微管晶振,貼片晶振,VXE4晶振
頻率:8M~100MHZ
尺寸:6.0x3.5mm
Vectron國際晶振集團(tuán)是世界領(lǐng)先的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器頻率控制、傳感器和混合產(chǎn)品解決方案的設(shè)計、制造和營銷的領(lǐng)導(dǎo)者,采用了從直流到微波頻段的各種最新技術(shù),包括大體積聲波(BAW)和聲表面濾波器.產(chǎn)品包括壓電石英晶體元器件、石英貼片晶振,有源晶體、壓電陶瓷諧振器、和晶體振蕩器;頻率翻譯器;時鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)產(chǎn)品;見濾器;晶體濾波器和用于電信、數(shù)據(jù)通信、頻率合成器、定時、導(dǎo)航、軍事、航空和儀表系統(tǒng)的組件.
Vectron國際晶振集團(tuán)是一家產(chǎn)品制造商和解決方案的國際企業(yè),以其獨特的技術(shù)領(lǐng)先.Vectron晶振核心競爭力結(jié)合了經(jīng)典的水晶,看到技術(shù)和復(fù)雜的集成電路和先進(jìn)的包裝.除了這些極具創(chuàng)新性的能力外,Vectron力求做到極具靈活性,專注于服務(wù),迅速作出反應(yīng),專業(yè)地幫助客戶創(chuàng)新、改進(jìn)和發(fā)展業(yè)務(wù).
Vectron晶振公司總部設(shè)在哈德遜,在北美、歐洲和亞洲設(shè)有操作設(shè)施和銷售辦事處,在水晶振蕩器和濾鏡設(shè)計方面都以其技術(shù)能力而聞名.公司提供的創(chuàng)新和能力反映了高頻率、低成本設(shè)計和小型化的趨勢,以及更先進(jìn)的綜合解決方案.其中一些關(guān)鍵技術(shù)包括:ASIC設(shè)計、表面安裝技術(shù)、陶瓷封裝、混合制造到類“S”、“高頻基礎(chǔ)”(HFF)晶體設(shè)計和空間組件能力.
微管晶振,貼片晶振,VXE4晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
Vectron晶振規(guī)格 |
單位 |
VXE4晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8MHZ~100MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用Vectron晶振時應(yīng)注意以下事項
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.微管晶振,貼片晶振,VXE4晶振
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,石英晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.
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