muRata晶振,SMD晶振,MCR1612晶振,XRCMD48M000FXQ58R0晶振
頻率:24M~48MHZ
尺寸:1.6x1.2mm
小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,1612貼片晶振特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
1973年10月 在中國香港成立銷售公司—村田有限公司
1978年11月 收購臺(tái)灣的生產(chǎn)銷售公司—美國企業(yè)的當(dāng)?shù)胤ㄈ恕窶allory現(xiàn)在的(臺(tái)灣村田股份有限公司)]
1994年7月 在中國北京成立制造公司—北京村田電子有限公司,主要生產(chǎn)銷售,貼片陶瓷晶振,陶瓷晶體,陶瓷諧振器等
1994年12月 在中國江蘇省無錫市成立生產(chǎn),銷售公司—無錫村田電子有限公司
1995年5月 在中國上海成立銷售公司—村田電子貿(mào)易(上海)有限公司
1999年7月 在中國深圳成立銷售公司—村田電子貿(mào)易(深圳)有限公司
1999年8月 在中國天津成立銷售公司—村田電子貿(mào)易(天津)有限公司,主要生產(chǎn)銷售陶瓷晶振,村田陶瓷諧振器,村田晶振等
2001年7月 在中國香港成立制造,銷售公司—香港村田電子有限公司
2005年6月 在中國廣東省深圳市成立制造公司—深圳科技有限公司
2005年12月 在中國上海成立中華地區(qū)銷售統(tǒng)括公司—村田(中國)投資有限公司
2006年4月 Murata Electronics North America Inc.收購SyChip (在中國有SyChip的上海分公司)
2006年10月 在四川大學(xué)、浙江大學(xué)、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、武漢大學(xué)開始實(shí)施助學(xué)金制度
2007年3月 在村田(中國)投資有限公司增資及設(shè)立了內(nèi)部研發(fā)中心,研發(fā)生產(chǎn)村田陶瓷晶振,石英晶體,陶瓷振蕩子等.
2007年4月 成立了村田(中國)投資有限公司浦東分公司與上海SyChip,共同進(jìn)行研發(fā)工作
2009年5月 在上海村田(中國)投資有限公司新辦公大樓竣工
村田制作所基于高尚的企業(yè)道德,遵循其經(jīng)營理念,以繼續(xù)成為受社會(huì)信賴的公司為目標(biāo),承諾遵守法律和法規(guī),實(shí)施高度透明的管理、尊重人權(quán)、維護(hù)健康與安全、為社會(huì)發(fā)展和環(huán)境保護(hù)做出貢獻(xiàn).
muRata晶振,SMD晶振,MCR1612晶振,XRCMD48M000FXQ58R0晶振,1612mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.
石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對(duì)于晶振的條片,長邊為X軸,短邊為Z軸,面為Y軸.
對(duì)于圓片晶振,X、Z軸較難區(qū)分,所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的UM-1),會(huì)在X軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在Z軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì):石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波.第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡單,第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求.
產(chǎn)品類別 | 水晶單位 |
---|---|
系列 | XRCMD |
類型 | MCR1612晶振 |
晶振頻率 | 24M~48MHZ |
頻率容差 | 最多+/- 20ppm。(25 +/- 3℃) |
工作溫度范圍 | -30℃至85℃ |
溫度變化 | 最多+/- 15ppm |
頻率老化 | +/- 1ppm最大/年 |
等效串聯(lián)電阻(ESR) | 最大40歐姆 |
驅(qū)動(dòng)電平(DL) | 30μW |
負(fù)載電容(Cs) | 為7pF |
形狀 | SMD |
洗 | 無法使用 |
長x寬(大小) | 1.6x1.2mm |
村田貼片晶振型號(hào)對(duì)照表
系列 | 類型 | 尺寸(mm)* | 頻率 | 筆記 |
---|---|---|---|---|
XRCTD
XRCED
|
MCR1210晶振 |
1.2×1.0×0.30 1.2×1.0×0.33 |
32至52MHz |
金屬密封封裝, 適用 于小型消費(fèi)設(shè)備的小型無線通信設(shè)備 |
XRCFD
XRCMD
|
MCR1612晶振 |
1.6×1.2×0.35 1.6×1.2×0.33 |
24至29.99MHz 30至48MHz |
日本村田XRCMD晶振系列編碼
村田晶振編碼 | 型號(hào) | 頻率 | 頻率公差 | 其他用途 |
XRCFD26M000FYQ01R0晶振 | MCR1612 | 26.0000MHz | ±20ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD32M000F1P00R0 | MCR1612 | 32.0000MHz | ±10ppm max. (25±3℃) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD32M000FXP50R0 | MCR1612 | 32.0000MHz | ±30ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD32M000FXP52R0晶振 | MCR1612 | 32.0000MHz | ±30ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD32M000FXP53R0 | MCR1612 | 32.0000MHz | ±30ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD32M000FXP54R0 | MCR1612 | 32.0000MHz | ±35ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD32M000FZQ52R0 | MCR1612 | 32.0000MHz | ±30ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD37M400F1Q01R0晶振 | MCR1612 | 37.4000MHz | ±10ppm max. (25±3℃) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD38M400FXQ56R0 | MCR1612 | 38.4000MHz | ±20ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD40M000FXQ57R0 | MCR1612 | 40.0000MHz | ±20ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD40M000FXQ58R0 | MCR1612 | 40.0000MHz | ±20ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD48M000FXQ58R0晶振 | MCR1612 | 48.0000MHz | ±20ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
在使用村田晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射.muRata晶振,SMD晶振,MCR-1612晶振,XRCMD48M000FXQ58R0晶振
3:化學(xué)制劑/ pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致工業(yè)級(jí)貼片晶振,石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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晶振系列
日本進(jìn)口晶振
- 京瓷晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 村田晶振
- 大河晶振
- KDS Quartz crystal
- NDK Quartz crystal
- EPSON Quartz crystal
- 富士晶振
- NAKA晶振
- SMI晶振
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臺(tái)產(chǎn)晶振
歐美晶振
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