案采用精密SC切割高“Q”石英晶體諧振器設(shè)計，并結(jié)合精密的溫度監(jiān)測和控制電路。這種組合使Abracon能夠滿足該OCXO系列的3層和3E層要求。

該OCXO系列非常適合需要高頻穩(wěn)定性、低相位噪聲和精確保持性能的5G或GPS應(yīng)用，例如基站、小型蜂窩平臺、互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心以及衛(wèi)星和航空航天通信。

溫度范圍內(nèi)的精確穩(wěn)定性與超低±1ppb的每日老化相結(jié)合，可實現(xiàn)±15ppb、24小時保持精度，具體取決于系統(tǒng)條件。如果系統(tǒng)丟失參考時鐘，保留會延長系統(tǒng)的有用運行時間，這是設(shè)計射頻、網(wǎng)絡(luò)、電信、GPS和參考計時應(yīng)用時的一個重要考慮因素。此外，嚴格的短期穩(wěn)定性改善了低帶寬鎖相環(huán)的采集時間和GPS應(yīng)用的整體精度。

AOC1409支持20MHz頻率，采用小型14.9x9.7x7.0（6引腳）封裝。AOC2012采用20.32x12.70x11.00mmSMD（4引腳）封裝，工作溫度范圍為-20°C至+70°C。AOC2522系列具有±750ppb的長期老化特性，采用25.4x22x12.7mm（5焊盤）封裝尺寸。AOC1409和AOC2522的工作溫度范圍為-40°C至+85°C。

abracon新聞2.1

Abracon分層3/3E的OCXO,AOC1409XAUC-20.0000C晶振

特征

AOC1409特性

六引腳SMD回流焊接封裝

卓越的長期老化：700年內(nèi)±20ppb

AOC2012特性

四引腳SMD回流焊接封裝

卓越的長期老化：1年內(nèi)±20ppm

AOC2522A/B特性

五焊盤SMD回流焊接封裝

卓越的長期老化：750年內(nèi)±20ppb

溫度穩(wěn)定性：-10°C至+40°C范圍內(nèi)±85ppb

應(yīng)用:基站,精密全球定位系統(tǒng),蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施,測試與測量設(shè)備,交換機和路由器,時間和頻率參考。晶振資料下載

ABRACON晶振 生產(chǎn)品牌 型號 類型 頻率 輸出 電壓 頻率穩(wěn)定度 工作溫度
AOCJYR-10.000MHZ-M5625LF Abracon晶振 AOCJYR OCXO 10MHz LVCMOS 3.3V ±25ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-20.000MHZ-M5627LF Abracon晶振 AOCJYR OCXO 20MHz LVCMOS 3.3V ±20ppb -40°C ~ 85°C
AOCJY7TQ-X-100.000MHZ-1 Abracon晶振 AOCJY7TQ OCXO 100MHz Sine Wave 12V ±100ppb -40°C ~ 70°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-I5 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±5ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-M10 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±10ppb -55°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-I3 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±3ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-I3-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±3ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-I3-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±3ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-M5 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±5ppb -55°C ~ 85°C
AOCJY5-10.000MHZ Abracon晶振 AOCJY5 OCXO 10MHz Sine Wave 12V ±50ppb -55°C ~ 85°C
AOCJY6-10.000MHZ-5 Abracon晶振 AOCJY6 OCXO 10MHz Sine Wave 12V ±0.5ppb -20°C ~ 70°C
AOCJY7TQ-V-100.000MHZ-1 Abracon晶振 AOCJY7TQ VCOCXO 100MHz Sine Wave 12V ±100ppb -40°C ~ 70°C
AOCJY7TQ-X-100.000MHZ-5 Abracon晶振 AOCJY7TQ OCXO 100MHz Sine Wave 12V ±50ppb -40°C ~ 70°C
AOCJY6-10.000MHZ-1 Abracon晶振 AOCJY6 OCXO 10MHz Sine Wave 11.4 V ~ 12.6 V ±0.1ppb -20°C ~ 70°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-I5-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±5ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-I5-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±5ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-I5 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±5ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-M10-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±10ppb -40°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-M5-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±5ppb -55°C ~ 85°C
AOCJY7TQ-X-100.000MHZ-2 Abracon晶振 AOCJY7TQ OCXO 100MHz Sine Wave 12V ±200ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-24.576MHZ-M6069LF Abracon晶振 AOCJYR OCXO 24.576MHz LVCMOS 3.3V ±50ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-24.576MHZ-M5834LF Abracon晶振 AOCJYR OCXO 24.576MHz LVCMOS 3.3V ±25ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-12.800MHZ-M5649LF Abracon晶振 AOCJYR OCXO 12.8MHz LVCMOS 3.3V ±20ppb -40°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-M10 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±10ppb -40°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-M10-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±10ppb -55°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-I3 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±3ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-M5 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±5ppb -55°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-M5-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±5ppb -55°C ~ 85°C
AOCJY6-10.000MHZ-2 Abracon晶振 AOCJY6 OCXO 10MHz Sine Wave 11.4 V ~ 12.6 V ±0.2ppb -20°C ~ 70°C
AOCJY7TQ-V-100.000MHZ-2 Abracon晶振 AOCJY7TQ VCOCXO 100MHz Sine Wave 12V ±200ppb -40°C ~ 85°C
AOCJY7TQ-V-100.000MHZ-5 Abracon晶振 AOCJY7TQ VCOCXO 100MHz Sine Wave 12V ±50ppb -40°C ~ 70°C
AOCJYR-24.576MHZ-M6069LF-T Abracon晶振 AOCJYR OCXO 24.576MHz LVCMOS 3.3V ±50ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-10.000MHZ-M5625LF-T Abracon晶振 AOCJYR OCXO 10MHz LVCMOS 3.3V ±25ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-24.576MHZ-M5834LF-T Abracon晶振 AOCJYR OCXO 24.576MHz LVCMOS 3.3V ±25ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-12.800MHZ-M5649LF-T Abracon晶振 AOCJYR OCXO 12.8MHz LVCMOS 3.3V ±20ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-20.000MHZ-M5627LF-T Abracon晶振 AOCJYR OCXO 20MHz LVCMOS 3.3V ±20ppb -40°C ~ 85°C
AOCJY7-100.000MHZ Abracon晶振 AOCJY7 OCXO 100MHz Sine Wave 11.4 V ~ 12.6 V ±50ppb -20°C ~ 70°C

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