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X1G004171002100|13MHz|50PPM|2520|1.6-3.6V|-40~+85℃

頻率：13MHZ

尺寸：2.5x2.0mm

X1G004171002100|13MHz|50PPM|2520|1.6-3.6V|-40~+85℃，日本EPSON晶振公司，1612mm晶振,貼片晶振 ,愛普生晶振,2520,X1G004171002100晶振,2520晶振,SG-210STF13.0000ML3晶振,日本進(jìn)口晶振,高品質(zhì)晶振,SG-210STF晶振,穿戴設(shè)備晶振,無人機(jī)晶振，多媒體設(shè)備晶振，X1G0041710016晶振，X1G0041710019晶振，X1G0041710026晶振

訂購熱線：0755-27876565

EPSON-2

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X1G004171002100|13MHz|50PPM|2520|1.6-3.6V|-40~+85℃

愛普生晶振規(guī)格	單位	SG-210STF晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	13MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
外部尺寸	mm	2.50 x 2.00 x 0.90
頻率老化	f_age	±3 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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日本進(jìn)口愛普生晶振FA-118T,X1E0002510060石英晶體

SG-210STF

愛普生原廠編碼	型號	頻率	尺寸	輸出	工作溫度	頻率穩(wěn)定度
X1G0041710002	SG-210STF	33.300000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710005	SG-210STF	1.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710006	SG-210STF	1.843200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710007	SG-210STF	2.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710008	SG-210STF	3.686400 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710009	SG-210STF	4.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710010	SG-210STF	4.096000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710011	SG-210STF	5.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710012	SG-210STF	6.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710013	SG-210STF	6.144000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710014	SG-210STF	7.372800 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710015	SG-210STF	8.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710016	SG-210STF	10.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710017	SG-210STF	11.289600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710018	SG-210STF	12.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710019	SG-210STF	12.288000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710020	SG-210STF	12.500000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710021	SG-210STF	13.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710022	SG-210STF	13.500000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710023	SG-210STF	13.560000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710024	SG-210STF	14.318180 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710025	SG-210STF	14.745600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710026	SG-210STF	15.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710027	SG-210STF	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710028	SG-210STF	19.200000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710029	SG-210STF	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710030	SG-210STF	22.579200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710031	SG-210STF	24.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710032	SG-210STF	24.576000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710033	SG-210STF	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710034	SG-210STF	26.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710035	SG-210STF	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710036	SG-210STF	27.120000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710037	SG-210STF	28.636360 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710038	SG-210STF	29.491200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710039	SG-210STF	30.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710040	SG-210STF	32.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G0041710041	SG-210STF	33.333000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm

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YJ-6

深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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: UJ2600007Z,智能手機(jī)晶振,臺產(chǎn)DIODES晶振,低相位抖動晶振,UJ晶體,削峰正弦波晶振; UJ2600007Z是一款臺產(chǎn)的DIODES晶振，專為智能手機(jī)量身打造，屬于UJ晶體系列。作為低相位抖動的削峰正弦波晶振，它為智能手機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行提供了精準(zhǔn)的時鐘信號，是保障手機(jī)各項功能高效運(yùn)作的關(guān)鍵元件。這款晶振采用先進(jìn)的制造工藝，選用高品質(zhì)材料，確保在 - 20℃至 + 70℃的工作溫度范圍內(nèi)，能將相位抖動控制在極低水平，展現(xiàn)出卓越的頻率穩(wěn)定性。其削峰正弦波輸出特性，不僅降低了諧波干擾，還優(yōu)化了信號質(zhì)量，為手機(jī)的射頻模塊、處理器及其他關(guān)鍵組件提供純凈、穩(wěn)定的時鐘基準(zhǔn)。在智能手機(jī)中，無論是高速的數(shù)據(jù)傳輸、流暢的多媒體播放，還是精準(zhǔn)的定位導(dǎo)航，UJ2600007Z都憑借其穩(wěn)定的性能，確保各個功能模塊之間的精確協(xié)同工作，提升用戶體驗。

: FJ2400002振蕩器,筆記本電腦晶振,LVCMOS有源晶振,亞陶FJ晶振,2520進(jìn)口貼片; FJ2400002振蕩器,筆記本電腦晶振,LVCMOS有源晶振,亞陶FJ晶振,2520進(jìn)口貼片 FJ2400002作為亞陶為筆記本電腦量身打造的LVCMOS有源晶振，在筆記本電腦的運(yùn)行中起著不可或缺的作用。采用2520貼片封裝，這種小巧的封裝形式完美適配筆記本電腦內(nèi)部緊湊的電路板布局，在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)高效安裝，同時有助于優(yōu)化散熱和電氣性能，提升晶振在復(fù)雜電磁環(huán)境下的穩(wěn)定性。

: LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太網(wǎng)晶振,Pletronics貼片晶振,LV33J振蕩器; LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太網(wǎng)晶振,Pletronics貼片晶振,LV33J振蕩器 LV3344JEV-100.0MDK 是 Pletronics 推出的 LVDS 差分貼片晶振，主要用于以太網(wǎng)應(yīng)用。它能輸出精準(zhǔn)的 100.0MHz 頻率，為以太網(wǎng)設(shè)備提供穩(wěn)定的時鐘基準(zhǔn)。LVDS 差分信號傳輸方式使其具備出色的抗干擾能力，可有效抑制共模干擾，確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和穩(wěn)定性。貼片封裝便于安裝和集成。廣泛應(yīng)用于以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，有助于提升網(wǎng)絡(luò)通信的性能和可靠性，是以太網(wǎng)設(shè)備實現(xiàn)高速穩(wěn)定通信的理想選擇。