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熱門關(guān)鍵詞 : SMD晶振溫補(bǔ)晶振KDS晶振霧化片精工晶振有源晶振TXC晶振CTS晶振京瓷晶振微晶晶振村田晶振

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Pletronics晶振,差分晶振,LV91晶振,LV97晶振

頻率:10.9Mx670MZH

尺寸:9.7X14.0mm

差分晶振的精度值(PPM)可精確到±10PM,普通晶振達(dá)不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時(shí)間超快為0秒,隨機(jī)抖動(dòng)性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是較為常見的,相位抖動(dòng)能從0.3ps Max-1ps Max.差分晶振使用于網(wǎng)絡(luò)路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備中.

訂購(gòu)熱線:0755-27876565
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PLE-1

1979,在美國(guó)華盛頓州成立了Pletronics公司,主營(yíng)石英晶振,貼片晶振有源晶振,壓控振蕩器,PXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器等.

1981Pletronics晶振公司在韓國(guó)建立了一家獨(dú)資工廠

1997年通過BSI實(shí)現(xiàn)了ISO 9001:1994,符合歐盟環(huán)保要求.

2000年賣掉了韓國(guó)工廠.轉(zhuǎn)移到合同制造(鑄造廠)

2001年在華盛頓制造的PECLLVDS振蕩器,使用FR4 PCB上的離散組件

2002年通過BSI實(shí)現(xiàn)了ISO 9001:2000,符合歐盟環(huán)保要求,開發(fā)出高頻基本晶體

2003Pletronics晶振公司在韓國(guó)和中國(guó)合資經(jīng)營(yíng)

2004年在5x7陶瓷中引入了較低成本的高頻率PECLLVDS振蕩器,具有低抖動(dòng),低電源電壓,低功耗等特點(diǎn).

2005年第一個(gè)合成的PECLLVDS振蕩器106.25MHz212.5MHz,高頻率石英晶體振蕩器具有高穩(wěn)定性能,低功耗低抖動(dòng)等特點(diǎn).適用于高端精密設(shè)備中,比如高速光纖網(wǎng)絡(luò),北斗衛(wèi)星等.

2006年介紹了我們的LVDS系列石英晶體振蕩器,貼片晶振,有源晶振.

2007年合成振蕩器的合資企業(yè)建立

2008年為新興技術(shù)發(fā)布了重要的新產(chǎn)品,如超精密有源晶振,低損耗晶體振蕩器等.

2009年發(fā)展過程和精密TCXO溫補(bǔ)晶振,溫補(bǔ)晶體振蕩器的初步試生產(chǎn)

2010年引入OeXo®系列OCXO恒溫晶體振蕩器替代技術(shù)

2011年開發(fā)了LC振蕩器技術(shù),投入到各種高端智能設(shè)備,GPS衛(wèi)星導(dǎo)航,無(wú)線電基站北斗衛(wèi)星導(dǎo)航等領(lǐng)域應(yīng)用.

2013年引入GypSync®TCXO模塊

2014年引進(jìn)100fs超低抖動(dòng)的PECL / LVDS / HCSL J系列晶體振蕩器北斗導(dǎo)航溫補(bǔ)晶振,北斗GPS模塊晶體振蕩器

2015年推出了OeM8增強(qiáng)TCVCXO壓控溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶振.

2016年引進(jìn)了50fS超低抖動(dòng)的PECL / LVDS K系列振蕩器,石英晶體振蕩器,貼片晶振, (TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器壓控晶體振蕩器(VCXO.

yijin-1

Pletronics晶振,差分晶振,LV91晶振,LV97晶振,差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達(dá)到的,差分晶振具有低電平,低抖動(dòng),低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點(diǎn).差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對(duì)外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.

晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.

yijin-2

Pletronics晶振型號(hào)

符號(hào)

LV91晶振

輸出規(guī)格

-

LVDS

輸出頻率范圍

fo

10.9~670MHz

電源電壓

VCC

+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V

頻率公差
(含常溫偏差)

f_tol

±50×10-6 max., ±100×10-6 max.

保存溫度范圍

T_stg

-40?+85

運(yùn)行溫度范圍

T_use

-10?+70 ,-40?+85

消耗電流

ICC

20mA max.

待機(jī)時(shí)電流(#1引腳"L"

I_std

10μA max.

輸出負(fù)載

Load-R

100Ω (Output-OutputN)

波形對(duì)稱

SYM

45?55% [at outputs cross point]

0電平電壓

VOL

-更所晶振參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn

1電平電壓

VOH

-

上升時(shí)間 下降時(shí)間

tr, tf

0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]

差分輸出電壓

VOD1, VOD2

0.247?0.454V

差分輸出誤差

VOD

50mV [VOD=VOD1VOD2]

補(bǔ)償電壓

VOS

1.125?1.375V

補(bǔ)償電壓誤差

VOS

50mV

交叉點(diǎn)電壓

Vcr

-

OE端子0電平輸入電壓

VIL

VCC×0.3 max.

OE端子1電平輸入電壓

VIH

VCC×0.7 min.

輸出禁用時(shí)間

tPLZ

200ns

輸出使能時(shí)間

tPZL

2ms

周期抖動(dòng)(1

tRMS

5ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (σ)

tp-p

33ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 22ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (Peak to peak)

總抖動(dòng)(1

tTL

50ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 35ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)]

相位抖動(dòng)

tpj

1.5ps max. (13.5MHzfo<27MHz) / 1ps max. (27MHzfo<212.5MHz) 
[13.5MHz
fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

Pletronics晶振型號(hào)

符號(hào)

LV97晶振

輸出規(guī)格

-

LVDS

輸出頻率范圍

fo

10.9~670MHz

電源電壓

VCC

+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V

頻率公差
(含常溫偏差)

f_tol

±50×10-6 max., ±100×10-6 max.

保存溫度范圍

T_stg

-40?+85

運(yùn)行溫度范圍

T_use

-10?+70 ,-40?+85

消耗電流

ICC

20mA max.

待機(jī)時(shí)電流(#1引腳"L"

I_std

10μA max.

輸出負(fù)載

Load-R

100Ω (Output-OutputN)

波形對(duì)稱

SYM

45?55% [at outputs cross point]

0電平電壓

VOL

-更多晶振參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn

1電平電壓

VOH

-

上升時(shí)間 下降時(shí)間

tr, tf

0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]

差分輸出電壓

VOD1, VOD2

0.247?0.454V

差分輸出誤差

VOD

50mV [VOD=VOD1VOD2]

補(bǔ)償電壓

VOS

1.125?1.375V

補(bǔ)償電壓誤差

VOS

50mV

交叉點(diǎn)電壓

Vcr

-

OE端子0電平輸入電壓

VIL

VCC×0.3 max.

OE端子1電平輸入電壓

VIH

VCC×0.7 min.

輸出禁用時(shí)間

tPLZ

200ns

輸出使能時(shí)間

tPZL

2ms

周期抖動(dòng)(1

tRMS

5ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (σ)

tp-p

33ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 22ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (Peak to peak)

總抖動(dòng)(1

tTL

50ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 35ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)]

相位抖動(dòng)

tpj

1.5ps max. (13.5MHzfo<27MHz) / 1ps max. (27MHzfo<212.5MHz) 
[13.5MHz
fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

yijin-3

lv91lv97 14.0-9.7 LVDS

yijin-4

在使用Pletronics晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

晶體產(chǎn)品線路焊接安裝時(shí)注意事項(xiàng)

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品

晶振產(chǎn)品類型

晶振焊接條件

插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下
比如:橢圓形引腳插件,圓柱晶振引腳插件

手工焊接+300°C或低于3秒鐘 
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過+150°C

SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號(hào)晶振高溫可達(dá)260°,有些只可達(dá)230°

+260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過+150°C

(2)SMD產(chǎn)品回流焊接條件圖

用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷.請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息.Pletronics晶振,差分晶振,LV91晶振,LV97晶振

wdbhqxt

盡可能使溫度變化曲線保持平滑:

yijin-5

YJ-6

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mphone聯(lián)系人黃娜:18924600166

QQ工作QQ:857950243

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差分晶振的使用特點(diǎn)在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點(diǎn).特別是“SAW單元極低的抖動(dòng)振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡(jiǎn)稱為“低抖動(dòng)振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲(chǔ)存溫度范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了普通晶振,達(dá)到了-45°~+100°的溫度范圍,差分晶振的精度值(PPM)可精確到±10PM,普通晶振達(dá)不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時(shí)間超快為0秒,隨機(jī)抖動(dòng)性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是較為常見的,相位抖動(dòng)能從0.3ps Max-1ps Max.
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差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達(dá)到的,差分晶振具有低電平,低抖動(dòng),低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點(diǎn).差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對(duì)外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.

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