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445C33E30M00000-20PF-30PPM-5032--20~70℃

頻率：30MHZ

尺寸：5.0x3.2mm

445C33E30M00000-20PF-30PPM-5032--20~70℃，美國(guó)CTS晶振,特點(diǎn)是:標(biāo)準(zhǔn)5.0mmx3.2mm玻璃密封包，基本晶體設(shè)計(jì)，頻率范圍8-50MHz，頻率公差，±20ppm標(biāo)準(zhǔn)[其他公差可用]，頻率穩(wěn)定性，±30ppm標(biāo)準(zhǔn)[其他穩(wěn)定性可用]，工作溫度-40°C至+85°C，磁帶和卷軸包裝標(biāo)準(zhǔn)，EIA-481，RoHS符合歐盟指令2011/65/歐盟-無鉛終端完成-豁免7(c)-I，含鉛的電子元件445型是一種低成本設(shè)備，用于廣泛的商業(yè)應(yīng)用，包括筆記本電腦、計(jì)算機(jī)外設(shè)、視聽、藍(lán)牙和USB接口，pda，和汽車電子產(chǎn)品。

訂購(gòu)熱線：0755-27876565

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445C33E30M00000-20PF-30PPM-5032--20~70℃

參數(shù)	VALUE
頻率	8MHz to 50MHz
工作模式	Fundamental
晶體切片[切向]	AT-Cut
頻率公差 @ +25°C	±20ppm, ±30ppm
頻率穩(wěn)定性公差	±10ppm, ±15ppm,
[工作溫度范圍，參考25°C]	±20ppm, ±30ppm, ±50ppm
工作溫度范圍	0°C to +50°C -20°C to +70°C	-10°C to +60°C
		-40°C to +85°C
等效串聯(lián)電阻	8MHz - <12MHz	100 Ohms

	12MHz - <16MHz	50 Ohms
	16MHz - <30MHz	40 Ohms
	30MHz - <50MHz	30 Ohms
負(fù)載電容或共振模式	See Ordering Information
并聯(lián)電容 [C0]	5.0pF Typical, 7.0pF Maximum
驅(qū)動(dòng)電平	10µW Min., 100µW Typ., 300µW Max.
老化 @ +25°C	±3ppm/yr Typical
儲(chǔ)存溫度范圍	-40°C to +85°C

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445（1）

445（2）

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YJ-6

深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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工作QQ:857950243

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tel 座機(jī)：0755-27876565

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inter 網(wǎng)址：http://www.yijindz.com

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: UJ2600007Z,智能手機(jī)晶振,臺(tái)產(chǎn)DIODES晶振,低相位抖動(dòng)晶振,UJ晶體,削峰正弦波晶振; UJ2600007Z是一款臺(tái)產(chǎn)的DIODES晶振，專為智能手機(jī)量身打造，屬于UJ晶體系列。作為低相位抖動(dòng)的削峰正弦波晶振，它為智能手機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行提供了精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào)，是保障手機(jī)各項(xiàng)功能高效運(yùn)作的關(guān)鍵元件。這款晶振采用先進(jìn)的制造工藝，選用高品質(zhì)材料，確保在 - 20℃至 + 70℃的工作溫度范圍內(nèi)，能將相位抖動(dòng)控制在極低水平，展現(xiàn)出卓越的頻率穩(wěn)定性。其削峰正弦波輸出特性，不僅降低了諧波干擾，還優(yōu)化了信號(hào)質(zhì)量，為手機(jī)的射頻模塊、處理器及其他關(guān)鍵組件提供純凈、穩(wěn)定的時(shí)鐘基準(zhǔn)。在智能手機(jī)中，無論是高速的數(shù)據(jù)傳輸、流暢的多媒體播放，還是精準(zhǔn)的定位導(dǎo)航，UJ2600007Z都憑借其穩(wěn)定的性能，確保各個(gè)功能模塊之間的精確協(xié)同工作，提升用戶體驗(yàn)。

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: FJ2400002振蕩器,筆記本電腦晶振,LVCMOS有源晶振,亞陶FJ晶振,2520進(jìn)口貼片; FJ2400002振蕩器,筆記本電腦晶振,LVCMOS有源晶振,亞陶FJ晶振,2520進(jìn)口貼片 FJ2400002作為亞陶為筆記本電腦量身打造的LVCMOS有源晶振，在筆記本電腦的運(yùn)行中起著不可或缺的作用。采用2520貼片封裝，這種小巧的封裝形式完美適配筆記本電腦內(nèi)部緊湊的電路板布局，在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效安裝，同時(shí)有助于優(yōu)化散熱和電氣性能，提升晶振在復(fù)雜電磁環(huán)境下的穩(wěn)定性。