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ECS晶振,貼片晶振,CSM-8Q晶振,ECS-200-18-20BQ-DS晶振

頻率：8M~36MHZ

尺寸：7.0X5.0mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用

訂購(gòu)熱線：0755-27876565

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ECS Inc.晶振集團(tuán)與世界各地的組織合作,幾乎每一個(gè)行業(yè),以及每一個(gè)規(guī)模,從初創(chuàng)企業(yè)到全球財(cái)富500強(qiáng)組織.所使用到的晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器,有源晶振壓控晶振等元件遍布各行各業(yè).

自1980年ECS Inc.晶振集團(tuán)成立以來(lái),在國(guó)際范圍內(nèi)進(jìn)行了近35年的業(yè)務(wù),自成立以來(lái)已超過(guò)30億的頻率控制組件,致力于為世界提供最先進(jìn)的創(chuàng)新頻率控制技術(shù).ECS公司堅(jiān)持以創(chuàng)新為中心的企業(yè)文化,旨在促進(jìn)和發(fā)展每一個(gè)無(wú)價(jià)值的伙伴關(guān)系的創(chuàng)造力,使我們能夠最大限度地滿足不斷變化的全球電子市場(chǎng)的需求.

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ECS晶振,貼片晶振,CSM-8Q晶振,ECS-200-18-20BQ-DS晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對(duì)于晶振的條片,長(zhǎng)邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.

對(duì)于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1）,會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦（切掉一小部分）,以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì)：石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波.第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單,第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求.

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ECSInc晶振規(guī)格	單位	CSM-8Q晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8M~36MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-55°C ～ +125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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CSM-8Q 7050

在使用ECS晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)：

產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)

1. 驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明石英晶體振蕩器所需電功率,其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,ECS晶振,石英晶振,CSM-8M晶振,ECS-120-20-20BM-TR晶振
Re表示石英晶振的有效電阻,而且 Re=R1（1+Co/CL）2.

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2. 振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩.為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻.ECS晶振,貼片晶振,CSM-8Q晶振,ECS-200-18-20BQ-DS晶振

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3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中晶振的負(fù)載電容不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示.電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS.
其中CS表示電路的雜散電容.

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CSM-8Q晶振 20M晶振 7050石英晶體 ECS晶振

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