晶振是智能電子數(shù)碼產(chǎn)品應(yīng)用最多的一種頻率元件,晶振可以分有源晶振和無源晶振,億金電子接下來要給大家所介紹到的是有源晶振.有源晶振根據(jù)不同產(chǎn)品性能需求歸為TCXO溫度補(bǔ)償晶振,VCXO電壓控制晶振,OCXO恒溫控制晶振,SPXO時(shí)鐘晶體振蕩器,VC-TCXO壓控溫補(bǔ)晶振,LVDS輸出差分晶振等.下面單獨(dú)講下適用于定義固定頻率壓控晶振的特性

VCXO晶振（壓控晶體振蕩器）是一種晶體振蕩器,它包括變?nèi)荻O管和相關(guān)電路,允許通過在該二極管上施加電壓來改變頻率.這可以通過簡單的時(shí)鐘或正弦波晶體振蕩器,TCXO（產(chǎn)生TC/VCXO-溫度補(bǔ)償電壓控制晶體振蕩器）或烤箱控制類型（產(chǎn)生OC/VCXO恒溫箱控制的電壓晶體振蕩器）來實(shí)現(xiàn).

VCXO晶振有幾個(gè)特點(diǎn).在生成VCXO壓控晶體振蕩器規(guī)范時(shí),這些適用于定義固定頻率晶體振蕩器的特性.VCXO特有的規(guī)范中的主要內(nèi)容如下：

偏差-這是控制電壓變化引起的頻率變化量.例如.5伏控制電壓可能導(dǎo)致100ppm的偏差,或0至+5伏控制電壓可能導(dǎo)致150ppm的總偏差.

控制電壓-這是施加到VCXO輸入端子的變化電壓,導(dǎo)致頻率變化.它有時(shí)被稱為調(diào)制電壓,特別是如果輸入是AC信號.

傳遞函數(shù)（有時(shí)稱為斜率極性）-表示頻率變化的方向與控制電壓的關(guān)系.正傳遞函數(shù)表示增加的正控制電壓的頻率增加,如圖1A所示.相反,如果頻率隨著更正（或更負(fù)）控制電壓而減小,如圖1B所示,傳遞函數(shù)是負(fù).

線性度-普遍接受的線性定義是MIL-PRF-55310中規(guī)定的.它是VCXO晶振頻率誤差和總偏差之間的比率,以百分比表示,其中晶振頻率誤差是從通過輸出頻率與控制電壓的曲線繪制的最佳直線的最大頻率偏移.如果壓電晶體振蕩器的規(guī)格要求線性度為±5％且實(shí)際偏差總共為20kHz,如圖2所示,則輸出頻率與控制電壓輸入的曲線可能會相差±1kHz（20kHz±5％）.最佳直線“A”.這些限制用“B”和“C”行表示.“D”代表VCXO的典型曲線,其線性度在±5％以內(nèi).

在圖3中,最佳直線“A”的最大偏差為-14ppm,總偏差為100ppm,因此線性度為±14ppm/100ppm=±14％.

產(chǎn)生圖2所示特性的VCXO晶振使用超突變結(jié)變?nèi)荻O管,偏置以適應(yīng)雙極性（±）控制電壓.產(chǎn)生圖3特性的VCXO使用具有施加的單極控制電壓的突變結(jié)變?nèi)荻O管（在這種情況下為正）.良好的VCXO壓控晶振設(shè)計(jì)要求電壓與頻率曲線平滑（無間斷）和單聲道.所有維管晶振的VCXO系列都具有這些特性.

調(diào)制速率（有時(shí)稱為偏差率或頻率響應(yīng)）-這是控制電壓可以改變的速率,從而導(dǎo)致相應(yīng)的頻率變化.通過施加峰值等于指定控制電壓的正弦波信號,解調(diào)VCXO壓控晶振的輸出信號,并以不同調(diào)制速率比較解調(diào)信號的輸出電平來測量.調(diào)制速率由Vectron晶振定義為最大調(diào)制頻率,它產(chǎn)生的解調(diào)信號在100dB調(diào)制信號的3dB范圍內(nèi).雖然非晶體控制的VCO可以以非常高的速率進(jìn)行調(diào)制（輸出頻率大于10MHz時(shí)大于1MHz）,但VCXO晶振的調(diào)制速率受到晶體物理特性的限制.雖然VCXO晶振的調(diào)制輸入網(wǎng)絡(luò)可以擴(kuò)展到在100kHz以上產(chǎn)生3dB響應(yīng),但由于晶振,解調(diào)信號在調(diào)制頻率大于20kHz時(shí)可能會出現(xiàn)5-15dB的幅度變化.

斜率/斜率線性/增量靈敏度-這可能是一個(gè)令人困惑的區(qū)域,因?yàn)檫@些術(shù)語經(jīng)常被誤用.如果要將斜率除以總控制電壓擺幅,則斜率應(yīng)該被稱為平均斜率.對于圖2中所示的VCXO壓控晶振,平均斜率為-20kHz/10伏=-2kHz/伏.增量靈敏度,通常誤稱斜率線性度意味著頻率與控制電壓的增量變化.

因此,雖然該示例中的平均斜率是每伏特-2kHz,但是曲線的任何段的斜率可以與-2kHz/伏相當(dāng)大.事實(shí)上,對于最佳直線線性度為±1％至±5％的VCXO,增量靈敏度約為（非常近似）最佳直線線性度的10倍.因此,具有±5％最佳直線線性度的VCXO壓控晶振可以在每伏特的基礎(chǔ)上表現(xiàn)出±50％的斜率變化.因此,讀取“斜率：2kHz/伏特±10％”的規(guī)范需要澄清,因?yàn)樗赡芤馕吨骄甭驶蛟隽快`敏度.如果它旨在定義平均斜率,它只是指定18kHz到22kHz的總偏差,并且更恰當(dāng)?shù)卣f明了“總偏差：20kHz-10％.”但是,如果意圖頻率改變?yōu)槊總€(gè)增量電壓必須介于1.8kHz和2.2kHz之間,高線性VCXO壓控晶體振蕩器被指定為±10％增量靈敏度與±1％最佳直線線性相關(guān).該規(guī)范的元素應(yīng)為“增量靈敏度：每伏2kHz±10％”.

其他設(shè)計(jì)考慮因素

穩(wěn)定性-石英晶振晶體是一種高Q器件,是晶體振蕩器的穩(wěn)定性決定元素.它固有地抵抗被“拉”（偏離）其設(shè)計(jì)頻率.為了產(chǎn)生具有顯著偏差的VCXO,振蕩器電路必須“去Q”.這導(dǎo)致晶體在其頻率與溫度特性,老化特性及其短期穩(wěn)定性（和相關(guān)的相位噪聲）特性方面的固有穩(wěn)定性降低.因此,最好不要指定比絕對要求更寬的偏差,這符合用戶的最佳利益.

鎖相-當(dāng)VCXO晶振用于鎖相環(huán)應(yīng)用時(shí),偏差應(yīng)始終至少與VCXO本身及其鎖定的參考或信號的組合不穩(wěn)定性一樣大.Vectron維管晶振集團(tuán)生產(chǎn)一系列VCXO晶振,特別適用于鎖相環(huán)應(yīng)用（在隨后的頁面中有描述）.但是,如果系統(tǒng)的開環(huán)穩(wěn)定性要求比該產(chǎn)品系列中的更嚴(yán)格,則可能需要TC/VCXO.對于最高穩(wěn)定性開環(huán)要求,適當(dāng)?shù)恼袷幤骺梢允谴?/span>cata-log的TCXO溫補(bǔ)晶振或OCXO恒溫晶振部分中描述的那些,包含窄偏差VCXO選項(xiàng),而不是VCXO壓控晶體振蕩器部分中描述的那些.

基本振蕩器頻率-基本模式晶體（通常為10-25MHz）允許最大的偏差,而第三泛音晶體（通常為20-70MHz）允許偏差約為適用于基波的1/9.因此,所有寬偏差VCXO晶振（偏差大于±100到±200ppm）都使用基本晶體;較窄的偏差VCXO可以使用基?；虻谌阂艟w,其選擇通常取決于線性度和穩(wěn)定性等規(guī)格.很少有更高的泛音,因此更高頻率的晶體可用于VCXO.因此,輸出頻率高于或低于適當(dāng)晶振頻率的VCXO包括倍頻器或分頻器.

一般注意事項(xiàng)-雖然任何類型的石英晶體振蕩器都是如此,但對于VCXO壓控晶體振蕩器而言,用戶不要過度指定產(chǎn)品.VCXO壓控晶振的特殊問題在于增加的偏差導(dǎo)致穩(wěn)定性降低,這可能導(dǎo)致需要更寬的偏差,進(jìn)一步降低穩(wěn)定性,導(dǎo)致所需偏差的螺旋式增加.

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   X1G0038310047貼片晶振X1G0035610094晶振X1G0035610059溫度補(bǔ)償晶振X1G0038310051溫補(bǔ)晶振X1G0035610097石英晶振X1G0041310011石英晶振X1G0039010201愛普生進(jìn)口晶振X1G0035610066愛普生進(jìn)口晶振X1G0050610101石英晶體X1G0044410086晶振X1G0041310008愛普生進(jìn)口晶振X1G0038510014貼片晶振X1G0038410027晶振X1G0038310053溫度補(bǔ)償晶振X1G0035610098貼片晶振X1G0035610067石英晶體振蕩器X1G0050610102有源晶振X1G0044410088石英晶振X1G0041310009石英晶體振蕩器X1G0038510016溫補(bǔ)晶振X1G0038410029石英晶振X1G0038310055愛普生進(jìn)口晶振X1G0035610101溫補(bǔ)晶振X1G0035610083晶振X1G0035610102溫度補(bǔ)償晶振X1G0050610097石英晶體振蕩器X1G0044310104石英晶體振蕩器X1G0041310007溫度補(bǔ)償晶振X1G0038410054石英晶振X1G0038410026石英晶體振蕩器X1G0035610085石英晶振X1G0038410004石英晶振X1G0035610089溫補(bǔ)晶振X1G0050610103有源晶振X1G0041310010晶振X1G0039010200溫度補(bǔ)償晶振X1G0038410030貼片晶振X1G0038310056石英晶體振蕩器X1G0038410033溫補(bǔ)晶振X1G0038410002晶振X1G0035610103愛普生進(jìn)口晶振X1G0035610087貼片晶振X1G0039010202石英晶體振蕩器

    ABLS-12.000MHZ-B4-T晶振ASTX-H11-B-16.000MHZ-I25-T溫度補(bǔ)償晶振ASCO2-27.000MHZ-EK-T3歐美進(jìn)口晶振ASE2-25.000MHZ-ET晶振ASFL1-25.000MHZ-EK-T有源貼片晶振ASE3-25.000MHZ-LC-T進(jìn)口SMD晶振ABM3-18.432MHZ-D2Y-T石英晶體諧振器ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T美國晶振ABM3B-16.000MHZ-B2-T進(jìn)口石英晶振ABLS-6.144MHZ-B4-T艾博康晶振ABLS-10.000MHZ-B2-T石英晶體ASTX-H11-B-19.200MHZ-I25-T溫度補(bǔ)償晶振AST3TQ53-T-20.000MHZ-5-C溫補(bǔ)晶振ASA-16.000MHZ-L-T有源晶振ASFL1-4.000MHZ-EK-T美國進(jìn)口晶振ASFL1-12.288MHZ-EC-T帶電壓晶振ABMM-6.000MHZ-B2-T美國晶振ABM8G-26.000MHZ-18-D2Y-T貼片晶振ABM8AIG-25.000MHZ-12-2Z-T3艾博康貼片晶振ABLS3-4.096MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-4.500MHZ-B4-T無源晶振ASTMHTD-100.000MHZ-ZK-E-T3石英晶體振蕩器ABS06-32.768KHZ-T美國晶振ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T貼片晶振ABM3C-12.000MHZ-D4Y-T艾博康貼片晶振ABLS-13.000MHZ-B4-T晶振ABLS-8.000MHZ-T插件晶振ASTX-H11-B-19.680MHZ-I25-T溫度補(bǔ)償晶振ASA-26.000MHZ-L-T石英晶體振蕩器ASFL1-50.000MHZ-EK-T艾博康有源晶振ASFL1-24.000MHZ-EC-T低功耗晶振ABLS7M-12.000MHZ-B-2-T貼片晶振ABM8G-12.000MHZ-18-D2Y-T進(jìn)口石英晶振ABM8G-25.000MHZ-B4Y-T美國SMD晶振ABLS3-8.000MHZ-D4Y-T石英晶體ABLS-8.000MHZ-D-T無源晶振ASTX-H11-B-20.000MHZ-I25-T溫度補(bǔ)償晶振AST3TQ-26.000MHZ-1溫補(bǔ)晶振ASA-12.000MHZ-L-T有源貼片晶振ASFL1-48.000MHZ-EK-T進(jìn)口SMD晶振ASFL1-66.666MHZ-EC-T晶振ABLS7M-16.000MHZ-B-2-T進(jìn)口石英晶振ABM3B-10.000MHZ-10-1-U-T艾博康貼片晶振ABM2-8.000MHZ-D4Y-T無源晶振

    ABLS3-16.000MHZ-D4Y-T插件晶振ABLS2-12.000MHZ-D4Y-T晶體諧振器ASTX-H11-B-24.000MHZ-I25-T溫度補(bǔ)償晶振AST3TQ-T-25.000MHZ-50-C溫補(bǔ)晶振ASA-40.000MHZ-L-T美國進(jìn)口晶振ASFL3-24.000MHZ-EK-T帶電壓晶振ASE-12.000MHZ-ET有源晶振ABM3B-155-12.800MHZ-T艾博康貼片晶振ABM3-10.0000MHZ-D2Y-T美國SMD晶振ABM3-12.000MHZ-D2Y-T石英晶體ABLS3-3.6864MHZ-D4Y-T無源晶振ABLS-7.3728MHZ-T美國進(jìn)口晶振ASTX-H11-B-26.000MHZ-I25-T溫度補(bǔ)償晶振ASFL1-27.000MHZ-L-T有源晶振ASE2-22.000MHZ-ET美國進(jìn)口晶振ABM8-24.000MHZ-B2-T石英晶體ABM8-16.000MHZ-B2-T石英晶體諧振器ABS06-107-32.768KHZ-T美國晶振ASE-25.000MHZ-ET艾博康有源晶振ASEK2-32.768KHZ-LRT低功耗晶振ASE3-25.000MHZ-EK-T有源晶振ABM8G-14.7456MHZ-18-D2Y-T艾博康貼片晶振ABM8AIG-27.000MHZ-12-2Z-T3無源晶振ABM3-24.000MHZ-D2Y-T貼片晶振ABM8AIG-24.000MHZ-12-2Z-T3進(jìn)口石英晶振ABLS3-4.000MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-20.000MHZ-B4-T插件晶振ASTX-H11-19.200MHZ-I25-T溫度補(bǔ)償晶振AST3TQ-40.000MHZ-5溫補(bǔ)晶振ASTXR-12-38.400MHZ-514054-T溫補(bǔ)晶振ASA-60.000MHZ-L-T艾博康有源晶振ASFL1-16.384MHZ-EC-T低功耗晶振ASE-24.000MHZ-ET石英晶體振蕩器ABM10-16.000MHZ-E20-T美國SMD晶振ABM3B-20.000MHZ-10-1-U-T無源晶振ABM3-16.000MHZ-B2-T石英晶體諧振器ABLS3-15.000MHZ-D4Y-T晶體諧振器ABLS-3.6864MHZ-DT艾博康晶振ASTX-H12-20.000MHZ-T溫補(bǔ)晶振ASA-19.200MHZ-L-T進(jìn)口SMD晶振ASFL1-27.000MHZ-EC-T晶振ASE-50.000MHZ-ET有源貼片晶振ABMM-7.3728MHZ-B2-T無源晶振ABM8G-16.000MHZ-B4Y-T石英晶體ABM8AIG-16.384MHZ-12-2Z-T3美國晶振ABLS3-4.9152MHZ-D4Y-TD-106.250MHZ-ZK-E-T3石英晶體振蕩器ASTX-H12-44.000MHZ-T溫度補(bǔ)償晶振ASCO2-19.200MHZ-EK-T3歐美進(jìn)口晶振ABLS-6.000MHZ-B4-T美國進(jìn)口晶振ASTMHTE-8.000MHZ-ZK-E-T3石英晶體振蕩器美國進(jìn)口晶振ABLS-14.7456MHZ-B4H-T晶振ASTX-H11-13.000MHZ-I25-T溫度補(bǔ)償晶振ASTXR-12-26.000MHZ-512883溫補(bǔ)晶振ASA-20.000MHZ-L-T帶電壓晶振ASCO2-20.000MHZ-EK-T3歐美進(jìn)口晶振ASFL1-11.0592MHZ-L-T有源貼片晶振ASCO-8.000MHZ-EK-T3進(jìn)口SMD晶振ASTX-H12-40.000MHZ-T溫度補(bǔ)償晶振ASCO-25.000MHZ-EK-T3低功耗晶振ASFL1-4.000MHZ-EC-T美國進(jìn)口晶振ASFL3-16.000MHZ-EK-T帶電壓晶振ABMM-8.000MHZ-B2-T晶振ABM2-13.000MHZ-D4Y-T進(jìn)口石英晶振ABM8AIG-26.000MHZ-12-2Z-T3美國SMD晶振ABM3B-24.000MHZ-10-1-U-T石英晶體諧振器ABM8AIG-22.1184MHZ-12-2Z-T3貼片晶振AST3TQ53-T-24.576MHZ-5-C溫補(bǔ)晶振ABLS3-9.8304MHZ-D4Y-T艾博康晶振ABLS-3.6864MHZ-B4-T石英晶體ASTX-H11-16.000MHZ-I25-T溫度補(bǔ)償晶振AST3TQ-10.00MHZ-1溫補(bǔ)晶振ASCO2-10.000MHZ-EK-T3低功耗晶振ASFL1-3.6864MHZ-L-T石英晶體振蕩器ASEK-32.768KHZ-LRT艾博康有源晶振ABLS3-6.000MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-5.000MHZ-B4-T晶體諧振器ASTMHTASTX-H11-B-13.000MHZ-I25-T溫度補(bǔ)償晶振ASFL3-20.000MHZ-EK-T低功耗晶振ASE-40.000MHZ-ET進(jìn)口SMD晶振ASFL1-14.7456MHZ-EK-T晶振ASV-50.000MHZ-EJ-T石英晶體振蕩器ABM3C-32.000MHZ-D4Y-T美國SMD晶振ABM7-25.000MHZ-D2Y-T石英晶體ASE2-50.000MHZ-ET帶電壓晶振ASDK-32.768KHZ-LRT有源晶振ASV-11.0592MHZ-E-T有源貼片晶振ABM10AIG-27.000MHZ-4Z-T3無源晶振ABM8G-16.000MHZ-18-D2Y-T石英晶體諧振器ASE2-30.000MHZ-ET低功耗晶振ASDK2-32.768KHZ-LRT石英晶體振蕩器ASV-50.000MHZ-E-T美國進(jìn)口晶振ABM10AIG-32.000MHZ-4Z-T3石英晶體ASV-3.6864MHZ-E-T艾博康有源晶振ABM7-25.000MHZ-D2Y-T石英晶體ASE2-50.000MHZ-ET帶電壓晶振ASDK-32.768KHZ-LRT有源晶振ASV-11.0592MHZ-E-T有源貼片晶振ASTX-H11-B-32.000MHZ-I25-T溫度補(bǔ)償晶振

   7Z-38.400MDG-T溫補(bǔ)晶振7L-40.000MCS-T臺灣進(jìn)口晶振8P26000003溫度補(bǔ)償晶振7Z38471001溫補(bǔ)晶體振蕩器7Z-26.000MDG-T溫補(bǔ)晶體振蕩器7W99000001貼片晶振7X50000008石英晶振7W24073001進(jìn)口有源晶振8W-12.000MBB-T有源晶振8P26070001溫補(bǔ)石英晶振7Q-20.000MBN-T溫度補(bǔ)償晶振AC01077001石英晶振7X50000005晶振7W24000030臺灣晶技晶振7P-26.000MBP-T溫度補(bǔ)償晶振7WA1200001臺灣晶技晶振7C-48.000MBB-T臺晶晶振7C25070001晶振TD-14.31818MDE-T臺產(chǎn)晶振7WA0000008臺灣進(jìn)口晶振7P-25.000MBP-T溫補(bǔ)晶振7C80000014石英晶體振蕩器7C-25.000MBB-T貼片晶振7W24700035臺產(chǎn)晶振TD02000001石英晶體振蕩器8P26070004臺灣TCXO晶振7Q-24.000MBN-T溫補(bǔ)石英晶振7P-19.200MBP-T溫補(bǔ)石英晶振7WA0000010有源晶振7C-27.000MBB-T臺灣進(jìn)口晶振7C25000141低電源電壓晶振TDA0077001臺晶晶振7Z26000001晶振7Q-24.000MBG-T臺灣TCXO晶振7C-33.3330MBB-T有源晶振7C25000187低老化晶振TC-8.192MDE-T臺灣晶技晶振7XZ-32.768KDE-T石英晶振7Q-27.000MBG-T溫補(bǔ)晶振7Q19201001臺灣TCXO晶振7CA0000009臺產(chǎn)晶振TA-40.000MDE-T晶振TD-12.000MBD-T臺灣晶技晶振7N-38.400MBP-T溫補(bǔ)晶體振蕩器7C83330001臺晶晶振7C-44.000MBB-T石英晶體振蕩器7W-8.000MBB-T貼片晶振7Q-38.400MBG-T溫補(bǔ)晶體振蕩器7Q-16.000MCG-T臺灣TCXO晶振7C25002005高性能晶振7N-40.000MBP-T溫度補(bǔ)償晶振7W-50.000MBB-T臺灣進(jìn)口晶振7Q-40.000MBG-T溫度補(bǔ)償晶振7Q13000022溫補(bǔ)石英晶振7WA2500007進(jìn)口有源晶振7W-60.000MAB-T臺灣晶技晶振7C25077004石英晶振

   TD-14.7456MBE-T低電源電壓晶振7W-24.576MBA-T有源晶振7Q-12.800MCG-T溫補(bǔ)石英晶振8N04020001進(jìn)口有源晶振7C27000012貼片晶振TD-20.000MDE-T低老化晶振7X-19.200MBA-T石英晶體振蕩器TC-80.000MBE-T進(jìn)口有源晶振7Q19204003溫補(bǔ)晶振6U27000082低電源電壓晶振8N24020001臺產(chǎn)晶振7C27000014臺灣進(jìn)口晶振TD-22.1184MBE-T高性能晶振TD-24.576MBD-T臺晶晶振7Q-20.000MCG-T溫補(bǔ)晶振7Q20002001溫補(bǔ)晶體振蕩器BB-100.000MCE-T低老化晶振8N26070002低電源電壓晶振7C33000057有源晶振7N24570001溫補(bǔ)晶體振蕩器7Q24002001溫度補(bǔ)償晶振BB-106.250MCE-T高性能晶振8N26070003低老化晶振7W24070010石英晶體振蕩器TA-44.000MBE-T石英晶振TC-20.000MBD-T進(jìn)口有源晶振7X-26.000MBA-T高性能晶振8W62570002高性能晶振7W25000041臺晶晶振TB-80.000MDE-T貼片晶振TC-12.000MBD-T臺產(chǎn)晶振7X-25.000MBA-T晶振7Z26020001臺灣TCXO晶振BB-166.000MCE-T貼片有源晶振7X50072003晶振7W33300026臺灣晶技晶振TB22500001臺灣進(jìn)口晶振7X-30.000MBA-T低電源電壓晶振7X-48.000MBA-T石英晶振7Z26021001溫補(bǔ)晶振BF-156.250MCE-T貼片有源晶振7X34080001低電源電壓晶振7W48070010進(jìn)口有源晶振7W-18.432MBE-T有源晶振7X-12.000MBA-T低老化晶振7L-19.200MCS-T貼片晶振7X38180001低老化晶振7X33380003臺產(chǎn)晶振7W20000025石英晶體振蕩器7L40081002溫補(bǔ)石英晶振BB-125.000MCE-T貼片有源晶振7X48000009高性能晶振7W20000034臺晶晶振