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NDK晶振,差分晶振,NP3225SA晶振,NP3225SB晶振,NP3225SC晶振
頻率：100M~170MHZ
尺寸：3.2x2.5mm
差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網(wǎng)絡(luò)路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備中.網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對高標(biāo)準(zhǔn)參考時鐘的需求尤其突出,要求做為系統(tǒng)性能重要參數(shù)的相位抖動具備低抖動特征.使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.差分石英晶振滿足市場需求,實現(xiàn)高頻高精度等要求,更加保障了各種系統(tǒng)參考時鐘的可靠性
NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家,以“通過對客戶的服務(wù),為社會繁榮和世界和平作出貢獻(xiàn)”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎(chǔ)于1948年成立.
日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振的新概念的溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器器件.通過產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻(xiàn)和環(huán)境績效的舉措.制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻(xiàn)—通過制造致密/復(fù)雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負(fù)荷物質(zhì)—這些是倡議的支柱.
NDK晶振,差分晶振,NP3225SA晶振,NP3225SB晶振,NP3225SC晶振,差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達(dá)到低值1V,工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達(dá)到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.
晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減??；3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
NP3225SA差分晶振規(guī)格表
|
NDK晶振型號 |
符號 |
|
|
輸出規(guī)格 |
- |
LV-PECL |
|
輸出頻率范圍 |
fo |
100~1700MHz |
|
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
|
保存溫度范圍 |
T_stg |
-55~+125℃ |
|
運行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃,-40~+85℃ |
|
消耗電流 |
ICC |
45mA max. (fo≦170MHz) |
|
待機(jī)時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
輸出負(fù)載 |
Load-R |
50Ωto VCC-2V |
|
波形對稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
|
0電平電壓 |
VOL |
VCC-1.81~VCC-1.62V |
|
1電平電壓 |
VOH |
VCC-1.025~VCC-0.88V |
|
上升時間下降時間 |
tr, tf |
0.5ns max. [20?80% Output, OutputN] |
|
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
- |
|
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
- |
|
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
- |
|
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
- |
|
交叉點電壓 |
Vcr |
-更多詳細(xì)參數(shù)請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn/ |
|
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
|
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
|
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
NP3225SB差分晶振規(guī)格表
|
NDK晶振型號 |
符號 |
NP3225SB晶振 |
|
輸出規(guī)格 |
- |
LVDS |
|
輸出頻率范圍 |
fo |
100~170MHz |
|
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
|
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40~+85℃ |
|
運行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃,-40?+85℃ |
|
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
|
待機(jī)時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω(Output-OutputN) |
|
波形對稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
|
0電平電壓 |
VOL |
- |
|
1電平電壓 |
VOH |
- |
|
上升時間下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
|
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247~0.454V |
|
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
|
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125~1.375V |
|
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
|
交叉點電壓 |
Vcr |
- |
|
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
|
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
|
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
NP3225SC差分晶振規(guī)格表
|
NDK晶振型號 |
符號 |
NP3225SC晶振 |
|
輸出規(guī)格 |
- |
HCSL |
|
輸出頻率范圍 |
fo |
100~170MHz |
|
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
|
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40~+85℃ |
|
運行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃,-40~+85℃ |
|
消耗電流 |
ICC |
30mA max. (fo≦170MHz), |
|
待機(jī)時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
輸出負(fù)載 |
Load-R |
50Ω |
|
波形對稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
|
0電平電壓 |
VOL |
-0.15~0.15V |
|
1電平電壓 |
VOH |
0.58~0.85V |
|
上升時間下降時間 |
tr, tf |
0.5ns max. [0.175~0.525V Level] |
|
差分輸出電壓 |
⊿VOD1, VOD2 |
- |
|
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
- |
|
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
- |
|
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
- |
|
交叉點電壓 |
Vcr |
250~550mV |
|
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
|
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
|
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
NP3225S差分晶振不同輸出型號列表
NDK晶振
尺寸大小
額定頻率范圍
輸出規(guī)格
電源電壓
工作溫度范圍
綜合頻率
L
W
H
Min.
Max.
[VCC]
Min.
Max.
[×10-6]
NP3225SA差分晶振
3.2
2.5
0.9
100
175
LVPECL
+2.5 / +3.3
-40
+85
±50
-40
+105
NP3225SB差分晶振
3.2
2.5
0.9
100
175
LVDS
+2.5 / +3.3
-40
+85
±50
-40
+105
NP3225SC差分晶振
3.2
2.5
0.9
100
175
HCSL
+2.5 / +3.3
-40
+85
±50
-40
+105
(mm)
(MHz)
(V)
(°C)
允許偏差
在使用NDK晶振時應(yīng)注意以下事項：
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果LVPECL差分輸出振蕩器已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.NDK晶振,差分晶振,NP3225SA晶振,NP3225SB晶振,NP3225SC晶振
6：靜電
過高的靜電可能會損壞差分貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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- TXC晶振,有源晶振,DN晶振,LVDS差分輸出晶振
差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網(wǎng)絡(luò)路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備中.網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對高標(biāo)準(zhǔn)參考時鐘的需求尤其突出,要求做為系統(tǒng)性能重要參數(shù)的相位抖動具備低抖動特征.使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.差分石英晶振滿足市場需求,實現(xiàn)高頻高精度等要求,更加保障了各種系統(tǒng)參考時鐘的可靠性.
- NDK晶振,有源晶振,7311S-DF晶振,7311S-GF晶振,差分晶體振蕩器
差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點,差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz,特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”電源電壓做到2.5V-3.3V之間,工作溫度,以及儲存溫度非常寬,客戶實驗證明工作溫度可以到達(dá)低溫-50度高溫到100度,頻率穩(wěn)定度在±20PPM值,輸出電壓低抖動晶振能達(dá)到1V,起振時間為0秒,隨機(jī)抖動性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖動能從0.3ps Max-1ps Max.
- EPSON晶振,差分石英晶體振蕩器,SG3225HBN晶振
差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達(dá)到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.
晶振系列
日本進(jìn)口晶振
- 京瓷晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 村田晶振
- 大河晶振
- KDS Quartz crystal
- NDK Quartz crystal
- EPSON Quartz crystal
- 富士晶振
- NAKA晶振
- SMI晶振
- NJR晶振
臺產(chǎn)晶振
歐美晶振
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal晶振
- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal晶振
- IDTcrystal晶振
- PletronicsCrystal晶振
- StatekCrystal晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- ILSI晶振
- KVG晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- QuartzChnik晶振
- SUNTSU晶振
- Transko晶振
- WI2WI晶振
- 韓國三呢晶振
- ITTI晶振
- ACT晶振
- Milliren晶振
- Lihom晶振
- rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
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- PDI晶振
- C-TECH晶振
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- Fortiming晶振
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- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
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- Anderson晶振
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- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- 瑞薩renesas晶振
- Skyworks晶振
有源晶振
霧化片
貼片晶振
32.768K
- 32.768K有源晶振
- 8.0x3.8晶振
- 7.1x3.3晶振
- 7.0x1.5晶振
- 5.0x1.8晶振
- 4.1x1.5晶振
- 3.2x1.5晶振
- 2.0x1.2晶振
- 1.6x1.0晶振
- 1.2x1.0晶振
- 圓柱晶振
聲表面濾波器
石英晶振
KDS晶振
愛普生晶振
- EPSON 32.768K晶振
- EPSON無源晶振
- EPSON普通有源晶振
- EPSON壓控晶振
- EPSON溫補(bǔ)晶振
- EPSON壓控溫補(bǔ)晶振
- EPSON恒溫晶振
- EPSON差分晶振
- EPSON可編程晶振
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