從培育人工水晶到生產(chǎn)晶體諧振器、晶體振蕩器,京瓷晶振集團(tuán)作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的大企業(yè),貫徹一條龍式的研發(fā)與生產(chǎn),面向全球市場提供大量石英貼片晶振產(chǎn)品.至始至終京瓷都發(fā)揮集團(tuán)的綜合實(shí)力,用獨(dú)有的技術(shù)和視角實(shí)現(xiàn)符合時(shí)代與市場要求社會價(jià)值.下面所介紹到的是京瓷石英晶體制造工藝（英文版）.

FMI CRYSTAL作為標(biāo)準(zhǔn)通信公司的專屬供應(yīng)商,我們成立于1971年,30多年來,我們一直為通信市場提供快速交付和嚴(yán)格公差,晶振,石英晶體和晶體振蕩器.1992年,頻率管理已擴(kuò)展到OEM市場.

FMI頻率管理國際公司成立的目的是為各種行業(yè)的各種電子系統(tǒng)應(yīng)用提供頻率和時(shí)序控制的工程解決方案.FMI Crystal是一家真正以解決方案為導(dǎo)向的美國制造商.我們目前向各個(gè)細(xì)分市場供應(yīng)產(chǎn)品,包括：軍事,航空電子學(xué),控制系統(tǒng),無線通信,工業(yè)控制,汽車系統(tǒng),電腦周邊,LAN/WAN,以及智能家電等領(lǐng)域.

高可靠性-極端溫度晶體,振蕩器和傳感器,適用于極端環(huán)境條件,包括高沖擊和振動,極端溫度和高壓.我們的SMD晶振,石英晶體振蕩器產(chǎn)品提供標(biāo)準(zhǔn)和定制表面貼裝（SMT,SMD）和通孔封裝.

FMI晶振設(shè)計(jì),生產(chǎn)和質(zhì)量流程以及標(biāo)準(zhǔn)是我們所有商業(yè)和高可靠產(chǎn)品中固有的.我們專注于極端環(huán)境解決方案和產(chǎn)品,包括極端溫度石英貼片晶振,晶體振蕩器,VCXO和傳感器用于井下應(yīng)用,包括石油鉆探,天然氣和石油勘探,地?zé)岷蜔嵋?以及軍事和太空的專業(yè)應(yīng)用.

同時(shí),FMI晶振集團(tuán)目前向各種商業(yè)/工業(yè)市場提供產(chǎn)品,包括：計(jì)算機(jī)外圍設(shè)備,工業(yè)儀器儀表,LAN/WAN,光網(wǎng)絡(luò),過程控制,電信和無線產(chǎn)品.我們專注于高質(zhì)量的壓控溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（VCTCXO）,壓控晶體振蕩器（VCXO）,溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO晶振）,晶體時(shí)鐘振蕩器（XO晶振）和石英晶體采用表面貼裝和通孔封裝.我們提供石英晶體和擁有源晶振,晶體振蕩器產(chǎn)品的定制解決方案,從發(fā)研發(fā)設(shè)計(jì)到交付,快速周轉(zhuǎn).

我們對卓越的承諾不僅體現(xiàn)在我們的頻率控制產(chǎn)品中,而且體現(xiàn)在我們所有客戶所接受的服務(wù)水平上.對于高可靠性頻率控制解決方案和無可挑剔的服務(wù),FMI晶振一直做的很周到.

作為美國國內(nèi)制造商,我們擁有必要的生產(chǎn),工程和物流資源,以支持您對石英晶體和晶體振蕩器的設(shè)計(jì),原型和制造需求.我們的工業(yè)和高可靠性應(yīng)用產(chǎn)品范圍從高可靠性石英晶體和時(shí)鐘振蕩器到VCTCXO和鎖相源.我們的產(chǎn)品提供傳統(tǒng)的通孔封裝和表面貼裝（SMD）封裝,包括最小的封裝.設(shè)計(jì),生產(chǎn)和質(zhì)量流程是我們所有工業(yè)和高可靠性產(chǎn)品系列中固有的,包括用于井下應(yīng)用,工業(yè)應(yīng)用以及太空應(yīng)用的產(chǎn)品.

FMI石英晶振,有源晶振產(chǎn)品適用于：商業(yè)空間應(yīng)用,石油鉆井井下應(yīng)用和地?zé)釕?yīng)用-聚焦極端溫度設(shè)計(jì),這些都是全球工程界廣泛討論的問題.FrequencyManagement非常自豪能夠?yàn)檫@些行業(yè)的客戶制造高可靠性石英晶體和高可靠性時(shí)鐘晶體振蕩器,貼片晶振.

FMI為各行各業(yè)提供：

高性能-經(jīng)濟(jì)高效的解決方案

標(biāo)準(zhǔn)形狀因素|足跡和定制設(shè)計(jì)解決方案

關(guān)于質(zhì)量保證計(jì)劃的持續(xù)支持,追求最高水平的客戶滿意度

FMI晶振的性能和可靠性,準(zhǔn)時(shí)交付和競爭成本

FMI晶振公司的石英晶體和晶體振蕩器產(chǎn)品解決方案主要針對工業(yè)控制,能源探索和生產(chǎn),航空電子和太空,無線系統(tǒng)（XBee等）,智能設(shè)施,先進(jìn)的高速4G網(wǎng)絡(luò)和固態(tài)存儲,極低功耗和電池供電關(guān)鍵應(yīng)用的解決方案.

FMICrystal致力于實(shí)現(xiàn)我們所有產(chǎn)品的最佳質(zhì)量和可靠性,從產(chǎn)品開發(fā)到制造和交付,我們在運(yùn)營的每個(gè)階段都強(qiáng)調(diào)質(zhì)量.

發(fā)展歷程

2017-質(zhì)量體系升級至ISO9001：2015

2014-FMI根據(jù)MIL-PRF-55310獲得QPL認(rèn)證

2014-頻率管理國際和SCS嵌入式技術(shù)公司簽訂分銷合作協(xié)議;新聞稿

2012-FMI獲得MIL-STD-790認(rèn)證

2011-首款+300ºC混合晶體時(shí)鐘振蕩器,具有確定的使用壽命可靠性

2010-質(zhì)量體系升級至ISO9001：2008

2009-FMI推出其首款高溫VCXO晶振,工作溫度范圍為+205ºC

2008-質(zhì)量體系通過ISO9001：2000認(rèn)證

2007-成功引入極低線性壓電溫度傳感器,工作溫度范圍為-50ºC至+350ºC

2006-推出首款商用封裝晶體諧振器,工作溫度范圍為-80ºC至+490ºC

2005-FMI推出首款SMD陶瓷5x7mm晶體振蕩器,用于極低溫操作至-180ºC

2004-頻率管理國際推出其極端環(huán)境頻率控制產(chǎn)品

2003年-公司重組并制定了新的市場焦點(diǎn)路線圖

FMI晶振的環(huán)境政策

作為晶體和振蕩器產(chǎn)品的制造商,FMI Crystal致力于保護(hù)全球環(huán)境,并相信環(huán)境可持續(xù)性在良好的商業(yè)實(shí)踐中起著關(guān)鍵作用.我們將繼續(xù)開發(fā)和維護(hù)計(jì)劃和程序,以便在我們的所有業(yè)務(wù)運(yùn)營中保持環(huán)保意識.

FMI在頻率控制設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造方面提供卓越的解決方案,同時(shí)提供業(yè)內(nèi)已知的最高質(zhì)量的客戶服務(wù)質(zhì)量.我們專注于優(yōu)質(zhì)石英貼片晶振,晶體振蕩器,定制解決方案以及從概念到交付的快速周轉(zhuǎn).我們的專業(yè)技術(shù)人員提供最佳設(shè)計(jì)解決方案,為高科技市場的客戶提供長期價(jià)值,包括（但不限于）通信,商業(yè)空間,石油鉆探,地?zé)?工業(yè),高可靠性,軍事和航空航天.

歐美晶振品牌在國內(nèi)使用越來越多,為滿足客戶產(chǎn)品需求,億金電子提供歐美晶振包括美國晶振,英國晶振,荷蘭晶振等多個(gè)國家知名品牌,各種封裝尺寸,規(guī)格型號齊全.我們都知道幾乎所有電子設(shè)計(jì)的關(guān)鍵組件之一都是石英晶體諧振器.在今天的新應(yīng)用開發(fā)中,對石英晶振晶體的要求是多種多樣的.需要很好地理解石英晶體諧振器的物理和實(shí)際能力,以便在設(shè)計(jì)期間正確選擇該元件.

石英晶體-晶體振蕩器-射頻和微波產(chǎn)品是FCD-Tech晶振集團(tuán)的核心業(yè)務(wù).我們提供全系列的石英晶體,晶體振蕩器（VCXO,TCXO,OCXO,PXO,微波振蕩器）,晶體濾波器和微波產(chǎn)品.下面所要介紹到的是荷蘭FCD-Tech晶振產(chǎn)品統(tǒng)計(jì).

對于設(shè)計(jì)工程師而言,要正確選擇何種類型的晶體,并不總是那么容易.FCD-Tech可以幫助找到符合電子應(yīng)用要求的正確晶體類型.我們提供各種不同的貼片晶振封裝以及插件封裝,可在很寬的頻率范圍內(nèi)使用.

1、石英晶振晶體：

FCD-Tech晶體諧振器具有SMD封裝和IDP封裝,具有2016mm~8045mm體積,基于連接到晶體諧振器的電子元件的負(fù)載的初始頻率,具有多種頻率容差供應(yīng)客戶選擇.在一定溫度范圍內(nèi)的頻率容差,以及耐高溫度,ESR等效串聯(lián)電阻等重要參數(shù)為用戶提供多種選擇.

荷蘭FCD-Tech晶振具有不同類型的晶體切割覆蓋從千赫茲（如32.768KHz）到超過100MHz的頻率范圍.通常,XY切割晶體用于低頻晶體.AT切割晶體從1MHz到40MHz（通常）開始,并且能夠在泛音模式（第3,第5,第7）下工作.BT切割晶體具有與AT切割晶體幾乎相同的特性,但只能在基模下工作.FCD-Tech晶振所維持SC切割晶體主要用于高端應(yīng)用,因?yàn)樗哂袔讉€(gè)優(yōu)異的特性.這些是最常見的水晶切割.

2、水晶濾波器：除了適用于10.7MHz,21.4MHz和45MHz MCF的標(biāo)準(zhǔn)晶體濾波器,我們還提供定制設(shè)計(jì)的晶體濾波器,適用于從消費(fèi)者到軍事環(huán)境中使用的許多不同應(yīng)用.

SAW聲表面諧振器用于許多使用石英晶體的相同應(yīng)用中,因?yàn)樗鼈兛梢砸愿叩念l率工作.它們通常用于無需可調(diào)諧性的無線電發(fā)射機(jī)中.SAW諧振器的頻率范圍為224MHz至820MHz,自定義設(shè)計(jì)單位的選項(xiàng).

3、石英晶體振蕩器：

石英晶體振蕩器系列涵蓋從標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格到定制設(shè)計(jì)振蕩器的各種類型,以滿足應(yīng)用要求.HCMOS,LVPECL,Clipped Sine wave和Sine Wave中的輸出邏輯.需要時(shí)可以滿足低相位噪聲和低抖動數(shù)字.SMD和DIP封裝適用于不同的振蕩器組：

XO（晶體振蕩器）、VCXO（壓控晶體振蕩器）、TCXO（溫度控制晶體振蕩器）、OCXO（烤箱控制晶體振蕩器）、微波振蕩器、PLXO（鎖相晶體振蕩器、SPXO（低相位噪聲封裝晶體振蕩器）

晶體振蕩器許多電子應(yīng)用需要滿足某些特性的頻率源才能正確操作.有源晶振,石英晶體振蕩器是為這些應(yīng)用提供輸出信號的頻率源.有各種類型的晶體振蕩器（也表示為XO晶振）.根據(jù)設(shè)計(jì),石英晶體振蕩器的輸出信號可以是CMOS,差分LVPECL,LVDS,Clipped Sine Wave或True Sine Wave.有源晶振,石英晶體振蕩器封裝還有很多選擇：各種尺寸的SMD和通孔（THD）.

4、射頻和微波產(chǎn)品：除定制設(shè)計(jì)的微波產(chǎn)品外,FCD-Tech還提供一系列特定單元作為模塊或用于19英寸標(biāo)準(zhǔn)機(jī)架.我們的產(chǎn)品組合包括下變頻器,上變頻器,多耦合器（適用于L-,S-,C-,X-,Ku-波段）,放大器（LNA,寬帶,雙通道）,組合器分離器,DLVA,晶體振蕩器（雙通道） PLL合成器,PLDRO）,高功率限制器和IF開關(guān)矩陣.

5、關(guān)電晶體傳感器（熱敏晶振）:一系列石英晶體傳感器,可高精度測量質(zhì)量,溫度,力和壓力.使用石英晶體微量天平測量質(zhì)量,我們提供幾種類型的監(jiān)控石英晶體和測試設(shè)備.帶溫度傳感器熱敏晶振和溫度控制器,用于高精度定位.熱敏石英晶體和石英壓力晶體是高性能部件,可以高精度測量.如果您有任何疑問或需要支持以找到正確的石英晶振晶體,請通過電子郵件或致電0755-27876565.

   韓國SUNNY晶振成立于1966年9月15日,主要為生產(chǎn)銷售石英晶體振蕩器,貼片晶振,SUNNY石英晶體,小體積晶振晶體,晶體諧振器,晶體濾波器,恒溫晶體振蕩器等產(chǎn)品.SUNNY 晶振發(fā)展至今50多年,一直為用戶提供高性能,低功耗產(chǎn)品.

   三呢電子為滿足人工智能,物聯(lián)網(wǎng),大數(shù)據(jù),移動和先進(jìn)的信息和通信技術(shù)發(fā)展對小型電子元件的需求,不斷研發(fā)制造,高可靠性,微小型,高精度的石英貼片晶振,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器等產(chǎn)品.

   韓國三呢晶振發(fā)展歷史

   基于通過降低成本提高盈利能力,Sunny Electronics專注于開發(fā)可以引領(lǐng)下一代市場的多功能,高附加值產(chǎn)品和質(zhì)量改進(jìn).并且制造具備高性能,低老化,寬溫度的有源晶振,車載晶振,石英晶體振蕩器,用汽車電子,工業(yè)機(jī)械設(shè)備,并獲得AEC-Q200認(rèn)證.

   我們將通過不斷創(chuàng)新進(jìn)一步拓展現(xiàn)有業(yè)務(wù),并通過各種挑戰(zhàn)和學(xué)習(xí),努力發(fā)現(xiàn)未來的新增長業(yè)務(wù). 我們將盡最大努力履行客戶和我們的股東給予我們的愛和信任的社會責(zé)任.

美國Abracon晶振成立于1992年8月5日,專為研發(fā)生產(chǎn)石英晶體振蕩器,貼片晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體諧振器等頻率元件.擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的生產(chǎn)技術(shù),發(fā)展至今在加利福尼亞州,中國,德國,臺灣,蘇格蘭,新加坡,德克薩斯州等地設(shè)有生產(chǎn)銷售基地,所生產(chǎn)的材料均選用無鉛無害環(huán)保材料,具有高可靠使用特性,獲得廣大用戶認(rèn)可.多年來Abracon晶振集團(tuán)為用戶提供了大量優(yōu)秀產(chǎn)品,并且為用戶提供多種產(chǎn)品解決方案以及技術(shù)支持服務(wù).

Abracon晶振提供先進(jìn)的專有Pierce分析儀測試服務(wù)（PAS）驗(yàn)證石英晶振晶體性能和在線長期運(yùn)行.維持振蕩的能力對于給定的石英晶體振蕩器設(shè)計(jì),很大程度上取決于石英晶振晶體的運(yùn)動參數(shù),電路板寄生效應(yīng)和振蕩器電路特性. 振蕩器電路是閉環(huán)系統(tǒng),根據(jù)工作頻率維持.石英晶振,晶體振蕩器參數(shù)包括晶體電鍍電容（CL）,晶體等效系列電阻（ESR）,外部負(fù)載電容,振蕩放大器增益和相位響應(yīng).PAS測試服務(wù)提供所有變量的直接測量與石英晶體振蕩有關(guān).考慮到所有變量,Abracon工程就是能夠提供優(yōu)化的解決方案和詳細(xì)報(bào)告,包括：

運(yùn)動參數(shù)（Cm,Lm,ESR,Co）、窄帶頻率響應(yīng)圖、寬帶頻率響應(yīng)圖、準(zhǔn)入與受益情節(jié)、頻率依賴性與負(fù)載電容曲線、電路設(shè)計(jì)余量計(jì)算、實(shí)現(xiàn)最佳操作點(diǎn)的建議等.

美國Abracon晶振提供的系統(tǒng)內(nèi)調(diào)諧服務(wù),美國艾博康晶振為貼片晶振和芯片天線提供系統(tǒng)內(nèi)調(diào)諧服務(wù).通過表征在終端系統(tǒng)或產(chǎn)品中的天線性能,該服務(wù)需要猜測工作退出RF驗(yàn)證,同時(shí)提供糾正措施,重新調(diào)整系統(tǒng)的中心頻率和阻抗不匹配.這提供了最大的系統(tǒng)效率許多好處包括,擴(kuò)展射頻范圍,提高靈敏度,并可以減少給定傳輸范圍的所需功耗.

美國Abracon晶振提供的系統(tǒng)內(nèi)調(diào)諧服務(wù)適用于覆蓋的APAE和APA系列無源貼片天線各種射頻頻段,從幾MHz到幾千MHz,適用于RFID,GPS等應(yīng)用GLONASS,LPWA,WiFi,ISM無線電和銥星.貼片晶振結(jié)構(gòu)緊湊,性能優(yōu)異耦合增益,易于使用.但是,由于布局可能會發(fā)生晶振頻率偏移,接近其他組件和地平面的設(shè)計(jì).如果去中心調(diào)整在測試過程中發(fā)現(xiàn)頻率,貼片石英晶振設(shè)計(jì)可以進(jìn)行微調(diào)特定的設(shè)備環(huán)境.這些調(diào)整與布局相匹配,以獲得最大增益申請的中心頻率.

良好的增益可以提高應(yīng)用的靈敏度,例如藍(lán)牙,藍(lán)牙低能量（BLE）,WiFi/WLAN和Zigbee.這些貼片晶振,貼片有源晶振,石英晶體振蕩器需要匹配的網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化晶振阻抗從而提高效率.輸入阻抗使用電感器和電容器等集總元件匹配中心諧振的頻率.更高的效率可確保更多的輻射功率并增加天線范圍.該測試需要一個(gè)功能齊全的系統(tǒng)運(yùn)往Abracon,通常需要4個(gè)幾周完成.

   Cardinal差分晶振型號

   Cardinal差分晶振代碼

   隨著石英晶振在智能產(chǎn)品中的使用率不斷上漲,村田在近兩年也加入了研發(fā)生產(chǎn)石英晶體的隊(duì)伍,并且取得較好的成果.村田以獨(dú)特的技術(shù)生產(chǎn)石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器用于產(chǎn)品中在實(shí)現(xiàn)了超薄,超小封裝尺寸的同時(shí)依舊能夠保持精度穩(wěn)定起振快.以下是億金電子所提供的村田有源晶振無源晶振代碼,歡迎廣大用戶收藏選用.

   XRCGB30M000F3M00R0進(jìn)口晶振XRCGB32M000FAN00R0貼片晶振XRCGB50M000F0L00R0村田晶體諧振器XRCGB24M000F0L00R0村田SMD晶振XRCHJ16M000F1QB1P0貼片晶振XRCGB27M000F0Z00R0貼片晶振XTCHH21M250TJEA0P0村田石英晶振XNCJH38M400TJEA3P0村田石英晶振XNCJH10M000TJEA8P0村田石英晶體振蕩器XNCJH52M000TJEA0P0村田石英晶體振蕩器XNCJH15M300TJEA0P0有源晶振XNCHH52M000TJEA1P0村田石英晶振XRCGB26M000F1H00R0貼片晶振XRCGB24M000F3G00R0村田石英晶振XRCLK10M000F1QA8J1村田晶振XRCJH40M000F1QB2P0村田貼片晶振XRCHJ52M000F1QA0P0小體積SMD晶振XRCJK13M000F1QA3P0貼片晶振XRCJH16M000F1QB5P0村田貼片晶振XRCMD32M000FXP50R0石英晶體XRCGB26M000F3M01R0村田晶體諧振器XRCGB27M000FAN00R0村田貼片晶振XRCLH52M000F1QA1P0石英晶振XRCJH36M000F1QA1P0小體積石英貼片晶振XRCLH14M745F1QA0P0進(jìn)口晶振XRCHA16M000F0Z01R0村田SMD晶振XTCJH52M000TJEA5P0村田貼片晶振XRCLH14M745F1QA0P0村田石英晶振XRCJH16M000F1QB5P0石英晶振XRCHH40M000F1QB3P0石英晶振XRCGB24M000F2P01R0小體積SMD晶振XRCLK14M745F1QB6P0石英晶振CSTLS24M0X51Z-A0村田晶振CSTCE11M6G55Z-R0陶瓷晶體CSTLS6M75G53-B0壓電陶瓷晶體CSTLS25M0X51-A0諧振器CSTCR7M37G55B-R0壓電陶瓷晶體CSTCR4M00G53W-R0陶瓷晶振CSTCW33M0X51-R0村田晶振CSTCV24M0X53Q-R0陶瓷諧振器CSTCW27M0X51R-R0壓電陶瓷晶體CSTCE19M6V51-R0進(jìn)口陶瓷晶振CSTLS6M60G56-A0陶瓷晶振XRCJK26M000F1QC3P0小體積貼片晶振XNCHH10M000TJEA2P0村田貼片晶振XTCLH19M200TJEC4P0有源晶振XTCJH16M800TJEB0P0村田石英晶振XTCHH20M950TJEA0P0村田晶振XNCJH28M800TJEA1P0村田晶振CSTLS3M84G53-A0陶瓷諧振器CSTLS16M0X53-B0村田陶瓷晶振CSTCR7M37G55-R0陶瓷晶振CSTCR4M00G53U-R0諧振器CSTCE12M0G15C99-R0村田陶瓷晶振CSTLS8M38G53Z-B0進(jìn)口陶瓷晶振XNCHH15M300TJEA0P0村田晶振XTCLH19M200TJJC3P0日本貼片晶振XTCJH19M200TJEB6P0村田石英晶體振蕩器XTCLH26M000TJEA7P0村田石英晶振XTCHH10M000TJEA3P0有源晶振XRCGB27M120F3G00R0晶振XRCGB27M120F3M00R0日本進(jìn)口晶振XRCGB30M000F3M01R0村田石英晶振XRCGB32M000FAP11R0進(jìn)口晶振XRCGB50M000F4M00R0石英晶體XTCLH40M000TJEB0P0貼片晶振XNCHH38M400TJEB3P0日本村田晶振XRCLH10M000F1QA4P0日本村田晶振XRCLK21M250F1QA8J1村田石英晶振XNCHH16M800TJEA3P0村田石英晶體振蕩器XTCLH21M250TJEA0P0村田貼片晶振XTCJH28M800TJEA0P0貼片晶振XTCHH28M800TJEA0P0有源晶振XRCLH14M745F1QA0J1貼片晶振XRCHA16M000F0L01R0村田晶振XRCJK24M576F1QA0P0日本村田貼片晶振

日本京瓷晶振成立于1982年,憑借高超的生產(chǎn)技術(shù),先進(jìn)的服務(wù)理念發(fā)展成為國際知名品牌,在業(yè)內(nèi)享有重要聲譽(yù).京瓷晶振集團(tuán)在全球的事業(yè)涉及原料、零件、設(shè)備、機(jī)器,以及服務(wù)、網(wǎng)絡(luò)等各個(gè)領(lǐng)域.所生產(chǎn)的石英晶體,貼片晶振產(chǎn)品更是獲得國內(nèi)廣大用戶一致認(rèn)可.以下為億金電子進(jìn)口晶振代理商所提供的京瓷石英貼片晶振編碼,歡迎下載查閱.

CX2016DB27120B0HLLC1石英晶振CX3225GA40000D0PTVCC石英晶振CX2016DB24000D0GEJCC進(jìn)口晶振CX2016DB25000H0FLJC1石英晶體諧振器CX3225SB12000D0GZJC1貼片晶振CX3225SB24576H0KESZZ貼片晶振ST3215SB32768C0HPWBB京瓷貼片晶振CX2520DB19200D0FLJC2無源晶振CX3225GB38400D0HPQCC石英晶體諧振器CX3225GB18432D0HEQCC貼片晶振CX3225GB38400P0HPQZ1貼片晶振CX3225SB48000D0FPJC2進(jìn)口SMD晶體CX3225SB38400D0FLJCC京瓷貼片晶振CX2520DB12000D0GPSC1石英晶體諧振器CX3225SB14745H0KPQCC石英晶體諧振器CX3225GB10000D0HPQZ1石英晶體諧振器CX2520DB16000D0GEJCC進(jìn)口SMD晶體CX2520DB27000D0FLJC1進(jìn)口貼片晶振CX3225GB18432P0HPQCC無源晶振CX2520DB32000D0WZRC1石英晶體諧振器CX3225GB14318P0HPQZ1石英晶體諧振器CT1612DB38400C0FLHA1晶振CX3225SB38400H0FLJCC進(jìn)口SMD晶體CX2520DB13560D0GPSC1無源晶振ST3215SB32768H5HPWAA晶振CX3225GB19200P0HPQZ1晶振CX2016DB26000D0FLJCC進(jìn)口晶振CX2520DB26000H0FLJC2貼片晶振ST3215SB32768B0HSZA1石英晶振CX2016DB19200H0KFQC1無源晶振CX3225GB12000D0HPQZ1無源晶振CT2016DB19200C0FLHA1晶振CX3225SB24000H0FLJCC進(jìn)口晶振CX3225CA12000D0HSSCC京瓷貼片晶振CX2016DB24000D0FLJC6石英晶體諧振器CX2016DB48000D0GPSC1貼片晶振CX3225SB49152F0HELC1無源晶振CX3225GB14745P0HPQZ1無源晶振CX2016DB48000E0DLFA1石英晶振CX3225GA28636D0PTVCC晶振CX2520DB19200D0GPSC1進(jìn)口貼片晶振CX2016DB38400C0WPLA2進(jìn)口貼片晶振CX2520DB32000D0FLJZ1進(jìn)口貼片晶振CT2520DB19200C0FLHAF石英晶振CX3225SB27000H0FLJCC京瓷貼片晶振CX3225CA24000D0HSSCC進(jìn)口晶振CX3225SB32000D0FFFCC進(jìn)口貼片晶振CX3225GB16000P0HPQZ1進(jìn)口貼片晶振CX3225SB32000D0GPSCC進(jìn)口晶振CX3225SB32000D0PSTC1進(jìn)口晶振CX2016DB40000D0FLJZ1進(jìn)口晶振CX3225SB48000D0WPTC1貼片晶振CX3225GB16000P0HPQCC進(jìn)口SMD晶體ST3215SB32768H5HSZA1進(jìn)口貼片晶振CX3225GB54000P0HPQCC貼片晶振CX3225GB49152P0HPQCC石英晶振CX3225GB22579P0HPQZ1石英晶振CX2520DB16000D0FLJZ1進(jìn)口SMD晶體CX2520DB30000D0GEJCC進(jìn)口貼片晶振CX2520DB32000H0FLJC1石英晶振CX2520DB12000C0WLSC1晶振CX3225GB12000P0HPQCC京瓷貼片晶振CX2520DB32000D0GEJZ1京瓷貼片晶振ST3215SB32768C0HSZA1無源晶振CX2520DB16000H0FLJC1晶振CX3225SB32000D0FPLCC進(jìn)口SMD晶體CX2520DB12000D0FLJC1進(jìn)口SMD晶體CX2520DB32000D0FLJCC京瓷貼片晶振

TCXO晶振是一種通過內(nèi)置具有與石英晶體諧振器所具有的溫度特性正相反的特性的電路（即溫度補(bǔ)償電路）,來獲得可覆蓋寬溫溫度范圍的優(yōu)良的溫度特性的石英晶體振蕩器.以下為億金電子整理的NDK溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO晶振)功能應(yīng)用大全,歡迎收藏點(diǎn)評.

  小尺寸：1.6×1.2mm|尺寸：2.0×1.6mm|尺寸：2.5×2.0mm|尺寸：3.2×2.5mm|

  特征

  |車載對應(yīng)規(guī)格|

  |RTC模塊|對應(yīng)寬溫32.768K TCXO|對應(yīng)寬溫TCXO|帶有同一頻率的兩個(gè)輸出功能TCXO|

  |低電壓,且具有E/D功能的TCXO|帶有溫度感應(yīng)電壓輸出功能和Enable/Disable功能TCXO|具有CMOS輸出E/D功能的TCXO|

  |帶有AFC（頻率控制）功能|適用于高精度GPS|具有Enable/Disable(Stand-by)功能|標(biāo)準(zhǔn)型TCXO|

  |用于小型單元基站,基干網(wǎng)絡(luò)裝置的高精度TCXO晶振|用于高精度5G對應(yīng)器具,基干網(wǎng)絡(luò)裝置的TCXO|

國內(nèi)選擇進(jìn)口晶振品牌越來越多,除了我們所熟悉的KDS晶振,精工愛普生晶振,新西蘭瑞康晶振,美國CTS晶振,美國IDT晶振等品牌,像日本NAKA晶振,韓國SUNNY晶振,韓國LiHom晶振一些之前被我們所忽略掉的晶振品牌也越來越多的走進(jìn)我們的視野,更多的歐美品牌進(jìn)入國內(nèi)市場.

億金電子是國內(nèi)數(shù)一數(shù)二的晶振供貨商,十幾年來不斷為用戶推薦并提供高效的晶振產(chǎn)品,同時(shí)代理多家進(jìn)口晶振品牌,以滿足各領(lǐng)域客戶的產(chǎn)品需求.下面要給大家所介紹的就是韓國知名頻率元件制造商LiHom晶振,有關(guān)韓國LiHom晶振集團(tuán)的簡單介紹歡迎點(diǎn)評.

Lihom晶振成立于1976年,注冊資為1000萬美元,隨后在1986年成立水晶事業(yè)部,專為研發(fā)生產(chǎn)石英晶體振蕩器,壓電水晶振蕩子,貼片晶振,石英晶體諧振器,VCXO振蕩器,TCXO振蕩器等頻率元件.多年來,Lihom晶振一直不斷發(fā)展壯大,先后在韓國首爾,韓國金浦,中國東莞,青島等地建立工廠,致力于研發(fā)生產(chǎn)石英晶振產(chǎn)品,并且獲得ISO-14000環(huán)境認(rèn)證體系,以及ISO/TS16949等質(zhì)量體系認(rèn)證.韓國Lihom晶振被廣泛用于網(wǎng)絡(luò),通訊,數(shù)碼,航空,安防,智能家電,汽車系統(tǒng)等領(lǐng)域,具有高可靠,高性能,高精密,低損耗,低抖動,低相位噪音等特點(diǎn).

ILSI America LLC是歐美晶體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,以下我們簡稱為ILSI晶振,ILSIcrystal專業(yè)提供廣泛的頻率控制產(chǎn)品,主要業(yè)務(wù)是開發(fā)和供應(yīng)石英晶體振蕩器,貼片晶振,石英晶振,壓電晶體,陶瓷諧振器等產(chǎn)品,包括各種封裝類型的晶體振蕩器以及石英晶體諧振器.所提供的有源晶體振蕩器包括,時(shí)鐘振蕩器,MEMS振蕩器,VCXO晶體振蕩器,TCXO晶體振蕩器,TC-VCXO晶體振蕩器和OCXO晶體振蕩器產(chǎn)品.

ILSI晶振集團(tuán)所提供的石英貼片晶振產(chǎn)品均按照ILSI工廠控制系統(tǒng)的最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn).ILSI晶振因其快速靈活的供應(yīng)解決方案以及高品質(zhì)的頻率控制產(chǎn)品具有競爭力的價(jià)格而受到廣大用戶認(rèn)可.以下為億金電子所介紹的ILSI小體積貼片晶振支持智能電表無線射頻應(yīng)用型號,歡迎閱讀點(diǎn)評.

   臺灣晶技晶振英文名稱TXC晶振,成立于1983年,專業(yè)生產(chǎn)石英晶振,貼片晶振,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,有源晶振等頻率元件.所生產(chǎn)的晶振產(chǎn)品具有起振快,高品質(zhì),低損耗,高精度等特點(diǎn),是國內(nèi)上百家大型知名企業(yè)指定晶振品牌.

   億金電子代理臺灣TXC晶振提供各種封裝尺寸以及晶振型號編碼查詢,更有完美的晶振產(chǎn)品解決方案.以下為億金進(jìn)口晶振代理商所整理的TXC晶振不同體積12M晶振對應(yīng)的原廠料號查詢表.歡迎新老用戶收藏,方便下次選型參照使用.

   臺灣TXC晶振耳熟能詳,電子行業(yè)的人都知道,臺灣數(shù)一數(shù)二的頻率元件生產(chǎn)制造商,主要生產(chǎn)石英晶振,貼片晶振,有源晶振,石英晶體諧振器等.TXC晶振自成立以來發(fā)展至今快有40多年了,至始至終以服務(wù)客戶,以質(zhì)量,以交期為第一的發(fā)展理念.

   TXC晶振擁有先進(jìn)的技術(shù),高端儀器設(shè)備,訓(xùn)練有素的精英團(tuán)隊(duì),超前的創(chuàng)新思維,TXC晶振發(fā)展至今在國內(nèi)外,臺灣,香港,蘇州,泰國,馬來西亞,深圳,重慶等地設(shè)有研發(fā)生產(chǎn)基地,銷售辦事處遍布世界各地.

石英晶體諧振器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件,其基本結(jié)構(gòu)為:從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片(簡稱為晶片,它可以是正方形、矩形或圓形等),在它的兩個(gè)對應(yīng)面上涂敷銀層作為電極,在每個(gè)電極上各焊根引線接到管腳上,再加上封裝外殼就構(gòu)成了石英晶體振蕩器,簡稱為石英晶體或晶體、晶振。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝,也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。圖2.1是石英晶振結(jié)構(gòu)圖。圖22是一種金屬外殼封裝的石英晶體結(jié)構(gòu)示意圖。

石英晶振晶體的壓電效應(yīng)

若在石英晶體的兩個(gè)電極上加一電場,晶片就會產(chǎn)生機(jī)械變形。反之,若在晶振晶片的兩側(cè)施加機(jī)械壓力,則在晶片相應(yīng)的方向上將產(chǎn)生電場,這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。如果在晶片的兩極上加交變電壓,晶片就會產(chǎn)生機(jī)械振動,同時(shí)石英晶振晶片的機(jī)械振動又會產(chǎn)生交變電場。在一般情況下,晶振晶片機(jī)械振動的振幅和交變電場的振幅非常微小,但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時(shí),振幅明顯加大,比其他頻率下的振幅大得多,這種現(xiàn)象稱為壓電諧振,它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方向、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。

石英晶振晶體的符號和等效電路

石英晶體諧振器的符號和等效電路如圖23所示。當(dāng)晶體不振動時(shí),可把它看成一個(gè)平板電容器稱為靜電電容C,它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關(guān),一般約幾個(gè)pF到幾十pF。當(dāng)石英晶體諧振時(shí),機(jī)械振動的慣性可用電感L來等效。一般L的值為幾十mH到幾百mH.晶振晶片的彈性可用電容C來等效,C的很小,一般只有0.0002~0.lpF。

晶振晶片振動時(shí)因摩擦而造成的損耗用R來等效, 它的數(shù)值約為100g。由于晶片的等效電感很大,而C很小,R也小,因此回路的品質(zhì)因數(shù)Q很大,可達(dá)1000~10000。加上晶振晶片本身的諧振頻率基本上只與晶片的切割方向、幾何形狀、尺寸有關(guān),而且可以做得精確,因此利用石英晶體諧振器組成的諧振電路可獲得很高的頻率穩(wěn)定度。

關(guān)于晶振的信息億金電子在前面的文章中已經(jīng)提到過很多次了,大家有不懂的可以到億金新聞動態(tài)中了解.下面我們要說的是關(guān)于石英晶振晶片的由來以及石英晶振晶片的工作原理.

石英晶振晶片的由來

科學(xué)家最早發(fā)現(xiàn)一些晶體材料,如石英,經(jīng)擠壓就象電池可產(chǎn)生電流(俗稱壓電性),相反,如果一個(gè)電池接到壓電晶體上,石英晶體就會壓縮或伸展,如果將電流連續(xù)不斷的快速開「關(guān),晶體就會振動。

在1950年,德國科學(xué)家 GEORGE SAUERBREY研究發(fā)現(xiàn),如果在石英晶體,石英晶體諧振器的表面上鍍一層薄膜,則石英晶體的振動就會減弱,而且還發(fā)現(xiàn)這種振動或頻率的減少,是由薄膜的厚度和密度決定的,利用非常精密的電子設(shè)備,每秒鐘可能多次測試振動, 從而實(shí)現(xiàn)對晶體鍍膜厚度和鄰近基體薄膜厚度的實(shí)時(shí)監(jiān)控。從此,膜厚控制儀就誕生了。

薄薄圓圓的晶振片,來源于多面體石英棒,先被切成閃閃發(fā)光的六面體棒,再經(jīng)過反復(fù)的切割和研磨,石英棒最終被做成一堆薄薄的(厚0.23mm,直徑1398mm)圓片,每個(gè)圓片經(jīng)切邊,拋光和清洗,最后鍍上金屬電極(正面全鍍,背面鍍上鑰匙孔形),經(jīng)過檢測,包裝后就是我們常用的晶振片了。

用于石英膜厚監(jiān)控用的石英芯片采用AT切割,對于旋光率為右旋晶體,所謂AT切割即為切割面通過或平行于電軸且與光軸成順時(shí)針的特定夾角。AT切割的晶體片振動頻率對質(zhì)量的變化極其靈敏,但卻不敏感干溫度的變化。這些特性使AT切的石英晶體片更適合于薄膜淀積中的膜厚監(jiān)控。

石英晶振晶片的原理

石英晶體是離子型的石英晶體,由于結(jié)晶點(diǎn)陣的有規(guī)則分布,當(dāng)發(fā)生機(jī)械變形時(shí),例如拉伸或壓縮時(shí)能產(chǎn)生電極化現(xiàn)象,稱為壓電現(xiàn)象。例石英晶振晶體在9.8×104Pa的壓強(qiáng)下承受壓力的兩個(gè)表面上出現(xiàn)正負(fù)電荷約0.5V的電位差。壓電現(xiàn)象有逆現(xiàn)象,即石英晶體在電場中晶體的大小會發(fā)生變化,伸長或縮短,這種現(xiàn)象稱為電致伸縮。

石英晶體壓電效應(yīng)的固有頻率不僅取決于其幾何尺寸,切割類型而且還取決于芯片的厚度。當(dāng)芯片上鍍了某種膜層,使芯片的厚度增大,則芯片的固有頻率會相應(yīng)的衰減。石英晶振,石英晶體的這個(gè)效應(yīng)是質(zhì)量負(fù)荷效應(yīng)。石英晶體膜厚監(jiān)控儀就是通過測量頻率或與頻率有關(guān)的參量的變化而監(jiān)控淀積薄膜的厚度。

石英晶體法監(jiān)控膜厚,主要是利用了石英晶體,石英晶體振蕩器的壓電效應(yīng)和質(zhì)量負(fù)荷效應(yīng)。

石英晶體的固有頻率f不僅取決于幾何尺寸和切割類型,而且還取決于厚度d,即f=N/d,N是取決與石英晶振晶體的幾何尺寸和切割類型的頻率常數(shù)對于AT切割的石英晶體,N=f·d=1670Kcmm。

物理意義是:若厚度為d的石英晶體厚度改變△d,則石英貼片晶振頻率變化△f, 式中的負(fù)號表示晶體的頻率隨著膜增加而降低然而在實(shí)際鍍膜時(shí)，沉積的是各種膜料,而不都是石英晶體材料,所以需要把石英晶振厚度增量△d通過質(zhì)量變換轉(zhuǎn)換成膜層厚度增量△dM,即

A是受鍍面積,pM為膜層密度,p。為石英密度等于265g/cm3。于是△d=(pM/pa)"△dM,所以

式中S稱為變換靈敏度。

對于一種確定的鍍膜材料,為常數(shù),在膜層很薄即沉積的膜層質(zhì)量遠(yuǎn)小于石英芯片質(zhì)量時(shí),固有頻率變化不會很大這樣我們可以近似的把S看成常數(shù),于是上式表達(dá)的石英晶振晶體頻率的變化人行與沉積薄膜厚度△dM有個(gè)線性關(guān)系因此我們可以借助檢測石英晶體固有頻率的變化,實(shí)現(xiàn)對膜厚的監(jiān)控。

顯然這里有一個(gè)明顯的好處,隨著鍍膜時(shí)膜層厚度的增加,晶振頻率單調(diào)地線性下降,不會出現(xiàn)光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)中控制信號的起伏,并且很容易進(jìn)行微分得到沉積速率的信號。因此,在光學(xué)監(jiān)控膜厚時(shí),還得用石英晶振,石英晶體法來監(jiān)控沉積速率,我們知道沉積速率穩(wěn)定隊(duì)膜材折射率的穩(wěn)定性、產(chǎn)的均勻性重復(fù)性等是很有好處和有力的保證。

石英晶體膜厚控制儀有非常高的靈敏度,可以做到埃數(shù)量級,顯然石英晶體的基頻越高,控制的靈敏度也越高,但基頻過高時(shí)晶體片會做得太薄,太薄的芯片易碎。

所以一般選用的石英晶振,貼片晶振片的頻率范圍為5~10MHz。在淀積過程中,基頻最大下降允許2~3%,大約幾百千赫。基頻下降太多振蕩器不能穩(wěn)定工作,產(chǎn)生跳頻現(xiàn)象。如果此時(shí)繼續(xù)淀積膜層,就會出現(xiàn)停振。為了保證振蕩穩(wěn)定和有高的靈敏度體上膜層鍍到一定厚度后,就應(yīng)該更換新的晶振片。

此圖為膜系鍍制過程中部分頻率與厚度關(guān)系圖。

晶振離子刻蝕頻率微調(diào)技術(shù)及生產(chǎn)工藝報(bào)告

1.頻率微調(diào)方法

石英晶振的頻率是由石英晶振晶片的厚度以及電極膜的厚度決定的,為此,當(dāng)調(diào)整此厚度就可以調(diào)整石英晶振的頻率。石英晶振的制作過程是先將石英晶片從石英晶體上按一定角度切下,然后按一定尺寸進(jìn)行研磨,接著在晶片兩面涂覆金屬電極層,此時(shí)與目標(biāo)頻率相差2000ppm~3000p0m,每個(gè)電極層與管腳相連與周圍的電子元器件組成振蕩電路,隨后進(jìn)行頻率微調(diào),使其與目標(biāo)頻率的差可以減少到2ppm以下。最后加上封裝外殼就完成了。

石英晶振的頻率微調(diào)是對每個(gè)石英晶振邊測頻率,邊調(diào)整電極膜的厚度。使頻率改變,達(dá)到或接近目標(biāo)頻率。電極膜厚的調(diào)整方法主要有兩種,真空蒸著法和離子束刻蝕法。

真空蒸著法是在石英晶振晶片的電極膜上用加熱蒸著的辦法繼續(xù)增加電極膜的厚度, 達(dá)到調(diào)整頻率的目的。這種方法結(jié)構(gòu)簡單,易于控制。缺點(diǎn)是在石英晶振晶片表面產(chǎn)生多層電極膜,并且密著度會變差,當(dāng)石英晶振小型化時(shí),會使原來的電極膜和調(diào)整膜的位置發(fā)生偏移,使石英晶振的電氣性能降低。

離子刻蝕頻率微調(diào)法,是用離子束將電極膜打簿,調(diào)整石英晶振的頻率。因此,不會產(chǎn)生多層電極膜,也不會有電極膜和調(diào)整膜的位置偏移,石英晶振的電氣性能也不會降低。

2.離子刻蝕頻率微調(diào)方法

圖4-1是基于離子刻蝕技術(shù)的頻率微調(diào)示意圖,離子刻蝕頻率微調(diào)方法,當(dāng)照射面積小于2~3mm2,在beam電壓低于100V以下就可獲得接近10mA/cm2的高電流密度的離子束,離子束的刻蝕速度在寬范圍內(nèi)可進(jìn)行調(diào)節(jié)。圖中采用的是小型熱陰極PIG型離子槍,放電氣體使用Ar,流量很小只需035cc/min。在:圓筒狀的陽極周圍安裝永久磁石,使得在軸方向加上了磁場這樣的磁控管就變成了離子透鏡, 可以對離子束進(jìn)行聚焦。

熱陰極磁控管放電后得到的高密度等離子,在遮蔽鉬片和加速鉬片之間加高達(dá)1200V高壓后被引出。并且可以通過對熱陰極的控制調(diào)整等離子的速度。用離子束照射石英晶振,石英晶體的電極膜,通過濺射刻蝕使得頻率上升米進(jìn)行頻率微調(diào)。在調(diào)整時(shí),通過π回路使用網(wǎng)絡(luò)分析儀對石英貼片晶振的頻率進(jìn)行監(jiān)控,當(dāng)達(dá)到目標(biāo)頻率后就停止刻蝕,調(diào)整結(jié)束。

因?yàn)槭⒕д衽cπ回路之間用電容連接,離子束的正電荷無法流到GND而積聚在石英晶片上,使石英晶片帶正電荷。其結(jié)果不僅會使頻率微調(diào)速度降低,而且使石英晶片不發(fā)振,無法對石英晶振的頻率進(jìn)行監(jiān)控和調(diào)整。為此,必須采用中和器對石英晶片上的正電荷進(jìn)行中和。

在進(jìn)行離子刻蝕頻率調(diào)整時(shí),離子束對一個(gè)制品進(jìn)行刻蝕所需的時(shí)間為1~2秒, 而等待的時(shí)間約2秒,等待時(shí)間包括對制品的搬送和頻率的測量時(shí)間。在等待時(shí)間中, 是將擋板關(guān)閉的。如果在這段時(shí)間內(nèi),離子槍繼續(xù)有離子束引出,則0.5mm厚的不銹鋼擋板將很快被穿孔而報(bào)廢。為此,在等待時(shí)間內(nèi),必須停止離子槍的離子束引出。

可以用高壓繼電器切斷離子槍的各電源,除保留離子槍的放電電源(可維持離子槍的放電穩(wěn)定)。這樣,在等待時(shí)間沒有離子束的刻蝕,使擋板的使用壽命大大增長。同是,出于高壓繼電器的動作速度很快,動作時(shí)間比機(jī)械式擋板的動作時(shí)間少很多,所以調(diào)整精度也可得到提高。

3.離子束電流密度

在圖4-1中,為了提高操作性,簡化自動化過程中的參數(shù)設(shè)定,只對beam電壓和放電電流進(jìn)行控制,而放電電壓和Ar流量保持不變,加速電壓取beam電壓的20%。

圖4-2表示的是在不同的beam電壓下,隨著放電電流的變化,石英晶振的電極膜處(與離子槍加速鉬片的距離為25mm)所測得的電流密度。從圖中可以知道,對于不同的beam電壓,放電電流變化時(shí),都有相對應(yīng)的放電電流使得電流密度達(dá)到最大。本文說所的晶振離子刻蝕頻率微調(diào)就是采用了各不同beam電壓時(shí)的最大電流密度進(jìn)行的。當(dāng)設(shè)定好調(diào)整速度后,根據(jù)計(jì)算決定beam電壓,然后根據(jù)該電壓下最大的電流密度計(jì)算出放電電流。

4.離子刻蝕頻率微調(diào)加工工藝

晶振離子刻蝕頻率微調(diào)加工工藝與真空蒸著頻率微調(diào)有相似處也有不同處。首先,兩種頻率微調(diào)方法都必須在高真空環(huán)境下進(jìn)行,因此在加工前都必須確認(rèn)真空腔的真空度是否達(dá)到要求,一般都要求在1×103Pa以上。其次還必須確認(rèn)真空腔的水冷設(shè)備沒有漏水現(xiàn)象,使用的真空泵需要用真空油時(shí)還要確認(rèn)真空腔內(nèi)沒有被油污染。接著還要保證石英晶振,石英晶體諧振器上沒有灰塵或臟污等異物附著,為了有效的控制異物,加工環(huán)境最好是5000級以下的凈化空間。離子刻蝕頻率微調(diào)加工除了要注意以上要求外,還必須注意到離子刻蝕后數(shù)秒內(nèi)頻率的偏移問題,這個(gè)問題將直接影響到生產(chǎn)效率和合格率。