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ECS晶振,石英晶體,HC-49USX晶振,HC-46X晶振,HC-49USSX晶振

頻率:3.57954M~70MHZ

尺寸:11.35x4.65mm

49S插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
訂購熱線:0755-27876565
QQ咨詢 點擊這里給我發(fā)消息 ECS晶振,石英晶體,HC-49USX晶振,HC-46X晶振,HC-49USSX晶振

ECS-1

1980ECS Inc.晶振集團成立以來,在國際范圍內(nèi)進行了近35年的業(yè)務,自成立以來已超過30億的頻率控制組件,致力于為世界提供最先進的創(chuàng)新頻率控制技術.ECS公司堅持以創(chuàng)新為中心的企業(yè)文化,旨在促進和發(fā)展每一個無價值的伙伴關系的創(chuàng)造力,使我們能夠最大限度地滿足不斷變化的全球電子市場的需求.

ECS Inc.晶振集團成為市場領導者提供創(chuàng)新、先進的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體頻率控制組件解決方案到電信、工業(yè)、公用事業(yè)、導航、汽車、電子、航空航天和醫(yī)療與一流的制造行業(yè)的基于石英晶體/過濾器,時鐘振蕩器、陶瓷諧振器/過濾器和其他基于壓電的產(chǎn)品.ECS inc .以迅速擴大的市場部門的多元化產(chǎn)品基礎,熱情關注客戶和市場趨勢,調(diào)動企業(yè)的力量,為世界各地的客戶提供一貫的卓越服務.

ECS晶振集團擁有頂尖人才和技術,以及創(chuàng)新的產(chǎn)品開發(fā)理念,使其能夠解決復雜的客戶問題.石英晶振,貼片晶振,有源晶振,壓電水晶的批量生產(chǎn)在日本、中國、臺灣和韓國的世界級認證的制造設施.內(nèi)部檢測和測試確保所有產(chǎn)品達到或超過ECS公司的質(zhì)量保證標準.這些制造地點擁有最嚴格的質(zhì)量管理認證,開始于ISO 9001 / 2008、同位素的ISO14001AECQ產(chǎn)品的國際組織.

ECS Inc國際晶振集團符合世界各地對于石英晶體,貼片晶振,有源晶振,晶體振蕩器等產(chǎn)品要求的所有標準.質(zhì)量符合國際標準體現(xiàn)了在商業(yè)實踐和產(chǎn)品方面的卓越品質(zhì).ECS Inc晶振不僅要讓客戶滿意并且要超越客戶所期望的.激勵鼓勵全體員工通過激發(fā)創(chuàng)造力、主動性和責任感來促進大家做更有意義的事.通過持續(xù)改進集成業(yè)務流程,以實現(xiàn)系統(tǒng)的有效性、效率和靈活性.

yijin-1

ECS晶振,石英晶體,HC-49USX晶振,HC-46X晶振,HC-49USSX晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減?。?/span>3.氣密性高.此技術為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一

yijin-2

ECSInc晶振規(guī)格

單位

HC-49USX晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

3.57954MHZ~70MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C +70°C

標準溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標準),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.gshqh.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

ECSInc晶振規(guī)格

單位

HC-46X晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

6MHZ~40MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C +85°C

裸存

工作溫度

T_use

-20°C +70°C

標準溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標準),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.gshqh.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

ECSInc晶振規(guī)格

單位

HC-49USSX晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

3.57954MHZ~50MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C +70°C

標準溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標準),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.gshqh.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

yijin-3

HC-49USX晶振晶振尺寸圖:

hc-49usx 11.35_4.65

HC-46X晶振晶振尺寸圖:

HC-46X 6.8_4.0

HC-49USSX晶振尺寸圖:

HC-49USS 10.5_5.0

yijin-4在使用ECS晶振時應注意以下事項:

以下是石英晶振電路設計匹配問題:

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規(guī)格)
Rf
為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設置.
Rd
為限流電阻470Ω1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻的標準來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:

dlsjpp

線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
2)從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值.
3)振蕩期間測量R的值.
4)你將能夠獲得負電阻的值,|·R|= R +Rr,RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.

如果石英晶振,石英晶體的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:

降低外部電容(CdCG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL.
 
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
 
使用光盤和CG的不等價的設計.我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.ECS晶振,石英晶體,HC-49USX晶振,HC-46X晶振,HC-49USSX晶振

當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.

1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我億金電子晶振的應用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.

yijin-5

YJ-6

深圳市億金電子有限公司    SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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