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京瓷晶振,石英晶振,CT2016DB晶振,CX2016DB晶振,CT2016DB38400C0FLHA2晶振

頻率：19.2M~60MHZ

尺寸：2.0X1.6mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型?薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

訂購熱線：0755-27876565

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京瓷株式會社晶振集團主要生產(chǎn)銷售石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等器件,他的第一個字母“K”環(huán)起了陶瓷這一英文的第一個字母“C”,它由象征追求更廣闊的領(lǐng)域,展翅面向未來的企業(yè)商標和企業(yè)標識構(gòu)成.1982年10月,公司由“京都陶瓷株式會社”變更為“京瓷株式會社”之際,便開始啟用這一標識.作為象征性標記的顏色,選擇了富有熱情和挑戰(zhàn)意味的紅色 .

“The New Value Frontier”(即在最尖端領(lǐng)域不斷創(chuàng)造新價值)是京瓷向社會發(fā)出的能夠表現(xiàn)公司強烈意愿的宣言.京瓷將發(fā)揮集團的綜合實力,用獨有的技術(shù)和視角開辟和構(gòu)筑時代與市場所求的價值形態(tài).

京瓷株式會社晶振為了人類和社會的進步與發(fā)展以獨創(chuàng)性和高品質(zhì),不斷創(chuàng)造新價值.為此追求事物的本質(zhì),力求提高品質(zhì)以自身的技術(shù)、視角,開拓適應(yīng)時代和市場需求的價值.同時在開展各項事業(yè)時,以“創(chuàng)造超出顧客期望值的價值”為信念,承諾“帶來感動和歡喜的表現(xiàn)（技術(shù)、品質(zhì)和適應(yīng)能力）”

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京瓷晶振,石英晶振,CT2016DB晶振,CX2016DB晶振,CT2016DB38400C0FLHA2晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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京瓷晶振規(guī)格	單位	CT2016DB晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	19.2MHZ~60MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +105°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出標準說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

京瓷晶振規(guī)格	單位	CX2016DB晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	16MHZ~60MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C,-40℃~125℃	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ～ +70°C,-40℃~125℃	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出標準說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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CT2016DB晶振尺寸圖：

石英晶振CX2016DB尺寸圖：

CX2016DB_2.0_1.6

yijin-4 在使用京瓷晶振時應(yīng)注意以下事項:

所有產(chǎn)品的共同點

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.京瓷晶振,石英晶振,CT2016DB晶振,CX2016DB晶振,CT2016DB38400C0FLHA2晶振

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.

3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.

4：粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

6：靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.

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深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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CT2016DB晶振 2.0x1.6mm石英晶體京瓷晶振 CT2016DB38400C0FLHA2晶振

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: KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSG211STA晶振; 貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

: 愛普生晶振,壓控溫補晶振,TG-5035CJ晶振,TG-5035CJ-12N 26.0000M3; 貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.