西鐵城晶振,貼片晶振,CSX-750P晶振
頻率:1.0MHZ~125.0MHZ
尺寸:7.0x5.0x1.6mm
有源晶體振蕩器,5070mm有源晶振,小體積7050貼片晶振,外觀小型,表面貼片型晶體振蕩器,因本身體積小等優(yōu)勢,適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型 (2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.) 具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
日本西鐵城株式會社品牌【CITIZEN晶振】,該品牌創(chuàng)立時間在1918年,早期主要研發(fā)與生產(chǎn)時計產(chǎn)品,在1959年西鐵城成功研發(fā)出防水,防振的手表,從此轟動世界成為了個性時尚品牌.在1975年西鐵城會社成立了西鐵城株式會社水晶事業(yè)部,從此研發(fā)音叉型壓電石英水晶振動子.
西鐵城石英晶振為工業(yè)市場提供高性能和精密設(shè)備,不斷開發(fā)新技術(shù)和新技術(shù)在我們的制造業(yè)和工程.我們有一個良好的信譽(yù)在市場上特別是對我們的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等高精密零件使用我們自己的核心技術(shù)和脆性材料和微顯示高清圖片是必需的.是盡一切努力來改善我們的技術(shù)和發(fā)展提供有價值的服務(wù)我們的客戶,即使這是一個利基市場.
西鐵城奉行的管理政策是“標(biāo)題作為紀(jì)念公司保持活著在這個時代”.日本制造業(yè)可持續(xù)發(fā)展的業(yè)務(wù)形式將在這樣一個追求快速多變的經(jīng)濟(jì),而重視個人、社會和環(huán)境問題.西鐵城試圖滿足你的期望在電子設(shè)備領(lǐng)域的龍頭企業(yè).
西鐵城石英晶振集團(tuán)創(chuàng)立于1959年7月28日,當(dāng)時注冊資金高達(dá)17億多,所做產(chǎn)品涉及領(lǐng)域較廣,自動車部品,水晶振動子,水晶振蕩器,石英晶體振蕩器及水晶片,映像用電子機(jī)器,液晶顯示器,光通信用部品,工業(yè)機(jī)械裝置,精密計測機(jī)械,小型精密金屬加工部件等.
西鐵城晶振發(fā)展史:
1959年手表的組裝工廠生產(chǎn)和御代田精密株式會社設(shè)立
1960年手表的零部件制造廠和河口湖精密株式會社設(shè)立(后的西鐵城西洋網(wǎng)股份有限公司)
1963年軸承石的生產(chǎn)的目的,シメオ精密株式會社(后的西鐵城精密科技股份有限公司)成立
1964年計量器類(刻度規(guī))的生產(chǎn)開始
1973年西鐵城使用晶振鐘表用步進(jìn)馬達(dá)磁鐵的生產(chǎn)開始
1974年フジミ株式會社設(shè)立
1975年鐘表用音叉型水晶振動子片,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體開始生產(chǎn)
1976年水晶振動子,晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器的生產(chǎn)開始
1978年通過陶瓷材料的手表用軸承石的生產(chǎn)開始
1982年高頻率有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,水晶振動子片的生產(chǎn)開始
西鐵城晶振,貼片晶振,CSX-7050P晶振,7050mm體積的溫補(bǔ)晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對應(yīng)IC可能) 高度:最高0.8 mm,體積:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對應(yīng)回流焊)無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.
石英晶振的研磨技術(shù):通過對晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨,使石英晶振的晶片達(dá)到(厚度/頻率)的一定范圍.石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為:在壓電晶體行業(yè),億金電子生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示技術(shù)水平的一個方面,我司通過理論與實(shí)際相結(jié)合,累積多年的晶振研磨經(jīng)驗,通過深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù),注重貼片晶振研磨過程的各種細(xì)節(jié),注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇;注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重石英晶振研磨用工裝如:游輪的設(shè)計及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄,貼片晶振晶片的頻率越來越高,為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅實(shí)基礎(chǔ),提升了晶振廠家億金電子的競爭力,使晶振廠家在高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國內(nèi)其它公司.
西鐵城晶振項目 |
符號 |
CSX-7050P晶振規(guī)格 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
1.0MHZ~125.0MHZ |
請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
更多詳情歡迎咨詢:http://www.gshqh.cn/ |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
以下西鐵城晶振使用注意事項
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶體諧振器制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.) 西鐵城晶振,貼片晶振,CSX-7050P晶振,
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,進(jìn)口晶振請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
晶振系列
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