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    FXTC-HE73TC-126.7MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-50MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-5MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-50.1MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-35.328MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-125MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-5MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-155.52MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-6.144MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-19.6608MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-40.96MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-250MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-16MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-128MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-48MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-4.112MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-135MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-29.5MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-16.128MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-125MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-47MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-25.00125MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-133.33MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-60MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-25MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-22.5792MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-150MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-250MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-2MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-64MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-33.3MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-37.5MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-20.48MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-20MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-26MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-133MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-133MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-160MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-2.048MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-140MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-32MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-44MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-16.5MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-50.022MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-19.2MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-135MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-2MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-54MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-16.5MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-49.152MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-30MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-40.96MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-6MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-120MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-68.75MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-38.88MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-38.88MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-16.384MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-16.128MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-16.384MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-2.048MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-170MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-16.67MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-66MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-16MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-35.328MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-50MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-24.576MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-19.44MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-160MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-2.176MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-55MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-18MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-148.5MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-13MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-47MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-14.318MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-45MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-25MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-162MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-4.112MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-66.66MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-18.432MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-30MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-16.67MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-65MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-19.44MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-20MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-14.7456MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-18MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-22.5792MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-19.2MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-19.6608MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-15MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-29.5MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-27.12MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-32MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-48MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-148.5MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-18.432MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-14.318MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-120MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-33.3MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-44MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-25.00125MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-15MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-14.7456MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-126.7MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-162MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-50.022MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-2.176MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-156.25MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-140MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-128MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-52MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-45MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-64MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-60MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-65MHZ美國(guó)溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-26MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-54MHZ低功耗溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-68.75MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73PR-55MHZ溫補(bǔ)晶振FXTC-HE73TC-6.144MHZ進(jìn)口溫補(bǔ)晶振

溫補(bǔ)晶振(TCXO)是一種自身帶有電源電壓以及溫度補(bǔ)償功能的石英晶體振蕩器,具有2016,2520,3225,5032,7050等多種封裝尺寸.愛普生TG2520SMN晶振,體積為2.5x2.0x0.8mm,重量超輕,尺寸超小,滿足市場(chǎng)對(duì)于小型化的需求.并且提供電源電壓1.8V-3.3V,低消耗電流.

TG2520SMN溫補(bǔ)晶振選用無鉛無害,優(yōu)異材料生產(chǎn),符合歐盟ROHS環(huán)保指令.此款2.5x2.0溫補(bǔ)晶振具有耐高溫-40℃to+85℃范圍,符合工業(yè)級(jí)產(chǎn)品要求.使用于GPS,RF,無線通信設(shè)備(LTE,WiMAX,Wi-Fi,W-LAN, IoT 他)等產(chǎn)品中.具有低噪音,低相位,低抖動(dòng),耐高溫,抗振性強(qiáng),低老化等特點(diǎn).

關(guān)于晶振的信息億金電子在前面的文章中已經(jīng)提到過很多次了,大家有不懂的可以到億金新聞動(dòng)態(tài)中了解.下面我們要說的是關(guān)于石英晶振晶片的由來以及石英晶振晶片的工作原理.

石英晶振晶片的由來

科學(xué)家最早發(fā)現(xiàn)一些晶體材料,如石英,經(jīng)擠壓就象電池可產(chǎn)生電流(俗稱壓電性),相反,如果一個(gè)電池接到壓電晶體上,石英晶體就會(huì)壓縮或伸展,如果將電流連續(xù)不斷的快速開「關(guān),晶體就會(huì)振動(dòng)。

在1950年,德國(guó)科學(xué)家 GEORGE SAUERBREY研究發(fā)現(xiàn),如果在石英晶體,石英晶體諧振器的表面上鍍一層薄膜,則石英晶體的振動(dòng)就會(huì)減弱,而且還發(fā)現(xiàn)這種振動(dòng)或頻率的減少,是由薄膜的厚度和密度決定的,利用非常精密的電子設(shè)備,每秒鐘可能多次測(cè)試振動(dòng), 從而實(shí)現(xiàn)對(duì)晶體鍍膜厚度和鄰近基體薄膜厚度的實(shí)時(shí)監(jiān)控。從此,膜厚控制儀就誕生了。

薄薄圓圓的晶振片,來源于多面體石英棒,先被切成閃閃發(fā)光的六面體棒,再經(jīng)過反復(fù)的切割和研磨,石英棒最終被做成一堆薄薄的(厚0.23mm,直徑1398mm)圓片,每個(gè)圓片經(jīng)切邊,拋光和清洗,最后鍍上金屬電極(正面全鍍,背面鍍上鑰匙孔形),經(jīng)過檢測(cè),包裝后就是我們常用的晶振片了。

用于石英膜厚監(jiān)控用的石英芯片采用AT切割,對(duì)于旋光率為右旋晶體,所謂AT切割即為切割面通過或平行于電軸且與光軸成順時(shí)針的特定夾角。AT切割的晶體片振動(dòng)頻率對(duì)質(zhì)量的變化極其靈敏,但卻不敏感干溫度的變化。這些特性使AT切的石英晶體片更適合于薄膜淀積中的膜厚監(jiān)控。

石英晶振晶片的原理

石英晶體是離子型的石英晶體,由于結(jié)晶點(diǎn)陣的有規(guī)則分布,當(dāng)發(fā)生機(jī)械變形時(shí),例如拉伸或壓縮時(shí)能產(chǎn)生電極化現(xiàn)象,稱為壓電現(xiàn)象。例石英晶振晶體在9.8×104Pa的壓強(qiáng)下承受壓力的兩個(gè)表面上出現(xiàn)正負(fù)電荷約0.5V的電位差。壓電現(xiàn)象有逆現(xiàn)象,即石英晶體在電場(chǎng)中晶體的大小會(huì)發(fā)生變化,伸長(zhǎng)或縮短,這種現(xiàn)象稱為電致伸縮。

石英晶體壓電效應(yīng)的固有頻率不僅取決于其幾何尺寸,切割類型而且還取決于芯片的厚度。當(dāng)芯片上鍍了某種膜層,使芯片的厚度增大,則芯片的固有頻率會(huì)相應(yīng)的衰減。石英晶振,石英晶體的這個(gè)效應(yīng)是質(zhì)量負(fù)荷效應(yīng)。石英晶體膜厚監(jiān)控儀就是通過測(cè)量頻率或與頻率有關(guān)的參量的變化而監(jiān)控淀積薄膜的厚度。

石英晶體法監(jiān)控膜厚,主要是利用了石英晶體,石英晶體振蕩器的壓電效應(yīng)和質(zhì)量負(fù)荷效應(yīng)。

石英晶體的固有頻率f不僅取決于幾何尺寸和切割類型,而且還取決于厚度d,即f=N/d,N是取決與石英晶振晶體的幾何尺寸和切割類型的頻率常數(shù)對(duì)于AT切割的石英晶體,N=f·d=1670Kcmm。

物理意義是:若厚度為d的石英晶體厚度改變△d,則石英貼片晶振頻率變化△f, 式中的負(fù)號(hào)表示晶體的頻率隨著膜增加而降低然而在實(shí)際鍍膜時(shí)，沉積的是各種膜料,而不都是石英晶體材料,所以需要把石英晶振厚度增量△d通過質(zhì)量變換轉(zhuǎn)換成膜層厚度增量△dM,即

A是受鍍面積,pM為膜層密度,p。為石英密度等于265g/cm3。于是△d=(pM/pa)"△dM,所以

式中S稱為變換靈敏度。

對(duì)于一種確定的鍍膜材料,為常數(shù),在膜層很薄即沉積的膜層質(zhì)量遠(yuǎn)小于石英芯片質(zhì)量時(shí),固有頻率變化不會(huì)很大這樣我們可以近似的把S看成常數(shù),于是上式表達(dá)的石英晶振晶體頻率的變化人行與沉積薄膜厚度△dM有個(gè)線性關(guān)系因此我們可以借助檢測(cè)石英晶體固有頻率的變化,實(shí)現(xiàn)對(duì)膜厚的監(jiān)控。

顯然這里有一個(gè)明顯的好處,隨著鍍膜時(shí)膜層厚度的增加,晶振頻率單調(diào)地線性下降,不會(huì)出現(xiàn)光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)中控制信號(hào)的起伏,并且很容易進(jìn)行微分得到沉積速率的信號(hào)。因此,在光學(xué)監(jiān)控膜厚時(shí),還得用石英晶振,石英晶體法來監(jiān)控沉積速率,我們知道沉積速率穩(wěn)定隊(duì)膜材折射率的穩(wěn)定性、產(chǎn)的均勻性重復(fù)性等是很有好處和有力的保證。

石英晶體膜厚控制儀有非常高的靈敏度,可以做到埃數(shù)量級(jí),顯然石英晶體的基頻越高,控制的靈敏度也越高,但基頻過高時(shí)晶體片會(huì)做得太薄,太薄的芯片易碎。

所以一般選用的石英晶振,貼片晶振片的頻率范圍為5~10MHz。在淀積過程中,基頻最大下降允許2~3%,大約幾百千赫。基頻下降太多振蕩器不能穩(wěn)定工作,產(chǎn)生跳頻現(xiàn)象。如果此時(shí)繼續(xù)淀積膜層,就會(huì)出現(xiàn)停振。為了保證振蕩穩(wěn)定和有高的靈敏度體上膜層鍍到一定厚度后,就應(yīng)該更換新的晶振片。

此圖為膜系鍍制過程中部分頻率與厚度關(guān)系圖。

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