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IDT晶振,有源晶振,XU-XL晶振

頻率：16KHZ~1500MHZ

尺寸：5.0x3.2mm

差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達(dá)到的,差分晶振具有低電平,低抖動(dòng),低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點(diǎn).

訂購熱線：0755-27876565

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IDT晶振集團(tuán) 提供石英晶體振蕩器 (XO) 和 FemtoClock® NG 可編程振蕩器,能滿足幾乎任何應(yīng)用的需求. XL 和 XU 晶體振蕩器產(chǎn)品系列是高性能、低抖動(dòng)時(shí)鐘源,具有低至 300 fs 的典型 RMS 相位抖動(dòng),并可提供多種頻率、性能級(jí)別、輸出類型、穩(wěn)定性、輸入電壓、封裝、引腳配置和溫度等級(jí). 對于尋求在標(biāo)準(zhǔn)振蕩器封裝中提供高性能和無可比擬的靈活性的時(shí)鐘源的高級(jí)系統(tǒng)設(shè)計(jì)者而言,FemtoClock NG 器件是他們的理想選擇.

IDT晶振集團(tuán)在RF、高性能定時(shí)、存儲(chǔ)接口、實(shí)時(shí)互聯(lián)、光互聯(lián)、無線電源及智能傳感器方面的市場導(dǎo)向型產(chǎn)品,是該公司一系列廣泛的通信、計(jì)算、消費(fèi)、汽車和工業(yè)領(lǐng)域混合信號(hào)完整解決方案的一部分.IDT的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售場所和經(jīng)銷合作伙伴遍及全世界,主要生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,（PXO）普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體等元器件.

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IDT晶振,有源晶振,XU-XL晶振,差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網(wǎng)絡(luò)路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備中.網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對高標(biāo)準(zhǔn)參考時(shí)鐘的需求尤其突出,要求做為系統(tǒng)性能重要參數(shù)的相位抖動(dòng)具備低抖動(dòng)特征.使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.差分石英晶體振蕩器滿足市場需求,實(shí)現(xiàn)高頻高精度等要求,更加保障了各種系統(tǒng)參考時(shí)鐘的可靠性.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）.使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

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IDT晶振型號(hào)	符號(hào)	XU-XL晶振(5032,7050)
輸出規(guī)格	-	LVDS, LVPECL, HCSL,HCMOS
輸出頻率范圍	fo	16KHZ~1500MHz
電源電壓	VCC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10-6 max., ±100×10-6 max.
保存溫度范圍	T_stg	-40～+85℃
運(yùn)行溫度范圍	T_use	-10～+70℃ ,-40～+85℃
消耗電流	ICC	30mA max. (fo≦170MHz),
待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負(fù)載	Load-R	50Ω
波形對稱	SYM	45～55% [at outputs cross point]
0電平電壓	VOL	-0.15～0.15V
1電平電壓	VOH	0.58～0.85V
上升時(shí)間下降時(shí)間	tr, tf	0.5ns max. [0.175?0.525V Level]
差分輸出電壓	⊿VOD1, VOD2	-更多相關(guān)信息資料請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn
差分輸出誤差	⊿VOD	-
補(bǔ)償電壓	VOS	-
補(bǔ)償電壓誤差	⊿VOS	-
交叉點(diǎn)電壓	Vcr	250?550mV
OE端子0電平輸入電壓	VIL	VCC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	VIH	VCC×0.7 min.
輸出禁用時(shí)間	tPLZ	200ns
輸出使能時(shí)間	tPZL	2ms
周期抖動(dòng)（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動(dòng)（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動(dòng)（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)]
相位抖動(dòng)	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

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XUN 5032 HCSL

yijin-4 在使用IDT晶振時(shí)應(yīng)該注意以下事項(xiàng)：

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射.

3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.IDT晶振,有源晶振,XU-XL晶振

4：粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.

6：靜電

過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.

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深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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XU-XL晶振 LVDS輸出差分晶振 SMD石英晶體振蕩器

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: JAUCH晶振,3225mm,O 127.0-JOE32-B-3.3-T1-LF,6G高品質(zhì)晶振; JAUCH晶振,3225mm,O 127.0-JOE32-B-3.3-T1-LF,6G高品質(zhì)晶振,JAUCH晶振,JOE32進(jìn)口晶振,有源晶振,O 127.0-JOE32-B-3.3-T1-LF晶振,PECL輸出晶振,差分晶體振蕩器,3225貼片晶振,頻率127MHz,電壓3.3V,頻率穩(wěn)定性50ppm,工作溫度-40~85°C,6G高品質(zhì)晶振,低相位噪聲晶振,無鉛環(huán)保晶振,消費(fèi)電子產(chǎn)品晶振,個(gè)人電腦外圍設(shè)備晶振,移動(dòng)通信晶振.