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美國FMI貼片晶振,VC-TCXO晶振,FMVTCXS2系列,3225進(jìn)口晶振,石英振蕩器

頻率：10~52MHz

尺寸：3.2x2.5mm

美國FMI貼片晶振,VC-TCXO晶振,FMVTCXS2系列,3225進(jìn)口晶振,石英振蕩器

美國FMI貼片晶振中的FMVTCXS2系列頻率范圍是10~52MHz，頻率公差為±2.0 ppm，該晶振的電源電壓為1.8V/2.5V/3.3V，尺寸是3.2x2.5mm，為3225進(jìn)口晶振，體積小型，屬于VC-TCXO晶振，具有低功耗，低耗能，低電壓，低抖動，低差損，低電平，低損耗，低電源電壓等特點。該晶振適用于智能手機(jī)晶振，無線基站，精密儀器，GPS衛(wèi)星，汽車應(yīng)用等。美國FMI制造高質(zhì)量的電壓控制溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(VC-TCXO)產(chǎn)品包括HCMOS、TTL和正弦波振蕩器設(shè)計，他們產(chǎn)品在無線通信等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用便攜式電話、甚高頻/超高頻收音機(jī)、有線電視、GPS儀器、鎖相環(huán)電路、自動頻率控制電路和射頻(RF)模塊。

訂購熱線：0755-27876565

美國FMI貼片晶振,VC-TCXO晶振,FMVTCXS2系列,3225進(jìn)口晶振,石英振蕩器

美國FMI貼片晶振中的FMVTCXS2系列頻率范圍是10~52MHz，頻率公差為±2.0 ppm，該晶振的電源電壓為1.8V/2.5V/3.3V，尺寸是3.2x2.5mm，為3225進(jìn)口晶振，體積小型，屬于VC-TCXO晶振，具有低功耗，低耗能，低電壓，低抖動，低差損，低電平，低損耗，低電源電壓等特點。該晶振適用于智能手機(jī)晶振，無線基站，精密儀器，GPS衛(wèi)星，汽車應(yīng)用等。美國FMI晶振制造高質(zhì)量的電壓控制溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(VC-TCXO)產(chǎn)品包括HCMOS、TTL和正弦波振蕩器設(shè)計，他們產(chǎn)品在無線通信等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用便攜式電話、甚高頻/超高頻收音機(jī)、有線電視、GPS儀器、鎖相環(huán)電路、自動頻率控制電路和射頻(RF)模塊。

美國FMI貼片晶振,VC-TCXO晶振,FMVTCXS2系列,3225進(jìn)口晶振,石英振蕩器

Parameter

Clipped Sinewave Specification

Frequency Range

10 - 52.0 MHz

Frequency Accuracy at +25ºC

±2.0 ppm

Frequency Stability vs. Temp

See Table Below

Frequency Stability vs. Input V. (±5% change)

±0.2 ppm max

Frequency Stability vs. Load (±10% change)

±0.2 ppm max

Frequency Stability vs. Aging (first year)

±1.0 ppm max

Control Voltage Range at 3.0 Volts

at 2.5 Volts

at 1.8 Volts

0.5 minto 2.5V max

0.4 minto 2.4V max

0.3 minto 1.5V max

Pulling Range

±5 ppm

VC Impedance

500KΩ

Storage Temperature

-55 to +125°C

Supply Voltage (Vdd)

+3.0V ±5%, +2.5V ±5%, +1.8V ±5%

Supply Current (Icc) 10 MHz to 26 MHz

26 MHz to 52 MHz

2.0 mA max

2.5 mA max

Symmetry (Duty Cycle)

40/60% Std.

Output Level Clipped Sine Wave

0.8 Vp-p

Output Load

10KΩ//10pF

Rise and Fall Time

10 ns max. (5ns typical)

Start-up Time

2 mSec

Phase Noise (typical) 100 Hz

1kHz

10kHz

-115 dBc/Hz

-135 dBc/Hz

-148 dBc/Hz

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1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。

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美國FMI貼片晶振 VC-TCXO晶振 FMVTCXS2系列 3225進(jìn)口晶振石英振蕩器

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