愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CG晶振,X1G003851A05800晶振
頻率:13M~53MHZ
尺寸:2.5x2.0mm
愛(ài)普生株式會(huì)社EPSON晶振愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng),(EPSON — TOYOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛(ài)普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶體, 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO).1996年2月在中國(guó)蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).
日本精工愛(ài)普生接受了中國(guó)蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件(蘇州)有限公司】 愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson Toyocom)是精工愛(ài)普生株式會(huì)社與愛(ài)普生(中國(guó))有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).
愛(ài)普生已經(jīng)建立了一個(gè)原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價(jià)值,并決定使用這個(gè)模型來(lái)驅(qū)動(dòng)前面提到的四個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新.這意味著從頭開(kāi)始創(chuàng)建產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的獨(dú)特的核心技術(shù)和設(shè)備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設(shè)計(jì)提供獨(dú)特價(jià)值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專業(yè)知識(shí),然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振等出售給我們的客戶.
愛(ài)普生晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.
愛(ài)普生晶振集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).
精工愛(ài)普生晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少?gòu)U棄物等.
EPSON晶振盡可能的采用無(wú)害的原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.
愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CG晶振,X1G003851A05800晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對(duì)于晶振的條片,長(zhǎng)邊為X軸,短邊為Z軸,面為Y軸.
對(duì)于圓片晶振,X、Z軸較難區(qū)分,所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的UM-1),會(huì)在X軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在Z軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì):石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波.第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單,第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求.
愛(ài)普生晶振型號(hào)
TG-5035CG (AEC-Q200) |
TCXOVC-TCXO |
2.5x2.0x0.8 |
13 to 52 |
+/-2 |
±0.5 / -40 to +85 |
Clipped sine wave |
1.7to3.3 |
|
TG-5035CE |
TCXO or VC-TCXO |
3.2x2.5x0.9 |
10 to 40 |
+/-2 |
+/-0.5 /-30 to +85 |
Clipped sine wave |
1.7to3.3 |
|
TG2016SAN |
TCXO |
2.0x1.6x0.73 |
13 to 2025 to 40 |
+/-2 |
+/-0.5 / -30 to +85 |
Clipped sine wave |
1.1to1.4 |
|
TG-5035CJ |
TCXOVC-TCXO |
2.0x1.6x0.73 |
13 to 52 |
+/-2 |
+/-0.5 / -30 to +85 |
Clipped sine wave |
1.7to3.3 |
|
TG-5035CG |
TCXO or VC-TCXO |
2.5x2.0x0.8 |
13 to 52 |
+/-2 |
+/-0.5 / -30 to +85 |
Clipped sine wave |
1.7to3.3 |
|
TG5032CAN |
TCXO or VC-TCXO
(For Network system) |
5.0x3.2x1.45 |
10 to 50 |
+/-2 |
±0.1 / 0 to +70 |
CMOS |
2.7to5.5 |
|
TG5032SAN |
TCXO or VC-TCXO |
5.0x3.2x1.45 |
10 to 50 |
+/-2 |
±0.1 / 0 to +70 |
Clipped sine wave |
2.7to5.5 |
|
TG5032CDN |
TCXO or VC-TCXO |
5.0x3.2x1.45 |
10 to 50 |
+/-2 |
±0.1 / 0 to +70 |
CMOS |
2.7to5.5 |
|
TG5032SDN |
TCXO or VC-TCXO |
5.0x3.2x1.45 |
10 to 50 |
+/-2 |
±0.1 / 0 to +70 |
Clipped sine wave |
2.7to5.5 |
愛(ài)普生晶振型號(hào) |
TG-5035CG晶振 |
|
輸出頻率范圍 |
13M~53MHZ |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
|
電源電壓范圍 |
+1.68~+3.5V |
|
電源電壓(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
|
消耗電流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz) |
|
待機(jī)時(shí)電流 |
-更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn |
|
輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
|
輸出負(fù)載 |
10kΩ//10pF |
|
頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85℃ |
|
電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
|
負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
|
長(zhǎng)期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
|
頻率控制 |
控制靈敏度 |
- |
頻率控制極性 |
- |
|
啟動(dòng)時(shí)間 |
2.0ms max. |
愛(ài)普生晶振編碼
Model
編碼
Frequency
LxWxH
Output Wave
Supply Voltage
F.Tol@25°C
Ope Temperature
Freq/Temp
I [Max]
25°C Aging
TG-5035CJ
X1G003841002900
16.368000MHz
2.00 x 1.60x 0.73 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.300 V
+/-2.0 ppm
-30 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
X1G003841003000
24.000000MHz
2.00 x 1.60x 0.73 mm
Clipped sine wave
2.600 to 3.000 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
X1G003841003300
16.369000MHz
2.00 x 1.60x 0.73 mm
Clipped sine wave
1.700 to 1.900 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
X1G003841003400
26.000000MHz
2.00 x 1.60x 0.73 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.300 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
X1G003841004000
24.000000MHz
2.00 x 1.60x 0.73 mm
Clipped sine wave
2.600 to 3.000 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
X1G003841004800
16.368000MHz
2.00 x 1.60x 0.73 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.300 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
X1G003841005200
26.000000MHz
2.00 x 1.60x 0.73 mm
Clipped sine wave
1.700 to 1.900 V
+/-1.5 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.3 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
X1G003841005400
16.367667MHz
2.00 x 1.60x 0.73 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.300 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
X1G003851001400
16.369000MHz
2.50 x 2.00x 0.80 mm
Clipped sine wave
1.700 to 1.900 V
+/-2.0 ppm
-30 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
X1G003851001600
16.368000MHz
2.50 x 2.00x 0.80 mm
Clipped sine wave
2.660 to 2.940 V
+/-2.0 ppm
-30 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
X1G003851003900
32.000000MHz
2.50 x 2.00x 0.80 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.300 V
+/-1.0 ppm
-10 to +55°C
+/-0.50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-6ppm
TG-5035CG
X1G003851004200
40.000000MHz
2.50 x 2.00x 0.80 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.300 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
X1G003851004300
38.400000MHz
2.50 x 2.00x 0.80 mm
Clipped sine wave
1.700 to 1.900 V
+/-1.5 ppm
-30 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
X1G003851004900
16.369000MHz
2.50 x 2.00x 0.80 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.300 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
X1G003851005100
33.600000MHz
2.50 x 2.00x 0.80 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.300 V
+/-1.0 ppm
-30 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
X1G003851007700
24.000000MHz
2.50 x 2.00x 0.80 mm
Clipped sine wave
1.700 to 3.600 V
+/-2.0 ppm
-40 to +85°C
+/-0.50 ppm
≤ 1.2 mA
+/-1ppm
在使用愛(ài)普生晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.
3:化學(xué)制劑/ pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解愛(ài)普生晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CG晶振,X1G003851A05800晶振
6:靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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- NDK晶振,有源晶振,NT2520SC晶振,2520溫補(bǔ)晶振
2520mm體積的溫補(bǔ)晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對(duì)應(yīng)IC可能) ,超小型,輕型.低消耗電流,貼片有源晶振產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)回流焊)無(wú)鉛產(chǎn)品.滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.
- 愛(ài)普生晶振,石英晶體振蕩器,EG-2021CA晶振,EG-2021CA 125.0000M-CGPNB
- 貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
- KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSA321SCA晶振
- 3225mm壓控溫補(bǔ)晶振具有最適合于移動(dòng)通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)DC+1.8V±0.1V to +3.2V±0.1V )高度:最高1.0mm,體積:0.007cm3,重量:0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)回流焊) 無(wú)鉛產(chǎn)品.滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
晶振系列
日本進(jìn)口晶振
- 京瓷晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 村田晶振
- 大河晶振
- KDS Quartz crystal
- NDK Quartz crystal
- EPSON Quartz crystal
- 富士晶振
- NAKA晶振
- SMI晶振
- NJR晶振
臺(tái)產(chǎn)晶振
歐美晶振
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal晶振
- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal晶振
- IDTcrystal晶振
- PletronicsCrystal晶振
- StatekCrystal晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- ILSI晶振
- KVG晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- QuartzChnik晶振
- SUNTSU晶振
- Transko晶振
- WI2WI晶振
- 韓國(guó)三呢晶振
- ITTI晶振
- ACT晶振
- Milliren晶振
- Lihom晶振
- rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- PDI晶振
- C-TECH晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- 瑞薩renesas晶振
- Skyworks晶振
有源晶振
霧化片
貼片晶振
32.768K
- 32.768K有源晶振
- 8.0x3.8晶振
- 7.1x3.3晶振
- 7.0x1.5晶振
- 5.0x1.8晶振
- 4.1x1.5晶振
- 3.2x1.5晶振
- 2.0x1.2晶振
- 1.6x1.0晶振
- 1.2x1.0晶振
- 圓柱晶振
聲表面濾波器
石英晶振
KDS晶振
愛(ài)普生晶振
- EPSON 32.768K晶振
- EPSON無(wú)源晶振
- EPSON普通有源晶振
- EPSON壓控晶振
- EPSON溫補(bǔ)晶振
- EPSON壓控溫補(bǔ)晶振
- EPSON恒溫晶振
- EPSON差分晶振
- EPSON可編程晶振
NDK晶振
溫補(bǔ)晶振
手機(jī):189 2460 0166
地址:深圳市寶安區(qū)新安107國(guó)道旁甲岸路