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MuRata晶振,貼片晶振,HCR2016晶振,XRCPB25M000F0Z00R0晶振

頻率：24M~48MHZ

尺寸：2.0x1.6mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

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村田晶振發(fā)展史：

1973年10月 在中國香港成立銷售公司—村田有限公司

1978年11月 收購臺灣的生產(chǎn)銷售公司—美國企業(yè)的當(dāng)?shù)胤ㄈ恕窶allory現(xiàn)在的(臺灣村田股份有限公司)]

1994年7月   在中國北京成立制造公司—北京村田電子有限公司,主要生產(chǎn)銷售,貼片陶瓷晶振,陶瓷晶體,陶瓷諧振器等

1994年12月 在中國江蘇省無錫市成立生產(chǎn),銷售公司—無錫村田電子有限公司

1995年5月   在中國上海成立銷售公司—村田電子貿(mào)易(上海)有限公司

1999年7月   在中國深圳成立銷售公司—村田電子貿(mào)易(深圳)有限公司

1999年8月   在中國天津成立銷售公司—村田電子貿(mào)易(天津)有限公司,主要生產(chǎn)銷售陶瓷晶振,村田陶瓷諧振器,村田晶振等

2001年7月   在中國香港成立制造,銷售公司—香港村田電子有限公司

2005年6月   在中國廣東省深圳市成立制造公司—深圳科技有限公司

2005年12月 在中國上海成立中華地區(qū)銷售統(tǒng)括公司—村田(中國)投資有限公司

2006年4月    Murata Electronics North America Inc.收購SyChip (在中國有SyChip的上海分公司)

2006年10月 在四川大學(xué)、浙江大學(xué)、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、武漢大學(xué)開始實施助學(xué)金制度

2007年3月   在村田(中國)投資有限公司增資及設(shè)立了內(nèi)部研發(fā)中心

2007年4月   成立了村田(中國)投資有限公司浦東分公司與上海SyChip,共同進(jìn)行研發(fā)工作

2009年5月   在上海村田(中國)投資有限公司新辦公大樓竣工

環(huán)保理念：

從設(shè)計階段開始減少環(huán)保負(fù)荷的體制建設(shè),村田晶振集團(tuán)由環(huán)保主管董事?lián)握麄€集團(tuán)的環(huán)保活動的總負(fù)責(zé)人,由環(huán)保部跨事業(yè)所支持和促進(jìn)環(huán)?；顒?此外,社長的咨詢機構(gòu)—環(huán)保委員會,還針對各據(jù)點的活動情況和全公司的環(huán)保課題進(jìn)行議論和探討.此外,為大力推進(jìn)二氧化碳減排活動,設(shè)立了“防止全球變暖委員會”,加快設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)過程中CO2減排活動的步伐.

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MuRata晶振,貼片晶振,HCR2016晶振,XRCPB25M000F0Z00R0晶振,超小型表貼式貼片晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體CRYSTAL在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.

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產(chǎn)品類別 水晶單位
系列 XRCPB
類型 HCR2016晶振
頻率 24~48MHz
頻率容差 最多+/- 100ppm （25 +/- 3℃）
工作溫度范圍 -40℃至105℃
溫度變化 最多+/- 100ppm
頻率老化 +/- 5ppm最大/年
等效串聯(lián)電阻（ESR） 最大150ohm
驅(qū)動電平（DL） 150μW（最大300μW）
負(fù)載電容（Cs） 為6.0pF
形狀 SMD
洗 無法使用
長x寬（大小） 2.0x1.6mm
村田HCR2016晶振25MHZ系列編碼

村田晶振編碼 型號 頻率 頻率公差 其他用途
XRCGB25M000F0L00R0晶振 HCR2016 25.0000MHz ±100ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCGB25M000F0Z00R0 HCR2016 25.0000MHz ±100ppm max. (25±3℃) 工業(yè)級
XRCGB25M000F1H00R0 HCR2016 25.0000MHz ±10ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCGB25M000F1H01R0 HCR2016 25.0000MHz ±10ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCGB25M000F1H02R0 HCR2016 25.0000MHz ±10ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCGB25M000F1H03R0 HCR2016 25.0000MHz ±10ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCGB25M000F2P00R0晶振 HCR2016 25.0000MHz ±20ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCGB25M000F2P01R0 HCR2016 25.0000MHz ±20ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCGB25M000F2P02R0 HCR2016 25.0000MHz ±20ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCGB25M000F3M00R0晶振 HCR2016 25.0000MHz ±30ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCGB25M000F3M01R0 HCR2016 25.0000MHz ±30ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCGB25M000F3M02R0 HCR2016 25.0000MHz ±30ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCGB25M000F3M04R0 HCR2016 25.0000MHz ±30ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCGB25M000F3M18R0晶振 HCR2016 25.0000MHz ±30ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCGB25M000F3N00R0 HCR2016 25.0000MHz ±30ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCGB25M000FAN00R0 HCR2016 25.0000MHz ±25ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCGB25M000FAN12R0 HCR2016 25.0000MHz ±25ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCPB25M000F0L00R0 HCR2016 25.0000MHz ±100ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCPB25M000F0Z00R0 HCR2016 25.0000MHz ±100ppm max. (25±3℃) 工業(yè)級
XRCPB25M000F2P00R0 HCR2016 25.0000MHz ±20ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCPB25M000F3M00R0晶振 HCR2016 25.0000MHz ±30ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCPB25M000F3N00R0 HCR2016 25.0000MHz ±30ppm max. (25±3℃) 消費級
XRCPB25M000FAN00R0 HCR2016 25.0000MHz ±25ppm max. (25±3℃) 消費級

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XRCPB25M000F0L00R0 2.0-1.6

系列 村田晶振型號 尺寸 (mm)* 頻率 備考
XRCTD
XRCED
MCR1210 1.2×1.0×0.30
1.2×1.0×0.33 		32～52MHz
 金屬封裝
小型無線通信設(shè)備
小型民生機器
XRCFD
XRCMD
MCR1612 1.6×1.2×0.35
1.6×1.2×0.33
 24～29.99MHz
30～48MHz
XRCGB
HCR2016 2.0×1.6×0.7
 16～50MHz
 樹脂封裝
無線通信設(shè)備
民生機器
XRCPB
HCR2016 2.0×1.6×0.5
 24～48MHz
XRCHA
HCR2520 2.5×2.0×0.8
 16～20MHz

yijin-4在使用村田晶振時應(yīng)注意以下事項:

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.

3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.

4：粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致村田晶振,石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.MuRata晶振,貼片晶振,HCR2016晶振,XRCPB25M000F0Z00R0晶振

6：靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.

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