FMXW26T晶振,FMI石英晶體,圓柱晶振,美國進(jìn)口晶振,32.768K晶振,時(shí)鐘晶振
頻率:32.768KHz
尺寸:2.0 x 6.0 mm
FMXW26T晶振,FMI石英晶體,圓柱晶振,美國進(jìn)口晶振,32.768K晶振,時(shí)鐘晶振
FMI石英晶體中的FMXW26T晶振的頻率是32.768K,所以該晶振也叫32.768K晶振,其標(biāo)準(zhǔn)頻率容差為20PPM,是美國進(jìn)口晶振。該晶振的標(biāo)準(zhǔn)工作溫度范圍是-10~60度,負(fù)載電容為7.5pF或者12.5pF,尺寸為2.0 x 6.0 mm,是圓柱晶振,時(shí)鐘晶振。2*6mm 尺寸的圓柱晶振是市場上需求量非常大的兩種插件晶振,大部分的進(jìn)口的晶振廠 家都是依靠這些圓柱插件形的音叉晶體發(fā)家致富,并成為聞名全世界的品牌, 2.0x6.0 晶振的用途廣泛,體積小,起振快,成本低,因?yàn)檫@些優(yōu)勢很快便占據(jù)市場的大半份額,每 年用掉的數(shù)量達(dá) 10 億顆以上。
FMXW26T晶振,FMI石英晶體,圓柱晶振,美國進(jìn)口晶振,32.768K晶振,時(shí)鐘晶振
FMI石英晶體中的FMXW26T晶振的頻率是32.768K,所以該晶振也叫32.768K晶振,其標(biāo)準(zhǔn)頻率容差為20PPM,是美國進(jìn)口晶振。該晶振的標(biāo)準(zhǔn)工作溫度范圍是-10~60度,負(fù)載電容為7.5pF或者12.5pF,尺寸為2.0 x 6.0 mm,是圓柱晶振,時(shí)鐘晶振。2*6mm 尺寸的圓柱晶振是市場上需求量非常大的兩種插件晶振,大部分的進(jìn)口的晶振廠 家都是依靠這些圓柱插件形的音叉晶體發(fā)家致富,并成為聞名全世界的品牌, 2.0x6.0 晶振的用途廣泛,體積小,起振快,成本低,因?yàn)檫@些優(yōu)勢很快便占據(jù)市場的大半份額,每 年用掉的數(shù)量達(dá) 10 億顆以上。小型的 32.768K 貼片晶振本身體積小型,重 量輕等特點(diǎn),可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性.主要給芯片提供一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào),適用于時(shí)鐘產(chǎn)品等領(lǐng)域。
FMXW26T晶振,FMI石英晶體,圓柱晶振,美國進(jìn)口晶振,32.768K晶振,時(shí)鐘晶振
Parameter | Specifications | |||||||||||||||||||
Frequency | 32.768 kHz | |||||||||||||||||||
Frequency Tolerance | ±20 ppm @ 25°C Std. | |||||||||||||||||||
Frequency Stability Over Temp. | -0.034 ± 0.006 ppm / (25-T)°C≈ Max. Parabolic | |||||||||||||||||||
Turn Over Temperature | +25 ± 5°C Std. | |||||||||||||||||||
Operating Temperature | -10 to +60°C Std. | |||||||||||||||||||
Storage Temperature | -40 to +85°C | |||||||||||||||||||
Load Capacitance (CL) | 7.5 pF and 12.5 pF | |||||||||||||||||||
Equivalent Series Resistance (ESR) | 50k Ohms max. | |||||||||||||||||||
Shunt Capacitance (C0) | 0.85pF typ., 2pF max. | |||||||||||||||||||
Drive Level | 1 uW typical, 1 mW max. | |||||||||||||||||||
Aging @ 25°C | ±3 ppm per year max. |
FMXW26T晶振,FMI石英晶體,圓柱晶振,美國進(jìn)口晶振,32.768K晶振,時(shí)鐘晶振
FMXW26T晶振,FMI石英晶體,圓柱晶振,美國進(jìn)口晶振,32.768K晶振,時(shí)鐘晶振
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。
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