日本大真空晶體,壓控溫補晶振,DSA322MB晶振,DSA322MA晶振
頻率:9.6M~40MHZ
尺寸:3.2x2.5mm
日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現(xiàn)新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO晶振)、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環(huán)境友好.
日本株式會社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內(nèi)外提供世界一流的質(zhì)量和滿意程度高.所生產(chǎn)石英晶體,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國、英國、德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家.以“依賴”為公司方針,以客戶為導向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營管理,努力創(chuàng)造利潤,履行企業(yè)社會責任.
日本株式會社大真空KDS晶振三種信賴行為守則:
可靠的人以獨立、自助、自足的努力作為基本的行動原則,我們將充分利用我們的優(yōu)勢,為社會整體和接近一切真誠和熱情.
可靠的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,,我們將幫助實現(xiàn)一個富裕的社會,通過優(yōu)化我們的能力,開發(fā)最好的產(chǎn)品和服務,并提供給我們所有的客戶在世界各地.
可靠的公司,我們努力履行我們的企業(yè)社會責任,通過持續(xù)的利潤,通過企業(yè)活動,遵守所有的法律法規(guī),尊重他們的精神,注重與全球環(huán)境的和諧.
1我們對公司的管理政策、管理原則和管理措施有正確的認識,并本著公司和全社會的利益,不關心個人的利益和成本.
2我們將從觀念到問題的解決,而不受制于陳規(guī)或慣例.
3我們會不時與有關人士進行討論,如有需要,以方便談判的調(diào)整,并將建立良好的關系,試圖解決任何問題的誠意.
4我們將通過理解對方的立場,繼續(xù)說服對方,以便處理石英晶振,貼片晶振,陶瓷霧化片,石英晶體諧振器,任何疑難問題.
5KDS晶振將始終有一個環(huán)境兼容性和執(zhí)行環(huán)境兼容的活動作為我們的主要主題之一.
6我們將在每一種情況下充滿信心地工作并有精神完成工作.
7我們將努力建立這樣的性格和個人磁性被接受和信任周圍的每一個人.
8我們要努力建立良好的人際關系,有時要勇于接受別人的脆弱.
9我們將遵守法律法規(guī)以及任何規(guī)則,包括KDS晶振各種規(guī)章制度和既定的社會規(guī)范,并確保信息的安全性認識到信息的重要性.
10我們將始終采取一個明智的行動作為社會成員.
日本大真空晶體,壓控溫補晶振,DSA322MB晶振,DSA322MA晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要.
石英晶振高精度晶片的拋光技術:KDS貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).
KDS晶振型號 |
DSA322MB晶振 | |
輸出頻率范圍 |
9.6M~40MHz |
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標準頻率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz |
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電源電壓范圍 |
+2.3V~+3.5V |
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電源電壓(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz) |
|
待機時電流 |
-獲取等多晶振參數(shù)信息請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
|
輸出負載 |
10kΩ//10pF |
|
頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85℃ |
|
電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
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負載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
|
長期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
|
頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
頻率控制極性 |
正極性 |
KDS晶振型號 |
DSA322MA晶振 | |
輸出頻率范圍 |
9.6~38.4MHz |
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標準頻率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz |
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電源電壓范圍 |
+2.8~+3.0V |
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電源電壓(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz) |
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待機時電流 |
-更多晶振參數(shù)信息請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn/ |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
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輸出負載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
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負載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
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長期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
頻率控制極性 |
正極性 |
DSA3225MB晶振尺寸圖
DSA322MA晶振尺寸圖
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在使用日本大真空晶體時應注意以下事項
以下是石英晶振電路設計匹配問題:
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規(guī)格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設置.日本大真空晶體,壓控溫補晶振,DSA322MB晶振,DSA322MA晶振
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是KDS晶振,KDS貼片晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值.
(3)振蕩期間測量R的值.
(4)你將能夠獲得負電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:
降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他KDS晶振具有較低負載電容(CL).
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設計.我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.
當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應用工程師尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.
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