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NDK晶振,溫補(bǔ)晶振,NT2520SB晶振,NT2520SD晶振,NT2520SE晶振

頻率：10M~52MHZ

尺寸：2.5x2.0mm

溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上極薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27876565

日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振搶先取得社會需求,為客戶提供高質(zhì)量的服務(wù)與晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振.

NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社已經(jīng)建立和正在推動一項(xiàng)中期計(jì)劃的具體減排目標(biāo),以減少二氧化碳的排放是全球變暖的原因.它也有助于減少（抑制）CO2排放量,通過使用最先進(jìn)的技術(shù),實(shí)現(xiàn)最小化,以及減少石英晶體諧振器,石英晶體的重量和功耗,以支持社會的需要.

日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振的新概念的溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器器件.通過產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻(xiàn)和環(huán)境績效的舉措.制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻(xiàn)—通過制造致密/復(fù)雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負(fù)荷物質(zhì)—這些是倡議的支柱.

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NDK晶振,溫補(bǔ)晶振,NT2520SB晶振,NT2520SD晶振,NT2520SE晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.

晶振在使用過程中需要注意哪些事項(xiàng),晶振產(chǎn)品在使用過程中產(chǎn)生不良都有那些原因照成的,如果石英晶振產(chǎn)生了不良我們又該怎么處理,怎么去預(yù)防在以后的生產(chǎn)過程中確保品質(zhì)不在出問題.

溫補(bǔ)晶振簡單的來說就是在工作過程中起到溫度補(bǔ)償功能,那怎么個(gè)溫度補(bǔ)償法呢？其實(shí)原理跟SMD壓控振蕩器一樣,比如說溫補(bǔ)晶振電壓有1.6V-1.8V-2.2V-2.8V-3V-3.3V-5V等幾款常用電壓.溫補(bǔ)晶振在工作過程中如果遇到了溫度變化很大的情況下,那這個(gè)時(shí)候溫度補(bǔ)償就起作用了,比如說溫補(bǔ)晶振的基本精度要求是0.5PPM,常溫要求是2ppm,那如果低溫超出的常溫的情況下,晶體的溫補(bǔ)功能就會把精度控制在一定的范圍內(nèi),使精度變化在一個(gè)要求值的范圍,穩(wěn)定在高精度要求內(nèi)給CPU提供穩(wěn)定的信號.

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型號		NT2520SB晶振,NT2520SD晶振
輸出頻率范圍		10~52MHz
標(biāo)準(zhǔn)頻率		16.368M/16.369M/19.2M/26M/33.6M/38.4M/52M
電源電壓范圍		+1.68~+3.5V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）
待機(jī)時(shí)電流		-更多詳細(xì)參數(shù)請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負(fù)載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±0.5×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30~+85℃ ±0.5×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40~+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	負(fù)載變化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10^-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	-
	頻率控制極性	-
啟動時(shí)間		2.0ms max.

NT2520SE晶振參數(shù)表

型號		NT2520SE晶振
輸出頻率范圍		10~52MHz
標(biāo)準(zhǔn)頻率		16.368M/16.369M/19.2M/26M/33.6M/38.4M/52M
電源電壓范圍		+1.68~+3.5V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）
待機(jī)時(shí)電流		-
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負(fù)載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±0.5×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40~+105℃ ±0.5×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40~+105℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	負(fù)載變化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10^-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	-
	頻率控制極性	-
啟動時(shí)間		2.0ms max.

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NT2520SB_2.5_2.0 TCXO 日本電波株式會社超小型2.5x2.0溫補(bǔ)晶振型列表

特征	額定頻率范圍 (MHz)	頻率溫度特性	型名

對應(yīng)寬溫的	10～52	±0.5×10^-6	NT2520SE溫補(bǔ)晶振
CMOS出力,E/D機(jī)能付	10～52	±2.5×10^-6	NT2520SC晶振
帶有AFC（頻率控制）功能	10～52	±2.0×10^-6	NT2520SB晶振
適用于高精度GPS	10～52	±0.5×10^-6	NT2520SB溫補(bǔ)晶振
適用于高精度GPS,具有E/D功能	10～52	±0.5×10^-6	NT2520SD晶振
具有Enable/Disable功能	10～52	±2.0×10^-6	NT2520SD晶振

在使用NDK晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)：

盡管晶振質(zhì)量高,性能穩(wěn)定,但如果不注意使用同樣會對產(chǎn)品造成一定的損傷,因此我們在使用產(chǎn)品時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn).

注意事項(xiàng)（焊接和安裝）

1.1.焊接條件

（1）回流焊接:請采用回流焊接方式將TCXO晶振,貼片晶振安裝到電路板上.

焊劑：請使用松香類焊劑,不得使用水溶類焊劑.

焊料：請?jiān)谙铝袟l件下使用焊料（Sn-3.0Ag-0.5Cu）

標(biāo)準(zhǔn)焊膏厚度：0.10至0.15mm

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	焊接方式
預(yù)熱	150至180℃ 60至120秒
加熱	220℃ min. 30至50秒
峰值溫度	245℃ min. 260℃ max. 5秒max.

（2）烙鐵焊接

如果不得不使用釬焊烙鐵來安裝晶振,則請不要讓烙鐵直接接觸元件.如果施加了過大的熱應(yīng)力,元件接線端子或電氣特性有可能被破壞.請將焊料避開金屬帽（蓋）.

	焊接方式
預(yù)熱	150℃ 60秒
烙鐵加熱	350℃ max.
功率	30W max.
烙鐵形狀	3mm max.
焊接用時(shí)	5秒 max.
焊料	Sn-3.0Ag-0.5Cu

1.2.焊接最佳焊料用量

請確保焊料用量小于基底高度,以避免損壞耐高溫TCXO晶體振蕩器的金屬蓋與基底之間的密封件.

2.清洗

晶體諧振器不可清洗.NDK晶振,溫補(bǔ)晶振,NT2520SB晶振,NT2520SD晶振,NT2520SE晶振

3.安裝注意事項(xiàng)

建議使用具備光學(xué)定位能力的貼裝機(jī)來貼裝溫補(bǔ)石英晶體振蕩器.根據(jù)貼裝機(jī)不同或條件不同,本元件受到機(jī)械作用力時(shí)有可能損壞.在大批量生產(chǎn)之前,請使用貼裝機(jī)對本元件進(jìn)行評估.不得使用采用機(jī)械定位方式的貼裝機(jī).

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NT2520SB晶振 NT2520SD晶振 NT2520SE晶振高精密GPS溫補(bǔ)晶振

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: CTS晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,520晶振,520T25IA40M0000晶振; 有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,有源晶體振蕩器本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.

: NDK晶振,有源晶振,NT2520SC晶振,2520溫補(bǔ)晶振; 2520mm體積的溫補(bǔ)晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對應(yīng)IC可能) ,超小型,輕型.低消耗電流,貼片有源晶振產(chǎn)品.(可對應(yīng)回流焊)無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.

: KDS晶振,有源晶振,DSG221STA晶振; 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.