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Vishay晶振沖擊水平和破碎的晶體導(dǎo)致的故障,需要5.0V時(shí)鐘

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掃一掃!Vishay晶振沖擊水平和破碎的晶體導(dǎo)致的故障,需要5.0V時(shí)鐘掃一掃!
 瀏覽：- 發(fā)布日期：2022-05-26 14:25:03【大 中 小】
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晶體的厚度決定了頻率。對(duì)于0.001"(0.0254mm)厚的AT切割晶體，大約是63MHz基模諧振器。如果厚度加倍，則諧振頻率將為0.5*63MHz或31.5MHz。

XO57CTECNA12M
Vishay
XO57 系列 7 x 5 x 1.9 mm 12 MHz 3.3 V ±100 ppm 表面貼裝 振蕩器
XO37CRECNA50M
Vishay
XOSM-573 Series 50 MHz 7 x 5 mm 5 V ±100 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO37DREHNA18M432
Vishay
XOSM-573 Series 18.432 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO37DTEHNA30M
Vishay
XOSM-573 Series 30 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO37DTEHNA33M33
Vishay
XOSM-573 Series 33.33 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO57CTECNA12M
Vishay
XO57 系列 7 x 5 x 1.9 mm 12 MHz 3.3 V ±100 ppm 表面貼裝 振蕩器
XO57CTEHNA2M4576
Vishay
XOSM-57 Series 2.4576 MHZ 7 x 5 mm 5 V ±100 ppm Surface Mount Clock Oscillator

8MHz晶體的厚度為0.0078"(0.200mm)。4MHz晶體的厚度為0.0157"(0.400mm)。

遇到兩個(gè)限制特定尺寸封裝的最低頻率的條件：

1) 簡(jiǎn)單的條件，較新的薄型陶瓷LCC封裝將不接受較厚的晶體。根據(jù)封裝的不同，頻率下限范圍從8MHz到12MHz甚至更低。

XO57DRECNA14M7456
Vishay
XOSM-57 Series 14.756 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO57DTECNA19M6608
Vishay
XOSM-57 Series 19.6608 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO63DTEHNA30M
Vishay
XO63 30 MHz 50 PPM 表面貼裝 振蕩器
XOSM-573-B-E-40M
Vishay
XOSM-573 40.000 MHz 7.0 x 5.0 x 1.6 mm 3.3 V 表面貼裝 振蕩器
XOSM-573-B-E-40M
Vishay
XOSM-573 40.000 MHz 7.0 x 5.0 x 1.6 mm 3.3 V 表面貼裝 振蕩器
XOSM-573AARE25M
Vishay
XOSM 25.000 MHz 7 x 5 mm 3.3 V 振蕩器
XOSM-57AARE6.0000M
Vishay
XOSM-57 Series 6 MHz 7 x 5 mm 5 V ±25 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XOVC1CDNA1M
Vishay
XOVC-23 系列 1 MHz 5 V 100 ppm 全尺寸 壓控晶體振蕩器

2) 請(qǐng)記住，石英晶體是一種振動(dòng)機(jī)械裝置。對(duì)于最佳設(shè)計(jì)，那些具有較低ESR(CI)和無(wú)擾動(dòng)（導(dǎo)致頻率跳躍的不希望的振動(dòng)模式）的設(shè)計(jì)，振動(dòng)區(qū)域旨在位于晶體的中心區(qū)域。

當(dāng)晶體頻率較低且晶體較厚時(shí)，振動(dòng)區(qū)域與邊緣的機(jī)械耦合程度更高。在這種情況下，擾動(dòng)（不需要的共振）變得難以控制，幾乎不可能控制。解決方法是對(duì)水晶進(jìn)行斜切或輪廓處理（使水晶看起來(lái)更像放大鏡凹形）。邊緣的這種變薄將振動(dòng)區(qū)域限制在晶體中心并允許控制擾動(dòng)。

7XZ-32.768KDA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±50ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±50ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBA-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±25ppm
7W-50.000MBA-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±25ppm
7W-50.000MBA-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±25ppm
AU-26.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  26MHz ±50ppm
AU-26.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  26MHz ±50ppm
AU-26.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  26MHz ±50ppm
7C-40.000MBA-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±25ppm
7C-40.000MBA-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±25ppm

不幸的是，限制振動(dòng)區(qū)域會(huì)顯著增加ESR。例如在12MHz：

SM13T5x7mm晶體ESR最大值為50歐姆

SM11T3.2x5mm晶體ESR最大值為80歐姆

對(duì)于這個(gè)例子，低于12MHz的SM11T是不實(shí)用的，因?yàn)镋SR變得非常大。

5VCMOS時(shí)鐘振蕩器的可用性正在下降。這是使用現(xiàn)成的3.3V時(shí)鐘振蕩器的解決方案。

7C-40.000MBA-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±25ppm
7Z-38.400MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
6U-16.384MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
6U-16.384MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
6U-16.384MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  125MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  125MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  125MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  100MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  100MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC 晶振 BX XO  100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC 晶振 BX XO  100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC 晶振 BX XO  100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC 晶振 CX XO  100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC 晶振 CX XO  100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC 晶振 CX XO  100MHz ±50ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm

Pletronics晶振SM33xxT、SM44xxT、SM55xxT、SM77xxH和SM77xxD系列3.3V振蕩器可與該電路配合使用，以滿足對(duì)5.0V時(shí)鐘石英晶體振蕩器的需求。產(chǎn)生的信號(hào)特性將等于或優(yōu)于舊的5V時(shí)鐘振蕩器。

7XZ-32.768KBA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7W-25.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-25.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-25.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC 晶振 AW XO  11.2896MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC 晶振 AW XO  11.2896MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC 晶振 AW XO  11.2896MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  50MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  50MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  50MHz ±50ppm
7X-38.400MBA-T TXC 晶振 7X XO  38.4MHz ±25ppm
7X-38.400MBA-T TXC 晶振 7X XO  38.4MHz ±25ppm
7X-38.400MBA-T TXC 晶振 7X XO  38.4MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC 晶振 8W XO  12MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC 晶振 8W XO  12MHz ±25ppm

Pletronics Inc.致力于按時(shí)提供最高質(zhì)量的設(shè)備以滿足客戶的要求。在過(guò)去的一年中，市場(chǎng)狀況導(dǎo)致陶瓷封裝供應(yīng)商的交貨時(shí)間增加。為了繼續(xù)響應(yīng)我們客戶的需求，Pletronics Inc.希望在Pletronics產(chǎn)品系列中增加一種陶瓷封裝類(lèi)型。

8W-12.000MBA-T TXC 晶振 8W XO  12MHz ±25ppm
BB-125.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  125MHz ±50ppm
BB-125.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  125MHz ±50ppm
BB-125.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  125MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC 晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC 晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC 晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC 晶振 7C XO  26MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC 晶振 7C XO  26MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC 晶振 7C XO  26MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC 晶振 7W XO  66.6666MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC 晶振 7W XO  66.6666MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC 晶振 7W XO  66.6666MHz ±50ppm
7W-24.576MBA-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±25ppm
7W-24.576MBA-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±25ppm
7W-24.576MBA-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±25ppm

當(dāng)前的陶瓷封裝和提議的添加都由同一家公司制造。制造地點(diǎn)、組裝材料、鍍層厚度和成分保持不變。更改主要涉及封裝中走線的位置和布線。

BB-161.1328MBE-T TXC 晶振 BB XO  161.1328MHz ±50ppm
BB-161.1328MBE-T TXC 晶振 BB XO  161.1328MHz ±50ppm
BB-161.1328MBE-T TXC 晶振 BB XO  161.1328MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  33MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  33MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  33MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC 晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC 晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC 晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC 晶振 BF XO  62.5MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC 晶振 BF XO  62.5MHz ±50ppm

加載

此參數(shù)適用于負(fù)載或并聯(lián)諧振振蕩器電路中使用的晶體。Cload是在頻率校準(zhǔn)期間使用的電容值，以pf為單位。例如18PF

BF-62.500MBE-T TXC 晶振 BF XO  62.5MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  150MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  150MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  150MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
7N-12.800MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-12.800MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-12.800MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
TC-3.6864MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TC-3.6864MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TC-3.6864MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 19.2MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 19.2MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 19.2MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm

ESR（等效串聯(lián)電阻）：

該電阻代表晶體在其諧振頻率下的等效阻抗，以歐姆為單位。例如最大50歐姆

泛音：

晶體在其基頻和高于基頻的奇次諧波處具有尖銳的諧振峰。設(shè)計(jì)用于這些諧波之一的晶體稱為泛音晶體。在更高的振蕩器頻率下，泛音設(shè)計(jì)通過(guò)使用更厚且更容易制造的晶體元件來(lái)降低成本。

TD-64.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 64MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 64MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 64MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 7.3728MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 7.3728MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 7.3728MHz ±25ppm
7W-32.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  32MHz ±50ppm
7W-32.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  32MHz ±50ppm
7W-32.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  32MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  25MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  25MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  25MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC 晶振 7X XO  38.4MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC 晶振 7X XO  38.4MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC 晶振 7X XO  38.4MHz ±50ppm
7X-48.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  48MHz ±50ppm

今天使用的大多數(shù)晶體是基本的或第三泛音。例如基金

校準(zhǔn)公差：

這是25°C時(shí)與標(biāo)稱頻率的最大偏差。校準(zhǔn)容差以百萬(wàn)分率(ppm)為單位指定。例如±30ppm

7X-48.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  48MHz ±50ppm
7X-48.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  48MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  20MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  20MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  20MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  13MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  13MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  13MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  50MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  50MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  50MHz ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  24MHz ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  24MHz ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  24MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  26MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  26MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  26MHz ±50ppm
TD-4.096MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 4.096MHz ±25ppm
TD-4.096MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 4.096MHz ±25ppm
TD-4.096MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 4.096MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TD-40.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 40MHz ±25ppm
TD-40.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 40MHz ±25ppm

 穩(wěn)定：穩(wěn)定性是在以25°C為參考的指定工作溫度范圍內(nèi)晶體頻率的最大偏差。與校準(zhǔn)容差一樣，穩(wěn)定性以ppm為單位指定。校準(zhǔn)容差和穩(wěn)定性的綜合影響在工作溫度范圍內(nèi)是相加的。例如±50ppm

TD-40.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 40MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 49.152MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 49.152MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 49.152MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 4MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 4MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 4MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 16.0972MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 16.0972MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 16.0972MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TC-24.576MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TC-24.576MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TC-24.576MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TD-12.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 12MHz ±25ppm
TD-12.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 12MHz ±25ppm
TD-12.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 12MHz ±25ppm
TC-20.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 20MHz ±25ppm
TC-20.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 20MHz ±25ppm
TC-20.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 20MHz ±25ppm
TC-12.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 12MHz ±25ppm
TC-12.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 12MHz ±25ppm
TC-12.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 12MHz ±25ppm

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    【本文標(biāo)簽】：Vishay晶振沖擊水平和破碎的晶體導(dǎo)致的故障 需要5.0V時(shí)鐘 TD-12.000MBD-T
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