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Statek晶振155.52MHz皮爾斯振蕩器適用于Xilinx FPGA參考時鐘應(yīng)用
Statek晶振155.52MHz皮爾斯振蕩器適用于Xilinx FPGA參考時鐘應(yīng)用,7W-24.000MBE-T,晶體的電行為就好像它是一個電感器,振蕩頻率比晶體的串聯(lián)諧振頻率高30ppm到300ppm.與皮爾斯振蕩器相比,它的啟動速度更快(通常為100毫秒)并消耗更高的電流.
CoreElectronics是晶體、振蕩器和諧振器的制造商，在頻率控制產(chǎn)品方面擁有40多年的經(jīng)驗。
AU-27.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
27MHz
±50ppm
AU-27.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
27MHz
±50ppm
AU-27.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
27MHz
±50ppm
7X-30.000MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
30MHz
±25ppm
7X-30.000MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
30MHz
±25ppm
7X-30.000MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
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±25ppm
7X-12.000MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
12MHz
±25ppm
7X-12.000MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
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7X-12.000MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
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±25ppm
7X-26.000MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
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±25ppm
7X-26.000MBA-T
TXC 晶振
7X
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±25ppm
7X-26.000MBA-T
TXC 晶振
7X
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26MHz
±25ppm
7X-25.000MBA-T
TXC 晶振
7X
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±25ppm
7X-25.000MBA-T
TXC 晶振
7X
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25MHz
±25ppm
7X-25.000MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
25MHz
±25ppm
7X-48.000MBA-T
TXC 晶振
7X
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48MHz
±25ppm
7X-48.000MBA-T
TXC 晶振
7X
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48MHz
±25ppm
7X-48.000MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
48MHz
±25ppm
7L-19.200MCS-T
TXC 晶振
7L
VCTCXO
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±2ppm
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TXC 晶振
7L
VCTCXO
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TXC 晶振
7L
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19.2MHz
±2ppm
7Q-16.368MBG-T
TXC 晶振
7Q
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±500ppb
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16.368MHz
±500ppb
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7Q
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±500ppb
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TXC 晶振
7Q
TCXO
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±500ppb
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TXC 晶振
7Q
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TXC 晶振
7L
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7L-40.000MCS-T
TXC 晶振
7L
VCTCXO
40MHz
±2ppm
7L-40.000MCS-T
TXC 晶振
7L
VCTCXO
40MHz
±2ppm
Core還擴大了我們的產(chǎn)品基礎(chǔ)，因為我們現(xiàn)在是電子元件的特許經(jīng)銷商。我們專注于無源、光電、半導(dǎo)體和機電元件，例如：電容器、連接器、LED、電感器、鐵氧體磁珠、電位器、繼電器、開關(guān)等等！
7Q-16.3676MBG-T
TXC 晶振
7Q
TCXO
16.3676MHz
±500ppb
7Q-16.3676MBG-T
TXC 晶振
7Q
TCXO
16.3676MHz
±500ppb
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7Q
TCXO
16.3676MHz
±500ppb
8W-12.000MBB-T
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8W
XO
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±50ppm
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8W
XO
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AU
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TXC 晶振
7Z
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TXC 晶振
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7Z
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±2ppm
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TXC 晶振
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XO
26MHz
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8W
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TXC 晶振
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TXC 晶振
8W
XO
40MHz
±50ppm
8W-40.000MBB-T
TXC 晶振
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TXC 晶振
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TCXO
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±500ppb
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7L
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BB
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BB
XO
106.25MHz
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BB
XO
106.25MHz
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7Z
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TXC 晶振
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TXC 晶振
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TCXO
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±500ppb
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TXC 晶振
7Z
TCXO
38.4MHz
±500ppb
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7Z
TCXO
38.4MHz
±500ppb
7Z-38.400MDG-T
TXC 晶振
7Z
TCXO
38.4MHz
±500ppb
無論是通過越來越多的分銷商銷售我們自己的產(chǎn)品，還是營銷其他人的產(chǎn)品。以專業(yè)的關(guān)懷、知識、非凡的禮貌和對細節(jié)的無與倫比的關(guān)注來滿足客戶的需求將永遠是COREELECTRONICS的使命。
7Z-26.000MDG-T
TXC 晶振
7Z
TCXO
26MHz
±500ppb
7Z-26.000MDG-T
TXC 晶振
7Z
TCXO
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±500ppb
7Z-26.000MDG-T
TXC 晶振
7Z
TCXO
26MHz
±500ppb
8W-19.200MBA-T
TXC 晶振
8W
XO
19.2MHz
±25ppm
8W-19.200MBA-T
TXC 晶振
8W
XO
19.2MHz
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8W-19.200MBA-T
TXC 晶振
8W
XO
19.2MHz
±25ppm
8W-40.000MBA-T
TXC 晶振
8W
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±25ppm
8W-40.000MBA-T
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TXC 晶振
8W
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40MHz
±25ppm
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±50ppm
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7W
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8W-24.576MBA-T
TXC 晶振
8W
XO
24.576MHz
±25ppm
8W-24.576MBA-T
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8W
XO
24.576MHz
±25ppm
8W-24.576MBA-T
TXC 晶振
8W
XO
24.576MHz
±25ppm
7W-133.330MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
133.33MHz
±50ppm
7W-133.330MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
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±50ppm
7W-133.330MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
133.33MHz
±50ppm
BT-156.250MBC-T
TXC 晶振
BT
SO (SAW)
156.25MHz
±100ppm
BT-156.250MBC-T
TXC 晶振
BT
SO (SAW)
156.25MHz
±100ppm
BT-156.250MBC-T
TXC 晶振
BT
SO (SAW)
156.25MHz
±100ppm
BB-100.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
100MHz
±50ppm
BB-100.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
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±50ppm
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TXC 晶振
BB
XO
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±50ppm
BS-106.250MBC-T
TXC 晶振
BS
SO (SAW)
106.25MHz
±100ppm
BS-106.250MBC-T
TXC 晶振
BS
SO (SAW)
106.25MHz
±100ppm
BS-106.250MBC-T
TXC 晶振
BS
SO (SAW)
106.25MHz
±100ppm
BB-133.330MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
133.33MHz
±50ppm
BB-133.330MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
133.33MHz
±50ppm
BB-133.330MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
133.33MHz
±50ppm
新的LVDS和LVPECL差分輸出石英晶體振蕩器
–Statek Corporation，設(shè)計和制造領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者制造高可靠性頻率控制產(chǎn)品，宣布發(fā)布
CB-150.000MBE-T
TXC 晶振
CB
XO
150MHz
±50ppm
CB-150.000MBE-T
TXC 晶振
CB
XO
150MHz
±50ppm
CB-150.000MBE-T
TXC 晶振
CB
XO
150MHz
±50ppm
BF-156.250MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
156.25MHz
±50ppm
BF-156.250MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
156.25MHz
±50ppm
BF-156.250MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
156.25MHz
±50ppm
BB-156.250MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
156.25MHz
±50ppm
BB-156.250MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
156.25MHz
±50ppm
BB-156.250MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
156.25MHz
±50ppm
CS-156.250MCC-T
TXC 晶振
CS
SO (SAW)
156.25MHz
±100ppm
CS-156.250MCC-T
TXC 晶振
CS
SO (SAW)
156.25MHz
±100ppm
CS-156.250MCC-T
TXC 晶振
CS
SO (SAW)
156.25MHz
±100ppm
BS-250.000MBC-T
TXC 晶振
BS
SO (SAW)
250MHz
±100ppm
BS-250.000MBC-T
TXC 晶振
BS
SO (SAW)
250MHz
±100ppm
BS-250.000MBC-T
TXC 晶振
BS
SO (SAW)
250MHz
±100ppm
CT-156.250MCC-T
TXC 晶振
CT
SO (SAW)
156.25MHz
±100ppm
CT-156.250MCC-T
TXC 晶振
CT
SO (SAW)
156.25MHz
±100ppm
CT-156.250MCC-T
TXC 晶振
CT
SO (SAW)
156.25MHz
±100ppm
BB-166.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
166MHz
±50ppm
BB-166.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
166MHz
±50ppm
BB-166.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
166MHz
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BS-312.500MBC-T
TXC 晶振
BS
SO (SAW)
312.5MHz
±100ppm
BS-312.500MBC-T
TXC 晶振
BS
SO (SAW)
312.5MHz
±100ppm
BS-312.500MBC-T
TXC 晶振
BS
SO (SAW)
312.5MHz
±100ppm
BT-312.500MBC-T
TXC 晶振
BT
SO (SAW)
312.5MHz
±100ppm
BT-312.500MBC-T
TXC 晶振
BT
SO (SAW)
312.5MHz
±100ppm
BT-312.500MBC-T
TXC 晶振
BT
SO (SAW)
312.5MHz
±100ppm
CS-212.500MCC-T
TXC 晶振
CS
SO (SAW)
212.5MHz
±100ppm
CS-212.500MCC-T
TXC 晶振
CS
SO (SAW)
212.5MHz
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CS-212.500MCC-T
TXC 晶振
CS
SO (SAW)
212.5MHz
±100ppm
DFXO石英晶體振蕩器。差分輸出石英晶體振蕩器可用在LVDS和LVPECL輸出。這個5mmx7mm高頻（20MHz至300MHz）振蕩器具有低相位噪聲和低相位抖動，采用基本晶體實現(xiàn)頻率高達155.52MHz。適用于Xilinx FPGA參考時鐘應(yīng)用。提供擴展工業(yè)溫度范圍（-40°C至+105°C）。內(nèi)部的去耦電容；不需要外部電容器。
BJ-61.440MBE-T
TXC 晶振
BJ
VCXO
61.44MHz
±50ppm
BJ-61.440MBE-T
TXC 晶振
BJ
VCXO
61.44MHz
±50ppm
BJ-61.440MBE-T
TXC 晶振
BJ
VCXO
61.44MHz
±50ppm
CS-312.500MCC-T
TXC 晶振
CS
SO (SAW)
312.5MHz
±100ppm
CS-312.500MCC-T
TXC 晶振
CS
SO (SAW)
312.5MHz
±100ppm
CS-312.500MCC-T
TXC 晶振
CS
SO (SAW)
312.5MHz
±100ppm
CT-312.500MCC-T
TXC 晶振
CT
SO (SAW)
312.5MHz
±100ppm
CT-312.500MCC-T
TXC 晶振
CT
SO (SAW)
312.5MHz
±100ppm
CT-312.500MCC-T
TXC 晶振
CT
SO (SAW)
312.5MHz
±100ppm
7P-26.000MBP-T
TXC 晶振
7P
TCXO
26MHz
±280ppb
7P-26.000MBP-T
TXC 晶振
7P
TCXO
26MHz
±280ppb
7P-26.000MBP-T
TXC 晶振
7P
TCXO
26MHz
±280ppb
7P-19.200MBP-T
TXC 晶振
7P
TCXO
19.2MHz
±280ppb
7P-19.200MBP-T
TXC 晶振
7P
TCXO
19.2MHz
±280ppb
7P-19.200MBP-T
TXC 晶振
7P
TCXO
19.2MHz
±280ppb
7P-25.000MBP-T
TXC 晶振
7P
TCXO
25MHz
±280ppb
7P-25.000MBP-T
TXC 晶振
7P
TCXO
25MHz
±280ppb
7P-25.000MBP-T
TXC 晶振
7P
TCXO
25MHz
±280ppb
7N-20.000MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
20MHz
±280ppb
7N-20.000MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
20MHz
±280ppb
7N-20.000MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
20MHz
±280ppb
7N-10.000MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
10MHz
±280ppb
7N-10.000MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
10MHz
±280ppb
7N-10.000MBP-T
TXC 晶振
7N
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10MHz
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TXC 晶振
7N
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±280ppb
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19.2MHz
±280ppb
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19.2MHz
±280ppb
7N-25.000MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
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±280ppb
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TXC 晶振
7N
TCXO
25MHz
±280ppb
7N-25.000MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
25MHz
±280ppb
Statek是設(shè)計、開發(fā)和制造高度可靠、超小型、用于醫(yī)療電子、航空航天的石英頻率控制產(chǎn)品，國防和工業(yè)市場。
如需更多信息并討論您的具體操作要求，請聯(lián)系0755-27876565
BR-77.760MBE-T
TXC 晶振
BR
VCXO
77.76MHz
±50ppm
BR-77.760MBE-T
TXC 晶振
BR
VCXO
77.76MHz
±50ppm
BR-77.760MBE-T
TXC 晶振
BR
VCXO
77.76MHz
±50ppm
BR-122.880MBE-T
TXC 晶振
BR
VCXO
122.88MHz
±50ppm
BR-122.880MBE-T
TXC 晶振
BR
VCXO
122.88MHz
±50ppm
BR-122.880MBE-T
TXC 晶振
BR
VCXO
122.88MHz
±50ppm
BJ-122.880MBE-T
TXC 晶振
BJ
VCXO
122.88MHz
±50ppm
BJ-122.880MBE-T
TXC 晶振
BJ
VCXO
122.88MHz
±50ppm
BJ-122.880MBE-T
TXC 晶振
BJ
VCXO
122.88MHz
±50ppm
CR-122.880MBE-T
TXC 晶振
CR
VCXO
122.88MHz
±50ppm
CR-122.880MBE-T
TXC 晶振
CR
VCXO
122.88MHz
±50ppm
CR-122.880MBE-T
TXC 晶振
CR
VCXO
122.88MHz
±50ppm
BR-153.600MBE-T
TXC 晶振
BR
VCXO
153.6MHz
±50ppm
BR-153.600MBE-T
TXC 晶振
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VCXO
153.6MHz
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BR-153.600MBE-T
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CJ-153.600MBE-T
TXC 晶振
CJ
VCXO
153.6MHz
±50ppm
CJ-153.600MBE-T
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CJ
VCXO
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CJ-153.600MBE-T
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±50ppm
BJ-156.250MBE-T
TXC 晶振
BJ
VCXO
156.25MHz
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BJ-156.250MBE-T
TXC 晶振
BJ
VCXO
156.25MHz
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BJ-156.250MBE-T
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7W-1.8432MBE-T
TXC 晶振
7W
XO
1.8432MHz
±50ppm
7W-1.8432MBE-T
TXC 晶振
7W
XO
1.8432MHz
±50ppm
7W-1.8432MBE-T
TXC 晶振
7W
XO
1.8432MHz
±50ppm
7W-14.31818MBE-T
TXC 晶振
7W
XO
14.31818MHz
±50ppm
7W-14.31818MBE-T
TXC 晶振
7W
XO
14.31818MHz
±50ppm
7W-14.31818MBE-T
TXC 晶振
7W
XO
14.31818MHz
±50ppm
7W-12.288MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
12.288MHz
±50ppm
7W-12.288MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
12.288MHz
±50ppm
7W-12.288MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
12.288MHz
±50ppm
7W-40.000MBE-T
TXC 晶振
7W
XO
40MHz
±50ppm
7W-40.000MBE-T
TXC 晶振
7W
XO
40MHz
±50ppm
7W-40.000MBE-T
TXC 晶振
7W
XO
40MHz
±50ppm
TA-20.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
晶體控制振蕩器可分為兩個基本組：正電抗或負電抗。正電抗模式通常稱為“并聯(lián)諧振”或“反諧振”振蕩器。皮爾斯振蕩器是一種眾所周知的正電抗振蕩器。負電抗模式通常被稱為串聯(lián)振蕩器。Statek晶體針對特定的操作模式進行設(shè)計和調(diào)整。
TA-20.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TA-20.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TA-22.5792MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
22.5792MHz
±25ppm
TA-22.5792MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
22.5792MHz
±25ppm
TA-22.5792MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
22.5792MHz
±25ppm
TA-50.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
50MHz
±25ppm
TA-50.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
50MHz
±25ppm
TA-50.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
50MHz
±25ppm
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TXC 晶振
7W
XO
14.7456MHz
±50ppm
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XO
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±50ppm
7W-14.7456MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
14.7456MHz
±50ppm
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TXC 晶振
7W
XO
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±50ppm
7W-24.576MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
24.576MHz
±50ppm
7W-24.576MBB-T
TXC 晶振
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XO
24.576MHz
±50ppm
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TXC 晶振
7W
XO
8.192MHz
±50ppm
7W-8.192MBE-T
TXC 晶振
7W
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8.192MHz
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TXC 晶振
7W
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±50ppm
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TXC 晶振
7W
XO
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±50ppm
7W-32.768MBE-T
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XO
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TXC 晶振
7C
XO
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±50ppm
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±50ppm
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TXC 晶振
7W
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1.544MHz
±50ppm
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1.544MHz
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TXC 晶振
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TXC 晶振
7W
XO
4.096MHz
±50ppm
皮爾斯振蕩器采用單個反相器，帶有兩個相移電容器和晶體，在反饋回路中提供180ºC相移。晶體的電行為就好像它是一個電感器。振蕩頻率比晶體的串聯(lián)諧振頻率高30ppm到300ppm。如果晶體從電路中移除，振蕩器通常會停止振蕩。與串聯(lián)振蕩器相比，皮爾斯振蕩器通常啟動較慢且消耗的電流較少。小型便攜式設(shè)備（電池供電），包括手持式數(shù)據(jù)輸入終端，使用了皮爾斯振蕩器。
7C-40.000MBE-T
TXC 晶振
7C
XO
40MHz
±50ppm
7C-40.000MBE-T
TXC 晶振
7C
XO
40MHz
±50ppm
7C-40.000MBE-T
TXC 晶振
7C
XO
40MHz
±50ppm
7W-8.000MBE-T
TXC 晶振
7W
XO
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±50ppm
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±50ppm
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±50ppm
7C-25.000MBE-T
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±50ppm
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7C
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XO
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±50ppm
7W-6.000MBE-T
TXC 晶振
7W
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±50ppm
7W-6.000MBE-T
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7W
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6MHz
±50ppm
7W-10.000MBE-T
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±50ppm
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±50ppm
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±50ppm
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±50ppm
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TXC 晶振
7W
XO
50MHz
±50ppm
7W-24.000MBE-T
TXC 晶振
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±50ppm
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±50ppm
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7W
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±50ppm
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TXC 晶振
7W
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±50ppm
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TXC 晶振
7W
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7W
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33.333MHz
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±50ppm
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±50ppm
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24.576MHz
±50ppm
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25MHz
±50ppm
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TXC 晶振
7W
XO
25MHz
±50ppm
7W-25.000MBE-T
TXC 晶振
7W
XO
25MHz
±50ppm
通常，串聯(lián)振蕩器由兩個級聯(lián)的反相器組成，晶體連接在第二個反相器輸出和第一個反相器輸入之間。晶體在電氣上的行為就好像它是一個電容器。如果晶體被移除，振蕩器通常會以更高的頻率自由運行。與皮爾斯振蕩器相比，它的啟動速度更快（通常為100毫秒）并消耗更高的電流。
7W-10.000MAB-T
TXC 晶振
7W
XO
10MHz
±50ppm
7W-10.000MAB-T
TXC 晶振
7W
XO
10MHz
±50ppm
7W-10.000MAB-T
TXC 晶振
7W
XO
10MHz
±50ppm
7W-48.000MBE-T
TXC 晶振
7W
XO
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±50ppm
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TXC 晶振
7W
XO
48MHz
±50ppm
7W-48.000MBE-T
TXC 晶振
7W
XO
48MHz
±50ppm
7W-40.000MAB-T
TXC 晶振
7W
XO
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±50ppm
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XO
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±50ppm
7W-40.000MAB-T
TXC 晶振
7W
XO
40MHz
±50ppm
7W-20.000MAB-T
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XO
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±50ppm
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7W
XO
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±50ppm
7W-14.31818MAB-T
TXC 晶振
7W
XO
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±50ppm
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7W
XO
14.31818MHz
±50ppm
7W-14.31818MAB-T
TXC 晶振
7W
XO
14.31818MHz
±50ppm
7W-24.000MAB-T
TXC 晶振
7W
XO
24MHz
±50ppm
7W-24.000MAB-T
TXC 晶振
7W
XO
24MHz
±50ppm
7W-24.000MAB-T
TXC 晶振
7W
XO
24MHz
±50ppm
TB-1.8432MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±25ppm
TB-1.8432MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±25ppm
TB-1.8432MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±25ppm
TB-70.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TB-70.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TB-70.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TB-30.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
30MHz
±25ppm
TB-30.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
30MHz
±25ppm
TB-30.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
30MHz
±25ppm
TA-11.0592MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±25ppm
TA-11.0592MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±25ppm
TA-11.0592MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±25ppm
晶體或振蕩器類型的選擇主要取決于性能要求?？偨Y(jié)了穿孔和串聯(lián)振蕩器的性能特點。CX-1V晶體具有比CX-1H更高的Q，因為它被密封在真空封裝中。CX-1H晶體具有大約3到5倍的運動阻力（較低的Q），因為它在接近大氣壓的情況下被密封。
TC-50.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
50MHz
±25ppm
TC-50.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
50MHz
±25ppm
TC-50.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
50MHz
±25ppm
TA-13.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
13MHz
±25ppm
TA-13.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
13MHz
±25ppm
TA-13.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
13MHz
±25ppm
TA-12.288MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.288MHz
±25ppm
TA-12.288MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.288MHz
±25ppm
TA-12.288MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.288MHz
±25ppm
TA-33.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
33MHz
±25ppm
TA-33.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
33MHz
±25ppm
TA-33.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
33MHz
±25ppm
TC-24.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
24MHz
±25ppm
TC-24.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
24MHz
±25ppm
TC-24.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
24MHz
±25ppm
TB-22.1184MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
22.1184MHz
±25ppm
TB-22.1184MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
22.1184MHz
±25ppm
TB-22.1184MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
22.1184MHz
±25ppm
TA-6.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TA-6.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TA-6.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TD-33.33333MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
33.33333MHz
±25ppm
TD-33.33333MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
33.33333MHz
±25ppm
TD-33.33333MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
33.33333MHz
±25ppm
TD-60.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
60MHz
±25ppm
TD-60.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
60MHz
±25ppm
TD-60.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
60MHz
±25ppm
TC-100.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
100MHz
±25ppm
TC-100.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
100MHz
±25ppm
TC-100.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
100MHz
±25ppm
TB-15.8682MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
15.8682MHz
±25ppm
TB-15.8682MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
15.8682MHz
±25ppm
TB-15.8682MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
15.8682MHz
±25ppm
TC-13.513MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
TC-13.513MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
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