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HOSONIC晶振,OSC晶體振蕩器,D5SX晶振,HXO-5晶振
頻率：1M~133MHZ
尺寸：5.0x3.2mm
小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封有源晶振,石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本WLAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
鴻星晶振的產(chǎn)品作為一個健康的心為客戶工作,因此我們投資建立一個有能力的團(tuán)隊和基礎(chǔ)設(shè)施,為我們所做的每一個產(chǎn)品.公司建立平臺有機(jī)的學(xué)習(xí)鼓勵跨職能團(tuán)隊的工作保持更好的環(huán)境和溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器技術(shù)改進(jìn).
鴻星晶振科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營管理的基礎(chǔ).藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實施.鴻星晶振公司不斷透過教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識,藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān),并滿足客戶需求,獲得客戶的信賴而努力.
HOSONIC晶振,OSC晶體振蕩器,D5SX晶振,HXO-5晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
石英晶振曲率半徑加工技術(shù)：石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計可使用的方法.如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時球面測量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計原則（曲率半徑公式的計算）.
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項目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
1M~133MHZ |
請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
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電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.gshqh.cn/ |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
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待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
在使用鴻星晶振時應(yīng)注意以下事項:
晶體振蕩器的處理與其略有不同其他電子元件.請閱讀以下注意事項小心地正確使用晶體振蕩器確保設(shè)備的最佳性能.
1.電源旁路電容
使用本產(chǎn)品時,請放置一個約0.01的旁路電容μF,介于電源和GND之間（盡可能靠近產(chǎn)品終端盡可能）.
2.安裝表面貼裝晶體時鐘振蕩器
（1）安裝電路板后溫度快速變化
當(dāng)安裝板的材料為表面安裝時陶瓷有源晶體,時鐘振蕩器封裝膨脹系數(shù)不同于陶瓷的膨脹系數(shù)材料,焊接的圓角部分可能會破裂,如果受到影響長時間反復(fù)發(fā)生極端溫度變化.你在這樣的條件下,建議情況是這樣的事先檢查過.
（2）通過自動安裝進(jìn)行沖擊
當(dāng)晶體時鐘振蕩器被吸附或吸入時自動安裝或超過的沖擊過程安裝振蕩器時會發(fā)生指定值板,振蕩器的特性會改變或惡化.
（3）板彎曲應(yīng)力
將晶體時鐘振蕩器焊接到印刷后板,彎曲板可能會導(dǎo)致焊接部分剝落關(guān)閉或振蕩器封裝由于機(jī)械應(yīng)力而破裂.
3.抗跌落沖擊力
本目錄中的產(chǎn)品設(shè)計得非常高抗自由落體沖擊（最多三次）.但是,如果錯誤地將產(chǎn)品從桌子等處丟棄,為確保最佳性能,建議您使用再次測量產(chǎn)品的性能或您要求我們再次測量它.HOSONIC晶振,OSC晶體振蕩器,D5SX晶振,HXO-5晶振
4.靜電
本目錄中的產(chǎn)品使用CMOS IC作為其小型有源貼片晶振產(chǎn)品元素.因此,在一個環(huán)境中處理產(chǎn)品對抗靜電的措施拍攝.
5.耐高溫
關(guān)于耐高溫性,使用產(chǎn)品時在溫度為+ 125°C的極端環(huán)境中超過24小時,產(chǎn)品的所有特點無法保證.要特別注意存放產(chǎn)品在正確的溫度范圍內(nèi).
6. EMI
當(dāng)您考慮EMI時,低電源電壓建議使用（例如2.5V,1.8V,1.5V或0.9V）.此外,請事先咨詢我們有關(guān)的組合針對上述EMI的兩種對策.
7.超聲波清洗
當(dāng)進(jìn)行本目錄中產(chǎn)品的超聲波清潔時根據(jù)其安裝狀態(tài)和清潔條件等,該產(chǎn)品的晶體振蕩器可能會發(fā)生共振斷裂.在超聲波清潔之前,請務(wù)必檢查條件.
8.請將水晶時鐘振蕩器用于特殊用途時歡迎與我們聯(lián)系.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
聯(lián)系人黃娜：18924600166
工作QQ:857950243
貿(mào)易通：yijindz2014
座機(jī)：0755-27876565
郵箱:
網(wǎng)址：http://www.yijindz.com
微信：yijindz，公眾號：NDKcrystal
地址：廣東省深圳市寶安區(qū)107國道旁甲岸路
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