終不負(fù)等待,NDK熱敏諧振器NX1612SD終于開(kāi)始量產(chǎn)啦!
終不負(fù)等待,NDK熱敏諧振器NX1612SD終于開(kāi)始量產(chǎn)啦!
在石英晶體產(chǎn)品上內(nèi)置熱敏電阻能夠有效的提升晶振的工作溫度,這也為什么在同種規(guī)格下,熱敏電阻的價(jià)格會(huì)更貴一些的原因;所謂熱敏也就是對(duì)發(fā)熱(溫度)比較敏感,靈敏度比較高,溫度系數(shù)要比金屬大10-100倍以上,能夠檢測(cè)出10-6℃的溫度變化,常用的是負(fù)溫度系數(shù)的,當(dāng)溫度升高時(shí)其阻值會(huì)降低,從而降低晶振振蕩電路的有效電阻,對(duì)于在高溫環(huán)境下的石英晶振輸出頻率穩(wěn)定性來(lái)說(shuō)非常有益,NDK這款NX11612SD就是一款內(nèi)置熱敏電阻的諧振器.
于6月開(kāi)始在76.8MHz批量生產(chǎn)帶有內(nèi)置熱敏電阻(NDK部件號(hào):EXS00A-CS12311)的晶體單元,以及NX1612SD(1.6×1.2×0.65mm尺寸).可見(jiàn)這款產(chǎn)品NDK目前只是實(shí)現(xiàn)了76.8M的量產(chǎn).據(jù)NDK介紹,這款晶振產(chǎn)品是供給高通公司并用于5G智能手機(jī)的移動(dòng)平臺(tái)芯片上.
隨著移動(dòng)通信向5G的轉(zhuǎn)變,芯片組中使用的時(shí)鐘源頻率的增加導(dǎo)致對(duì)低相位噪聲的需求不斷增加.特別地,為了處理諸如毫米波之類(lèi)的載波頻帶,存在以下?lián)鷳n(yōu):內(nèi)部倍增器數(shù)量的增加將導(dǎo)致較高的噪聲分量,從而由于劣化而導(dǎo)致接收靈敏度劣化和通信效率劣化.調(diào)制精度(信號(hào)相位和幅度偏移)的關(guān)系.
作為對(duì)策之一,通過(guò)將裝置內(nèi)部的基準(zhǔn)振蕩源設(shè)為38.4MHz?76.8MHz的較高頻率,通過(guò)降低倍頻來(lái)改善相位噪聲.為了實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的降噪,除了增加頻率之外,還必須提高晶體諧振器的驅(qū)動(dòng)電平,并且必須將溫度特性保持在高穩(wěn)定性.
為了滿(mǎn)足這些高難度要求,NDK晶振是第一家通過(guò)使用內(nèi)部生產(chǎn)的高質(zhì)量合成石英并使用我們自己的光刻處理技術(shù)高精度處理晶體毛坯的QualcommSoC智能手機(jī)的認(rèn)證商.
Modelname |
NX1612SD |
Dimensions |
1.6x1.2x0.65mm |
Nominal Frequency |
76.8MHz |
Frequency Tolerance(+25+/-3degC) |
-10to+22ppm |
Frequency/Temperature Characteristics (-30to+85degC) |
+/-12ppm |
Operating Temperature Range/Storage TemperatureRange |
-30to+105degC/-40to+105degC |
Equivalent Series Resistance |
Max.30Ω |
Load Capacitance |
7pF |
Temperature Resistance(at+25degC) |
100KΩ+/-1% |
TemperatureB-Constant(+25/+50degC) |
4250K+/-1% |
并且據(jù)NDK方面預(yù)測(cè),未來(lái)5G智能手機(jī)市場(chǎng)將快速增長(zhǎng),相應(yīng)石英晶振產(chǎn)品的需求量也會(huì)水漲船高,像NX11612SD這種性能優(yōu)越的產(chǎn)品在未來(lái)市場(chǎng)中將會(huì)大放光彩,所以NDK計(jì)劃在擴(kuò)大銷(xiāo)售的同時(shí)確保穩(wěn)定供應(yīng)該產(chǎn)品,同時(shí)還會(huì)研發(fā)最新的晶體制造技術(shù).
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