HOSONIC晶振,壓控晶體振蕩器,D5SV晶振
頻率:1.75M~54MHZ
尺寸:5.0x3.2mm
貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
鴻星晶振有限公司于1979年成立,產(chǎn)品由專業(yè)石英晶振,貼片晶振,電阻器、電容器制造廠,公元1991年于臺灣投入石英晶體之研發(fā)制造、1991年開始于中國大陸拓展生產(chǎn)基地,至今擁有四處生產(chǎn)基地、九處營銷及FAE據(jù)點及十個營銷代表處.
鴻星晶振的產(chǎn)品作為一個健康的心為客戶工作,因此我們投資建立一個有能力的團隊和基礎設施,為我們所做的每一個產(chǎn)品.公司建立平臺有機的學習鼓勵跨職能團隊的工作保持更好的環(huán)境和溫補晶振,石英晶體振蕩器技術改進.
鴻星石英集團充分認識加強環(huán)境保護工作的重要性和緊迫性,把環(huán)境保護擺在更加重要的戰(zhàn)略位置,以對國家、對民族、對子孫后代高度負責的精神,切實做好環(huán)境保護工作,推動經(jīng)濟社會全面協(xié)調(diào)可持續(xù)發(fā)展.
Hosonic晶振,壓控晶體振蕩器,D5SV晶振,壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應用:SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應用,符合RoHS/無鉛
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術:是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術問題,為壓電石英晶振行業(yè)的技術難題之一.鴻星晶振公司的具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過結合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使石英晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動不穩(wěn)定.
CTS晶振型號 |
D5SV晶振 |
|
輸出頻率范圍 |
1.75M~54MHZ |
|
標準頻率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
|
電源電壓范圍 |
+1.68~+3.5V |
|
電源電壓(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
|
消耗電流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz) |
|
待機時電流 |
-更多詳細參數(shù)請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn |
|
輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
|
輸出負載 |
10kΩ//10pF |
|
頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85℃ |
|
電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
|
負載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
|
長期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
|
頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6?±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
頻率控制極性 |
正極性 |
在使用鴻星晶振時應注意以下事項:
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶體制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.HOSONIC晶振,壓控晶體振蕩器,D5SV晶振
3:化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解紅星石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振,有源晶體振蕩器.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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