HOSONIC晶振,石英晶體振蕩器,D1SX晶振,HXO-M晶振,小型有源晶體
頻率:1M~60MHZ
尺寸:2.0x1.6mm
2016有源晶振,是指石英晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
鴻星晶振有限公司于1979年成立,產(chǎn)品由專業(yè)石英晶振,貼片晶振,電阻器、電容器制造廠,公元1991年于臺(tái)灣投入石英晶體之研發(fā)制造、1991年開(kāi)始于中國(guó)大陸拓展生產(chǎn)基地,至今擁有四處生產(chǎn)基地、九處營(yíng)銷及FAE據(jù)點(diǎn)及十個(gè)營(yíng)銷代表處.
鴻星晶振已經(jīng)成為全球從事石英頻率控制組件的重要制造商之一,致力于插件式(DIP)與表面黏著式(SMD)石英晶體,有源晶振,壓控振蕩器系列產(chǎn)品之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與營(yíng)銷.
鴻星致力于提供客戶最優(yōu)異的質(zhì)量、服務(wù)及價(jià)值,專注于專業(yè)創(chuàng)新并鼓勵(lì)員工以團(tuán)隊(duì)合作及積極成長(zhǎng)的態(tài)度與時(shí)俱進(jìn).
生產(chǎn)理念:
鴻星晶振的產(chǎn)品作為一個(gè)健康的心為客戶工作,因此我們投資建立一個(gè)有能力的團(tuán)隊(duì)和基礎(chǔ)設(shè)施,為我們所做的每一個(gè)產(chǎn)品.公司建立平臺(tái)有機(jī)的學(xué)習(xí)鼓勵(lì)跨職能團(tuán)隊(duì)的工作保持更好的環(huán)境和溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器技術(shù)改進(jìn).
HOSONIC晶振,石英晶體振蕩器,D1SX晶振,HXO-M晶振,小型有源晶體,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說(shuō)明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
1M~60MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.gshqh.cn/ |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
在使用鴻星晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
1.電動(dòng)搬運(yùn)
1.1電源
使用電源將電源連接到指定的終端正確的極性,如本目錄所示.如果力量源與正極和負(fù)極連接反轉(zhuǎn)或者如果它連接到除了以外的終端指定一個(gè),石英晶體振蕩器內(nèi)的部件將是損壞了,振蕩器不起作用.此外,如果施加高于額定值的電壓,它可能會(huì)導(dǎo)致與上述相似的損害.使一定要在正確的額定電壓下使用振蕩器,但如果施加低于額定值的電壓,內(nèi)部零件振蕩器不會(huì)損壞,單位可能不會(huì)給最佳性能.
1.2負(fù)載阻抗
設(shè)置負(fù)載阻抗的規(guī)定值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)被設(shè)置為負(fù)載阻抗,輸出頻率和輸出電平不符合指定的值,可能會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題,例如輸出波形失真.特別是,設(shè)置電抗根據(jù)規(guī)格的負(fù)載阻抗.HOSONIC晶振,石英晶體振蕩器,D1SX晶振,HXO-M晶振,小型有源晶體
1.3輸出頻率和輸出電平
測(cè)量輸出頻率或輸出電平時(shí)一個(gè)晶體振蕩器,調(diào)整輸入阻抗測(cè)量?jī)x器對(duì)小型有源貼片晶振,石英晶體的負(fù)載阻抗振蕩器.當(dāng)測(cè)量?jī)x器的輸入阻抗為不同于晶體振蕩器的負(fù)載阻抗,用高電平測(cè)量輸出頻率或輸出電平阻抗使測(cè)量側(cè)的阻抗可以忽略.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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