鴻星晶振,E3SB晶振,紅星石英晶振,HCX-3SB晶振
頻率:10M~115MHZ
尺寸:3.2x2.5mm
鴻星晶振有限公司于1979年成立,產(chǎn)品由專(zhuān)業(yè)石英晶振,貼片晶振,電阻器、電容器制造廠,公元1991年于臺(tái)灣投入石英晶體之研發(fā)制造、1991年開(kāi)始于中國(guó)大陸拓展生產(chǎn)基地,至今擁有四處生產(chǎn)基地、九處營(yíng)銷(xiāo)及FAE據(jù)點(diǎn)及十個(gè)營(yíng)銷(xiāo)代表處.
鴻星晶振已經(jīng)成為全球從事石英頻率控制組件的重要制造商之一,致力于插件式(DIP)與表面黏著式(SMD)石英晶體,有源晶振,壓控振蕩器系列產(chǎn)品之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與營(yíng)銷(xiāo).
鴻星致力于提供客戶(hù)最優(yōu)異的質(zhì)量、服務(wù)及價(jià)值,專(zhuān)注于專(zhuān)業(yè)創(chuàng)新并鼓勵(lì)員工以團(tuán)隊(duì)合作及積極成長(zhǎng)的態(tài)度與時(shí)俱進(jìn).
鴻星晶振提供從材料的選定到廢棄過(guò)程中考慮環(huán)境質(zhì)量的產(chǎn)品.加強(qiáng)制度建設(shè),深化環(huán)境監(jiān)管,向環(huán)境污染宣戰(zhàn),促進(jìn)經(jīng)濟(jì)與環(huán)境協(xié)調(diào)發(fā)展.
鴻星晶振積極參與公司內(nèi)部活動(dòng)和地區(qū)環(huán)境改善活動(dòng),為社會(huì)做出貢獻(xiàn),實(shí)現(xiàn)公司的社會(huì)責(zé)任.實(shí)施公司內(nèi)部環(huán)境培訓(xùn)和訓(xùn)練,推進(jìn)防污染和環(huán)?;顒?dòng).遵守國(guó)內(nèi)外法律,遵守與客戶(hù)和地區(qū)的約定事項(xiàng),與日常業(yè)務(wù)相融合,努力開(kāi)展繼續(xù)改善環(huán)境的工作.
鴻星晶振,E3SB晶振,紅星石英晶振,HCX-3SB晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類(lèi)及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.
鴻星晶振規(guī)格 |
單位 |
E3SB晶振,HCX-3SB晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
10MHZ~115MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用鴻星晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.鴻星晶振,E3SB晶振,紅星石英晶振,HCX-3SB晶振
4:粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.
6:靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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