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Pletronics晶振,差分晶振,HC55D晶振

Pletronics晶振,差分晶振,HC55D晶振

頻率：13M~220MHZ尺寸：5.0x3.2mm
差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點, 差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz
Pletronics晶振,差分晶振,HC77D晶振

Pletronics晶振,差分晶振,HC77D晶振

頻率：13M~220MZH尺寸：5x7mm
差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點, 差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz
Pletronics晶振,有源晶振,LV44J晶振,LV44F晶振,LV44G晶振

Pletronics晶振,有源晶振,LV44J晶振,LV44F晶振,LV44G晶振

頻率：3.5M~170MHZ尺寸：3.2X2.5mm
差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.差分晶振的精度值（PPM）可精確到±10PM,普通晶振達(dá)不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時間超快為0秒
Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振

Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振

頻率：13M~220MHZ尺寸：5.0x3.2mm
差分晶振的使用特點在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點.特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了普通晶振,達(dá)到了-45°~+100°的溫度范圍

Pletronics晶振,差分晶振,LV77D晶振,LV77F晶振,LV77G晶振,LV77J晶振,LV77K晶振

Pletronics晶振,差分晶振,LV77D晶振,LV77F晶振,LV77G晶振,LV77J晶振,LV77K晶振

頻率：80M~325MHZ尺寸：5.0X7.0mm
差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達(dá)到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.
Pletronics晶振,LV99D晶振,石英晶體振蕩器

Pletronics晶振,LV99D晶振,石英晶體振蕩器

頻率：80M~325MHZ尺寸：5.0X7.0mm
差分晶振的使用特點在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點.特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了普通晶振,達(dá)到了-45°~+100°的溫度范圍
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關(guān)于無源晶振有源晶振不同之處的分析報告

關(guān)于無源晶振有源晶振不同之處的分析報告

關(guān)于無源晶振有源晶振不同之處的分析報告

               無源晶體--無源晶體需要用DSP片內(nèi)的振蕩器,在datasheet上有建議的連接方法.無源晶體沒有電壓的問題,信號電平是可變的,也就是說是根據(jù)起振電路來決定的,同樣的石英晶振晶體可以適用于多種電壓,可用于多種不同時鐘信號電壓要求的DSP,而且價格通常也較低,因此對于一般的應(yīng)用如果條件許可建議用晶體.
            有源晶振--石英晶體振蕩器,壓控晶振,溫補(bǔ)晶振等均屬于有源晶振,是相較于無源晶振不需要DSP的內(nèi)部振蕩器,信號質(zhì)量好,比較穩(wěn)定,而且連接方式相對簡單（主要是做好電源濾波,通常使用一個電容和電感構(gòu)成的PI型濾波網(wǎng)絡(luò),輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可）,不需要復(fù)雜的配置電路.

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