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032018-04
TXC晶振不同體積12M晶振對應(yīng)的原廠料號查詢表詳情 >>臺灣晶技晶振英文名稱TXC晶振,成立于1983年,專業(yè)生產(chǎn)石英晶振,貼片晶振,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,有源晶振等頻率元件.所生產(chǎn)的晶振產(chǎn)品具有起振快,高品質(zhì),低損耗,高精度等特點(diǎn),是國內(nèi)上百家大型知名企業(yè)指定晶振品牌.
億金電子代理臺灣TXC晶振提供各種封裝尺寸以及晶振型號編碼查詢,更有完美的晶振產(chǎn)品解決方案.以下為億金進(jìn)口晶振代理商所整理的TXC晶振不同體積12M晶振對應(yīng)的原廠料號查詢表.歡迎新老用戶收藏,方便下次選型參照使用.
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022018-04
TXC壓控晶振5x7封裝BJ-156.250MBE-T晶振編碼對應(yīng)的參數(shù)列表詳情 >>TXC晶振是臺灣知名頻率元件生產(chǎn)制造商,擁有先進(jìn)的儀器設(shè)備以及生產(chǎn)理念.明白市場所需,與時(shí)俱進(jìn)所生產(chǎn)石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器具有超小,超薄,精度穩(wěn)定,低損耗等優(yōu)勢特點(diǎn).
臺灣TXC晶振中文名稱晶技晶振,是國內(nèi)廣大用戶指定晶振品牌.TXC生產(chǎn)石英晶振,有源晶振,具有1.8V~5V電壓供應(yīng)不同領(lǐng)域用戶選擇.TXC石英晶體高超的生產(chǎn)技術(shù),一流的服務(wù),優(yōu)秀的團(tuán)隊(duì)是對客戶最有力的保障.
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312018-03
TXC石英晶體振蕩器±25ppm 高精度8W-12.000MBD-T晶振編碼整理億金電子代理TXC晶振,提供各種型號頻率,多年來以可靠的產(chǎn)品質(zhì)量以及優(yōu)質(zhì)的服務(wù)贏得廣大客戶的信賴.億金電子表格中為TXC石英晶體振蕩器±25ppm 高精度8W-12.000MBD-T晶振編碼整理.表格中晶振體積均為2.5x2.0mm,型號是8W晶振,為普通石英晶體振蕩器,精度范圍高達(dá)±25ppm,并且溫度范圍高達(dá)-40℃~85℃,TXC晶振在產(chǎn)品中使用具有低抖動,低功耗,精度穩(wěn)定,耐高溫,使用可靠性高等特點(diǎn).表格中所列舉的為部分常用頻點(diǎn),更多TXC晶振型號編碼歡迎關(guān)注億金電子技術(shù)資料更新,或致電0755-27876565.詳情 >> -
302018-03
高精密TXC無源晶振2520小體積封裝常用頻點(diǎn)原廠編碼詳情 >>臺灣TXC晶振耳熟能詳,電子行業(yè)的人都知道,臺灣數(shù)一數(shù)二的頻率元件生產(chǎn)制造商,主要生產(chǎn)石英晶振,貼片晶振,有源晶振,石英晶體諧振器等.TXC晶振自成立以來發(fā)展至今快有40多年了,至始至終以服務(wù)客戶,以質(zhì)量,以交期為第一的發(fā)展理念.
TXC晶振擁有先進(jìn)的技術(shù),高端儀器設(shè)備,訓(xùn)練有素的精英團(tuán)隊(duì),超前的創(chuàng)新思維,TXC晶振發(fā)展至今在國內(nèi)外,臺灣,香港,蘇州,泰國,馬來西亞,深圳,重慶等地設(shè)有研發(fā)生產(chǎn)基地,銷售辦事處遍布世界各地.
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292018-03
TXC晶振5032四腳封裝對應(yīng)20PM高精密晶振編碼TXC晶振的中文名稱是晶技晶振,更多的人習(xí)慣叫其英文名.臺灣TXC晶振是一家技術(shù)領(lǐng)先的頻率元件生產(chǎn)制造商.所生產(chǎn)石英晶振,貼片晶振均采用優(yōu)異材料,符合國際無鉛環(huán)保要求,具有耐高溫-40℃~85℃范圍,性能穩(wěn)定等優(yōu)勢.詳情 >> -
282018-03
電流,頻率和Q脈沖寬度與石英晶振微調(diào)量之間的關(guān)系詳情 >>通過調(diào)節(jié)激光器的三個(gè)激光參數(shù),來改變石英晶振頻率微調(diào)量,從而在不剝落晶振晶片表面電極層的前提下,達(dá)到最大頻率微調(diào)量。三個(gè)參數(shù)分別為:電流,頻率和Q脈沖寬度。
電流與石英晶振微調(diào)量之間的關(guān)系
固定頻率為5KIHz,Q脈沖寬度為50微秒,改變電流從10安到19安來測頻率微調(diào)量。
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272018-03
獨(dú)家提供精工晶振32.768K晶振系列Q-SC32S03220C5AAAF晶振編碼精工晶振成立于1881年,是國際有名的石英晶體,32.768K,音叉表晶,生產(chǎn)制造商.精工晶體用多樣的技術(shù)支持高度發(fā)展的社會和產(chǎn)業(yè),通過運(yùn)用制造鐘表所積累的精密加工技術(shù),為用戶提供高品質(zhì),高精度,高可靠性石英晶振產(chǎn)品.詳情 >>
下面為億金電子獨(dú)家提供精工晶振32.768K晶振系列Q-SC32S03220C5AAAF晶振編碼.表格中均為32.768K晶振對應(yīng)的不同封裝尺寸原廠代碼.包括7015晶振,3215晶振,2012晶振,1610晶振,2x6晶振等封裝.
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272018-03
石英晶振激光刻蝕圖行的介紹以及特點(diǎn)分析詳情 >>用激光刻蝕圖形,把石英晶振晶片表面電極層部分完全剝落的方法,其優(yōu)點(diǎn)首先在于頻率微調(diào)量大,大氣中即可達(dá)到2000pm以上的頻率微調(diào)量。
其次,刻蝕圖形的方法,可以對石英貼片晶振晶片一面進(jìn)行加工,而實(shí)現(xiàn)兩面同時(shí)同剝落其次,刻蝕圖形的方法,可以對晶片一面進(jìn)行加工,而實(shí)現(xiàn)兩面同時(shí)同剝落。
第三,由于在生產(chǎn)過程中,石英貼片晶振晶片表面的電極層是靠掩膜鍍敷到晶片表面上的, 在掩膜的過程中,邊緣處會產(chǎn)生散射,使得沉積在晶振晶片上的銀層邊界線不夠清晰有部分散射銀殘留的現(xiàn)象,同時(shí)也會影響晶振晶片的Q值。用激光刻蝕圖形的方法, 對晶片邊緣進(jìn)行加工,便可以清除邊界殘留銀層,使得晶片表面銀層清晰于凈, 時(shí)提高晶片的Q值。
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202018-03
通過調(diào)節(jié)激光器的電流和激光掃描時(shí)間實(shí)現(xiàn)晶振頻率微調(diào)詳情 >>調(diào)節(jié)激光器的電流和激光掃描時(shí)間到適當(dāng)?shù)闹?/span>,是可以實(shí)現(xiàn)對石英晶振,貼片晶振進(jìn)行頻率微調(diào)的。雖然實(shí)驗(yàn)中微調(diào)的量最小也是kHz數(shù)量級,但從兩組數(shù)據(jù)中可以看出只要電流和掃描時(shí)間調(diào)節(jié)的得當(dāng),進(jìn)行幾Hz~幾百Hz數(shù)量級的頻率微調(diào)也是可行的,亦即實(shí)現(xiàn)晶振ppm級的頻率精度。
其次,從實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中可以看出頻率微調(diào)量在掃描時(shí)間固定的情況下,并不是與激光電流完全成正比;而在激光電流固定的情況下,也不是與掃描時(shí)間完全成正比的。這一方面可能與表面銀層對于激光的反射作用有關(guān),大量的激光束被銀層反射回去,沒能用于對表面電極層進(jìn)行氣化,只有通過加大激光電流的辦法來加強(qiáng)對表面的轟擊。但這樣一來很容易造成頻率微調(diào)量過大,超出了想要的頻率微調(diào)數(shù)量級的現(xiàn)象。
另一方面可能與整個(gè)石英晶振激光頻率微調(diào)實(shí)驗(yàn)進(jìn)行的環(huán)境有關(guān)。整個(gè)激光頻率微調(diào)實(shí)驗(yàn)完全在大氣環(huán)境下進(jìn)行,受激光掃描而氣化的分子受大氣中的分子顆粒的散射作用,重新返回晶振晶片表面,堆積在表面其他地方。這樣實(shí)際上晶振晶片的質(zhì)量并沒有減小,由 Sauerbrey方程:
可知質(zhì)量沒有改變就不會對石英晶振頻率產(chǎn)生微調(diào),因而網(wǎng)絡(luò)分析儀就測量不出頻率的變化。這樣實(shí)驗(yàn)時(shí)就會繼續(xù)加大激光電流或是增加激光照射或掃描時(shí)間。而這樣是不對的。因?yàn)閷?shí)際上氣化過程在頻率真正得到改變前就已經(jīng)發(fā)生了,只是石英晶振晶片總質(zhì)量沒有改變從而不會對頻率產(chǎn)生影響。當(dāng)增強(qiáng)后的激光照射在晶片表面時(shí),有可能電流過大,穿透表面銀層,產(chǎn)生與圖3.5類似的情形,造成實(shí)驗(yàn)失敗。
此外,從實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)可以看出,激光掃描電流和激光掃描時(shí)間兩個(gè)參數(shù)并不是獨(dú)立作用的,并不是增加或減少其中的一個(gè)就可以直接影響晶振頻率微調(diào)量的。因而需要兩個(gè)參數(shù)相互配合,在實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上達(dá)到一個(gè)最佳平衡點(diǎn)。
從實(shí)驗(yàn)中可以推斷,除了激光掃描電流和激光掃描時(shí)間兩個(gè)參數(shù)外,還有其它的參數(shù)影響著實(shí)驗(yàn)結(jié)果。如:氣壓,氣溫,甚至激光掃描路徑。因而需要大量、反復(fù)的實(shí)驗(yàn)來找出這些關(guān)系,進(jìn)而找到實(shí)現(xiàn)精確石英頻率微調(diào)的最佳方案。
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192018-03
針對激光對于石英晶振表面及內(nèi)部的改變和損傷情況進(jìn)行研究詳情 >>運(yùn)用不同的工藝方法,對石英晶振進(jìn)行頻率微調(diào),以不同參數(shù)的激光產(chǎn)生不同的微調(diào)量和微調(diào)效果。通過拍攝SEM照片,來研究在不同的激光參數(shù)和條件下,激光對于石英晶振表面及內(nèi)部的改變和損傷情況。共分五種情況對激光刻蝕損傷進(jìn)行研究。
1.直接刻蝕石英晶振片表面。
2.以大電流刻蝕石英晶振表面銀電極層,使其產(chǎn)生肉眼可見的大面積刻蝕痕跡,至使頻率計(jì)無法讀出刻蝕后的頻率值。
3.以適當(dāng)?shù)募す鈪?shù)刻蝕石英晶振表面銀電極層,并無明顯的刻蝕痕跡,頻率微調(diào)量在50ppm,其他電性能參數(shù)改變量均小。
4.以刻蝕圖形的方法對石英晶振表面銀電極層進(jìn)行刻蝕,刻蝕圖形為銀電極層外層圓環(huán),頻率微調(diào)量達(dá)l000pm。
5.以刻蝕圖形的方法對石英晶振表面銀電極層進(jìn)行刻蝕,刻蝕圖形為銀電極層半邊圓,頻率微調(diào)量達(dá)2300ppm。
以下為石英晶振實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析
1.直接刻蝕石英晶振片表面
在電流為11A,激光頻率為10KHLz,Q脈沖寬度為10s的條件下,直接對石英晶振片進(jìn)行環(huán)狀刻蝕。刻蝕示意圖如圖4.7所示。
圖中虛線所示為激光刻蝕的軌跡,可見激光全部作用在石英晶振片本身,而不是其表面的銀電極層上。經(jīng)刻蝕,貼片晶振,石英晶振片的頻率從10.0268376MHz,上升為10.0268780MHz,頻率微調(diào)量為404pm。這樣做的目的,是為了觀察當(dāng)激光直接作用于晶片本身的時(shí)候,會對晶片產(chǎn)生怎樣的影響。
通過電鏡觀察,刻蝕后的石英晶振片斷面如圖4.8所示。
從圖中可見,被激光刻蝕后的區(qū)域,石英片表面平整,形貌良好,并未對下面石英晶體產(chǎn)生損傷。部分晶體被激光刻蝕掉后由于大氣中分子的散射作用,重新落回到晶片表面,覆蓋在原晶片上。
2.以大電流刻蝕貼片晶振,石英晶振表面銀電極層,使其產(chǎn)生肉眼可見的大面積刻蝕痕跡,至使頻率計(jì)無法讀出刻蝕后的頻率值。
在電流為14A,激光頻率為10KHz,Q脈沖寬度為10ys的條件下,對石英晶振片表面銀電極層進(jìn)行刻蝕。刻蝕圖形及示意圖分別如圖4.9、4.10所示。
在14A的激光電流刻蝕下,晶片表面刻蝕區(qū)域的電極層被損壞,出現(xiàn)了肉眼可見的較大范圍內(nèi)明顯剝落痕跡。至使頻率計(jì)無法讀出其諧振頻率,石英晶片停振。
通過電鏡觀察,刻蝕后的石英晶振片斷面如圖4.11所示。
如圖所示,圖中左半邊銀電極層清晰可見,均勻的覆蓋在石英表面。而右半邊銀電極層被激光刻蝕剝落,被剝落處銀電極層與貼片晶振,石英晶振混在一起,界線模糊。并且剝落已經(jīng)損傷到石英晶振本身。損傷延伸至2000m深度。
最新資訊 / News
關(guān)于無源晶振有源晶振不同之處的分析報(bào)告
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關(guān)于無源晶振有源晶振不同之處的分析報(bào)告
【更多詳情】無源晶體--無源晶體需要用DSP片內(nèi)的振蕩器,在datasheet上有建議的連接方法.無源晶體沒有電壓的問題,信號電平是可變的,也就是說是根據(jù)起振電路來決定的,同樣的石英晶振晶體可以適用于多種電壓,可用于多種不同時(shí)鐘信號電壓要求的DSP,而且價(jià)格通常也較低,因此對于一般的應(yīng)用如果條件許可建議用晶體.
有源晶振--石英晶體振蕩器,壓控晶振,溫補(bǔ)晶振等均屬于有源晶振,是相較于無源晶振不需要DSP的內(nèi)部振蕩器,信號質(zhì)量好,比較穩(wěn)定,而且連接方式相對簡單(主要是做好電源濾波,通常使用一個(gè)電容和電感構(gòu)成的PI型濾波網(wǎng)絡(luò),輸出端用一個(gè)小阻值的電阻過濾信號即可),不需要復(fù)雜的配置電路.
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