CTS晶振,差分晶振,635晶振,637晶振,638晶振
頻率:10M~320MHZ
尺寸:5.0x7.0mm
差分晶振的使用特點(diǎn)在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點(diǎn).特別是“SAW單元極低的抖動(dòng)振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡(jiǎn)稱為“低抖動(dòng)振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲(chǔ)存溫度范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了普通晶振,達(dá)到了-45°~+100°的溫度范圍,差分晶振的精度值(PPM)可精確到±10PM,普通晶振達(dá)不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時(shí)間超快為0秒,隨機(jī)抖動(dòng)性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是較為常見的,相位抖動(dòng)能從0.3ps Max-1ps Max.
CTS晶振公司自1896年以來(lái),CTS晶振一直是未來(lái)的一部分.隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,我們也一直在與之一起,為滿足人們不斷變化的需求而設(shè)計(jì)智能的方法.我們的產(chǎn)品在許多行業(yè)都得到了認(rèn)可,所生產(chǎn)石英晶振,高精度貼片晶振,晶體振蕩器的性能、可靠性和工程技術(shù)都很出色.我們的客戶以我們卓越的、一貫的服務(wù)水平和我們與他們合作的能力來(lái)評(píng)價(jià)我們.我們的全球足跡使我們能夠?yàn)槿蚴袌?chǎng)和大公司服務(wù),并與本地市場(chǎng)中的中小企業(yè)合作,從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)智能和無(wú)縫的世界.
想象你和我們一起工作.CTS晶振公司,我們理解的好處讓人們投資于公司的長(zhǎng)期成功,我們致力于創(chuàng)造一個(gè)環(huán)境,每個(gè)人都有機(jī)會(huì)成功通過(guò)他們的貢獻(xiàn).我們的人民相互支持,以提高我們的集體能力,并在我們所做的一切中取得卓越.
我們希望招募最優(yōu)秀的人才,他們會(huì)擁抱合作關(guān)系,建立牢固的關(guān)系——人們總是對(duì)客戶真正需要的東西充滿好奇.
為什么我們會(huì)成功?我們的產(chǎn)品晶振,石英晶體振蕩器等設(shè)計(jì)精良、可靠,并始終如一地兌現(xiàn)承諾.我們認(rèn)識(shí)到,在過(guò)去的一百多年里,人們一直在推動(dòng)我們成為一個(gè)充滿活力和蓬勃發(fā)展的公司.我們的員工塑造了我們產(chǎn)品的多樣化,這是我們成功和追求卓越的基石.
我們也非常關(guān)心質(zhì)量:我們的產(chǎn)品質(zhì)量,服務(wù),和我們的人民.我們正在尋找有才華的人,他們樂(lè)于使用他們的知識(shí)、才能和技能來(lái)幫助CTS創(chuàng)新和成長(zhǎng).我們是一家成長(zhǎng)中的公司,為客戶提供高品質(zhì)的貼片晶振,晶體振蕩器,專業(yè)的技術(shù)和支持.
CTS晶振,差分晶振,635晶振,637晶振,638晶振,差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達(dá)到的,差分晶振具有低電平,低抖動(dòng),低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點(diǎn).差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對(duì)外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.
CTS晶振型號(hào) |
符號(hào) |
635晶振,637晶振,638晶振 |
輸出規(guī)格 |
- |
LVDS、LVPECL |
輸出頻率范圍 |
fo |
10~320MHz |
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40~+85℃ |
運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃ ,-40~+85℃ |
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
待機(jī)時(shí)電流(#1引腳"L") |
I_std |
10μA max. |
輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形對(duì)稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
0電平電壓 |
VOL |
-更多詳細(xì)參數(shù)可咨詢億金電子http://www.gshqh.cn |
1電平電壓 |
VOH |
- |
上升時(shí)間 下降時(shí)間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20~80% Output-OutputN] |
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247~0.454V |
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125~1.375V |
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
- |
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
200ns |
輸出使能時(shí)間 |
tPZL |
2ms |
周期抖動(dòng)(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
總抖動(dòng)(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
相位抖動(dòng) |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
西迪斯5070差分輸出晶體振蕩器型號(hào)編碼
晶振編碼 | 品牌 | 代理商 | 型號(hào) | 頻率 | 精度偏差 | 封裝尺寸 |
637L15623I2T | CTS晶振 | 億金電子 | 637 | 156.25MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
637L21253I2T | CTS晶振 | 億金電子 | 637 | 212.5MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
637P7423I3T | CTS晶振 | 億金電子 | 637 | 74.25MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
637L5003I2T | CTS晶振 | 億金電子 | 637 | 50MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
637P2503I2T | CTS晶振 | 億金電子 | 637 | 25MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
635P3I3125M00000 | CTS晶振 | 億金電子 | 635 | 125MHz | ±50ppm | (7.70mm x 5.00mm) |
635P3I3133M00000 | CTS晶振 | 億金電子 | 635 | 133MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
635P3I2100M00000 | CTS晶振 | 億金電子 | 635 | 100MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
635L3I3156M25000 | CTS晶振 | 億金電子 | 635 | 156.25MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
635L3I2152M52000 | CTS晶振 | 億金電子 | 635 | 152.52MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
635L3I2156M25000 | CTS晶振 | 億金電子 | 635 | 156.25MHz | ±50ppm | (7.00mm x 5.00mm) |
635晶振尺寸圖
637晶振尺寸圖
638晶振尺寸圖
使用CTS晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振,差分輸出晶體振蕩器暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.CTS晶振,差分晶振,635晶振,637晶振,638晶振
6:靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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