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FMI有源晶振,7050振蕩器,FMVC3S系列,VCXO晶振,美國(guó)進(jìn)口晶振,SMD壓控振蕩器

頻率：1.54~200MHz

尺寸：7.00mm x 5.00mm

FMI有源晶振,7050振蕩器,FMVC3S系列,VCXO晶振,美國(guó)進(jìn)口晶振,SMD壓控振蕩器

FMVC3S系列晶振，為FMI有源晶振，是美國(guó)進(jìn)口晶振。該晶振的頻率范圍是1.54~200MHz，標(biāo)準(zhǔn)頻率容差是±50 ppm，具有良好的穩(wěn)定性，標(biāo)準(zhǔn)工作溫度范圍是0~70度，電源電壓為3.3V，是VCXO晶振，HCMOS / TTL兼容，儲(chǔ)存溫度是-55~125度，尺寸為7.0 x 5.0mm，是7050振蕩器，SMD壓控振蕩器。壓控晶振的頻率溫度穩(wěn)定性由石英諧振器和振蕩電路兩方面的溫度特性引起，通常以石英諧振器的溫度特性為主。對(duì)于高頻寬壓控晶振，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)晶振的溫頻特性相對(duì)于石英諧振器的溫頻特性出現(xiàn)明顯偏移和惡化的情況。如果將該晶振用于應(yīng)答機(jī)中，將會(huì)減小應(yīng)答機(jī)在寬溫下的信號(hào)搜索范圍，降低使用性能。

訂購(gòu)熱線：0755-27876565

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FMVC3S系列晶振，為FMI晶振，是美國(guó)進(jìn)口有源晶振。該晶振的頻率范圍是1.54~200MHz，標(biāo)準(zhǔn)頻率容差是±50 ppm，標(biāo)準(zhǔn)工作溫度范圍是0~70度，電源電壓為3.3V，是VCXO晶振，HCMOS / TTL兼容，儲(chǔ)存溫度是-55~125度，尺寸為7.0 x 5.0mm，是7050振蕩器，SMD壓控振蕩器，具有良好的穩(wěn)定性。壓控晶振的頻率溫度穩(wěn)定性由石英諧振器和振蕩電路兩方面的溫度特性引起，通常以石英諧振器的溫度特性為主。對(duì)于高頻寬壓控晶振，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)晶振的溫頻特性相對(duì)于石英諧振器的溫頻特性出現(xiàn)明顯偏移和惡化的情況。如果將該晶振用于應(yīng)答機(jī)中，將會(huì)減小應(yīng)答機(jī)在寬溫下的信號(hào)搜索范圍，降低使用性能。

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Parameter

Specification

Frequency Range

1.54 MHz - 200 MHz

Overall Frequency Tolerance

±20 ppm to ±100 ppm (±50 ppm STD)

(Inclusive of Operating Temp., Supply Voltage, & Load.)

Operating Temperature Range

0 to +70°C Std.

Storage Temperature

-55 to +125°C

Supply Voltage (Vdd)

+3.3 Vdc (±0.3 Vdc)

Supply Current (Icc)

30 mA max. @ 1.54 to 23.9 MHz

50 mA max. @ 24.0 to 60.0 MHz

75 mA max. @ 61.0 to 160.0 MHz

90 mA max. @ 161.0 to 200.0 MHz

Symmetry (Duty Cycle)

40/60% Std., 45/55% Available (See Spec. Option S).

Output “0” Level (VOL)

0.3 Vdc max. @ +3.3 Vdc

Output “1” Level (VOH)

3.0 Vdc min. @ +3.3 Vdc

Rise and Fall Time

10 ns max. < 5 ns typical

Linearity

±20% max. Std. , ±10% Available (See Spec. Option L)

Output Load

10 TTL / 15 pF HCMOS < 40.0 MHz

15 pF HCMOS

Pullability

±50 to ±100 ppm typical @ 3.3 Vdd

(Select a min. and max. pullability from part number.)

Jitter

1 picosecond RMS Max

Phase Noise (typical)

10 Hz

100 Hz

1kHz

10kHz

100kHz

-75dBc/Hz

-110dBc/Hz

-125dBc/Hz

-130dBc/Hz

-140dBc/Hz

Control Voltage (Vc)

Nominal 1.65 Vdc, Range 0.0-3.3 Vdc, Positive Transfer

Aging @ 25°C

±3 ppm max first year

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1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
6、靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

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