進(jìn)口KDS晶振,1XXB16368MAA,溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDN,2520貼片晶振
頻率:16.368MHz
尺寸:2.5*2.0mm
進(jìn)口KDS晶振,1XXB16368MAA,溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDN,2520貼片晶振
日本進(jìn)口KDS大真空晶振,DSB221SDN系列,小體積2520貼片晶振,低電壓操作,低相位噪聲,單封裝結(jié)構(gòu)。應(yīng)用于手機(jī),GPS/GNSS 和工業(yè)無(wú)線(xiàn)電通信等。1XXB16368MAA為進(jìn)口KDS晶振,屬于是溫補(bǔ)晶體振蕩器。溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝。
進(jìn)口KDS晶振,1XXB16368MAA,溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDN,2520貼片晶振
類(lèi)型 | DSB221SDN (TCXO) |
頻率范圍 | 9.6 至 52MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 | 16.3676MHz / 16.367667MHz / 16.368MHz / 16.369MHz / 16.8MHz / 26MHz / 33.6MHz |
電源電壓范圍 | +1.68 to +3.5V |
電源電壓 (VCC) | +1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V |
電流消耗 |
+1.5mA max. (f≦26MHz) / +2.0mA max. (26 |
輸出電平 | 0.8Vp-p min. (f≦52MHz) (Clipped Sinewave/DC-coupled) |
輸出負(fù)載 | 10kΩ//10pF |
頻率穩(wěn)定性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -30 至 +85°C
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -40 至 +85°C |
啟動(dòng)時(shí)間 | 最大 2.0ms |
包裝單位 | 3000 個(gè)/卷 (Φ180) |
進(jìn)口KDS晶振,1XXB16368MAA,溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDN,2520貼片晶振
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注意事項(xiàng):
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致32.768KHZ晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致32.768KHZ時(shí)鐘晶振非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC或GND.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線(xiàn)路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
進(jìn)口晶振的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)源晶振無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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晶振系列
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- 4.1x1.5晶振
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