ECS晶振是美國知名晶體元件制造商,一直以來為廣大用戶創(chuàng)造了大量優(yōu)異的晶振產(chǎn)品,從陶瓷諧振器到有源晶體振蕩器,各種規(guī)格的晶振晶體滿足市場需求.ECS有源晶振從小體積2016mm~7050mm晶振,頻率范圍寬廣,精度穩(wěn)定,性能強(qiáng).

   以上為西迪斯2520有源晶振編碼, 不同的型號代表了不同的晶振參數(shù),對應(yīng)的20MHZ晶振頻率,采用小體積2.5x2.0x0.9mm封裝,為HCMOS輸出方式,具有低電源電壓可供1.8V/2.5V/3.3V等多種選擇.

    美國ECS晶振成立于至今超過40年,積累了豐富的專業(yè)知識(shí),多年的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),為廣大用戶選擇使用ECS Crystal提供了強(qiáng)有力的保障.所生產(chǎn)的石英晶振,貼片晶振均選用符合無鉛無害的環(huán)保材料,并且獲得ISO9001和ISO14001認(rèn)證.具有高穩(wěn)定性,高可靠使用特性,獲得廣大用戶一致認(rèn)可.

作為高可靠性晶體和振蕩器的制造商,FMI Crystal擁有豐富的經(jīng)驗(yàn),可提供最佳頻率和頻率適用于惡劣環(huán)境和極端溫度系統(tǒng)和儀器應(yīng)用的定時(shí)組件.FMI晶振適用于太空產(chǎn)品,包括SMD晶振,高穩(wěn)定晶體,石英晶體振蕩器和壓控振蕩器等.

FMI晶振產(chǎn)品滿足客戶對PCB,Hybrid和MCM組件配置的要求.我們提供各種封裝類型的石英晶振晶體和多樣化的外形尺寸,包括符合要求的DIP晶振和表面貼裝SMD晶振類型.

極端環(huán)境運(yùn)行條件下的石英貼片晶振性能要求.

微型表面貼裝封裝3225,5032,7050晶振（所有尺寸均以mm為單位）和扁平封裝等.

通孔封裝-DIP晶振,TO型和帶引線SMD晶體.

FMI Crystal是開發(fā)和實(shí)施最小封裝尺寸的市場領(lǐng)導(dǎo)者,所生產(chǎn)小體積晶振占用電路空間少,精度穩(wěn)定,使用可靠性高.FMI晶振產(chǎn)品涵蓋傳統(tǒng)的通孔封裝平臺(tái).FMI晶振的包裝產(chǎn)品種類相對沒那么多,專為最適合較小規(guī)模和機(jī)器人太空任務(wù)而量身定制,FMI的 SMD晶體振蕩器,可在寬溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高可靠性操作.

   伊西斯晶振是美國知名品牌,主要生產(chǎn)制造32.768K時(shí)鐘晶振,SMD晶振,有源晶振等晶體元件.以下表格中是ECS石英晶體振蕩器原廠編碼.每一個(gè)對應(yīng)不同的參數(shù),均為2520貼片晶振封裝.具有小型,高精度,低電源電壓,低老化等特點(diǎn).被廣泛用于無線通信,網(wǎng)絡(luò),GPS導(dǎo)航,智能家電,筆記本等.

    以上伊西斯ECS-2033-200-A-TR晶振對應(yīng)3.3V電壓的編碼均為頻率20MHZ,是一款市場比較常用的頻點(diǎn),采用超薄小尺寸2.5x2.0x0.9mm,極小的體積在電路板中使用節(jié)省了不少空間位置.4腳表面貼裝可使用機(jī)器上線,效率高,成本低.ECS-2033晶振采用的是HCMOS輸出,除了3.3V,也提供1.8V和2.5V電源電壓,多種精度偏差供應(yīng)客戶選擇,更多伊西斯晶振歡迎咨詢億金電子進(jìn)口晶振代理商0755-27876565.

美國QVS Tech晶振集團(tuán)發(fā)展成立至今不僅擁有先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù),并且擁有獨(dú)特的封裝技術(shù)以及優(yōu)秀的團(tuán)隊(duì),為世界各地用戶提供全方面的服務(wù).為了更好的服務(wù)廣大用戶,QVS晶振公司不斷研發(fā)創(chuàng)新,推出更多符合市場需求的產(chǎn)品.比如MEMS振蕩器,下面我們就來說說QVS Tech晶振集團(tuán)推出的MEMS振蕩器好在哪？

QVS TechInc.宣布他們現(xiàn)在提供MEMS頻率控制產(chǎn)品.他們使用基于硅的MEMS振蕩器CMOS電路而不是基于石英的諧振器來產(chǎn)生頻率.這是大多數(shù)石英晶體振蕩器的替代品.其主要優(yōu)點(diǎn)是可提供2.0mmx1.6mm,2.5mmx2.0mm,3.2x2.5mm和5.0mmx3.2mm尺寸的緊密頻率穩(wěn)定性.新產(chǎn)品系列稱為QMEM振蕩器系列,其LVCMOS系列與時(shí)鐘振蕩器器件兼容.

這些MEMS振蕩器頻率控制產(chǎn)品具有各種技術(shù)優(yōu)勢.它們是完全可配置的,具有1MHz至110MHz的寬頻率范圍.有幾種電源電壓可供選擇,例如+1.8V,+2.5V,+2.8V和+3.3V.它們在廣泛的工作溫度范圍內(nèi)提供+/-20ppm的頻率穩(wěn)定性.它們具有低ms周期抖動(dòng),超薄小的體積占用空間少.QVS晶振公司提供的MEMS振蕩器不含鹵素,不含鉛,不含銻.它們還符合有害物質(zhì)限制指令（RoHS）和歐盟委員會(huì)的REACH法規(guī).

這些MEMS頻率控制產(chǎn)品被廣泛用于光纖通道,千兆以太網(wǎng),服務(wù)器,路由器,PCIExpress,網(wǎng)絡(luò)交換,FBDIMM,SATA/SAS,ATM,SONET和SDH.它們還可用于掃描儀,醫(yī)療設(shè)備,調(diào)制解調(diào)器,打印機(jī),照相機(jī),筆記本電腦和PDA.更多QVS晶振資料信息歡迎咨詢億金電子進(jìn)口晶振代理商.

多年來智能手機(jī)雖然不斷推出新功能,但似乎并沒有什么創(chuàng)新,而今在智能手機(jī)增長乏力的大勢下,不少手機(jī)廠商將目光瞄準(zhǔn)了手機(jī)外觀形態(tài)變化較大的折疊屏.多數(shù)機(jī)構(gòu)機(jī)構(gòu)認(rèn)為,2019年將成為柔性屏元年.作為智能手機(jī)新形態(tài)的折疊屏無疑擁有巨大的前景.

華為公司24日在西班牙巴塞羅那舉行產(chǎn)品發(fā)布會(huì),首次推出基于第五代移動(dòng)通信技術(shù)（5G）的商用手機(jī)Mate X.這款智能手機(jī)采用折疊屏設(shè)計(jì),其搭載的多模5G芯片被譽(yù)為“華為最強(qiáng)”.

據(jù)介紹,Mate X搭載華為首款7納米工藝多模5G芯片巴龍5000,可實(shí)現(xiàn)高速下載.根據(jù)測試,它可在相關(guān)網(wǎng)絡(luò)支持下實(shí)現(xiàn)最快3秒下載一部大小為1G的視頻.下載傳輸速度如此之快用到的晶振肯定是高性能.由于現(xiàn)在5G網(wǎng)絡(luò)尚未全面鋪開,它也可在現(xiàn)有移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)下工作.這款手機(jī)可能在今年6月左右發(fā)售.

華為這款智能手機(jī)采用折疊屏結(jié)構(gòu),展開后的屏幕尺寸可達(dá)8英寸,能讓用戶同時(shí)處理多個(gè)任務(wù),獲得類似電腦桌面的體驗(yàn).Mate X還嵌入了新一代徠卡影像系統(tǒng),采用前后攝像頭合一設(shè)計(jì),與折疊屏設(shè)計(jì)相輔相成.當(dāng)中采用的攝像頭貼片晶振當(dāng)屬時(shí)下最小尺寸的1210晶振,功能性強(qiáng)占用空間小.此外,該款產(chǎn)品還采用電源與指紋按鍵一體設(shè)計(jì),具有超級快充、強(qiáng)勁續(xù)航等特點(diǎn).

不過與普通手機(jī)相比,折疊屏手機(jī)的價(jià)格可謂是非常昂貴,這款HUAWEI Mate X的售價(jià)貴出了新的高度——2299歐元,約合人民幣17500元,相比三星的折疊屏手機(jī)Galaxy Fold還高出人民幣4000元左右.此外,折疊屏手機(jī)在蓋板、鉸鏈、觸控、以及軟件配套等各個(gè)方面仍然面臨較大的難題.

與此同時(shí),HUAWEI Mate X也是一款5G手機(jī),其搭載了業(yè)界首款7nm 5G多模終端芯片——Balong 5000,單芯片支持實(shí)現(xiàn)2G、3G、4G和5G多種網(wǎng)絡(luò)制式,理論峰值下載速率可達(dá)業(yè)界最快的4.6Gbps,余承東舉例稱,1GB的電影3秒鐘即可下載完.另外,該手機(jī)率先同步支持SA和NSA組網(wǎng)方式,當(dāng)運(yùn)營商切換到SA組網(wǎng)時(shí)無需換機(jī),該手機(jī)將于今年6月份進(jìn)行發(fā)售.

“HUAWEI Mate X顛覆了手機(jī)固有形態(tài),是一款整合了5G、可折疊屏、AI、未來交互等前沿黑科技的新物種,它將成為消費(fèi)者開啟5G智慧生活的第一把超級鑰匙.”5G雖好,但不管是終端設(shè)備還是網(wǎng)絡(luò)資費(fèi),在商用初期價(jià)格絕不會(huì)便宜.這么多科技元素當(dāng)中自然少不了用到小型SMD晶振,智能手機(jī)不斷發(fā)展,各大晶振廠家會(huì)緊跟隨5G的腳步,隨時(shí)做好準(zhǔn)備,實(shí)現(xiàn)5G普遍使用.

NJR Crystal是日本有名的頻率元件制造商,成立于1959年9月8日,擁有先進(jìn)的設(shè)備以及獨(dú)特的生產(chǎn)技術(shù),為用戶提供高可靠的產(chǎn)品.日本NJR Crystal致力于開發(fā)用于傳輸?shù)?b>石英晶振,功率放大器,小型貼片晶振用于智能手機(jī)和WiFi路由器等通信設(shè)備.

【概述】

由于全球普及,使用無線通信的智能手機(jī)和WiFi路由器的需求正在增加.由于智能手機(jī)和WiFi路由器是便攜式設(shè)備,因此除了便捷式,小型化,還需要省電.

結(jié)合RF模擬,CMOS數(shù)字,CMOS模擬電路設(shè)計(jì)技術(shù)和封裝技術(shù),日本NJR Crystal開發(fā)小型貼片晶振為通信設(shè)備降低功耗,同時(shí)NJR晶振集團(tuán)開發(fā)了用于傳輸?shù)墓β史糯笃髂K,可以降低通信設(shè)備的功耗.

日本NJR晶振有各種用于傳輸?shù)墓β史糯笃髂K,涵蓋各種蜂窩LTE頻段,并開發(fā)了一系列高頻段NJG1329,超高頻段：NJG1330和中頻段：NJG1331.超高頻帶3.4至3.8GHz是NTT Docomo的PREMIUM 4G使用的頻段.sXGP（無繩電話和智能電表等數(shù)據(jù)通信的通信標(biāo)準(zhǔn)）的操作計(jì)劃使用中頻帶1.7至2.0GHz頻段.

【特征】

1.與傳統(tǒng)石英貼片晶振相比,新開發(fā)的NJR貼片晶振更小的體積,超薄的厚度,輕量化為用戶提供了更多便利.高性能的NJR石英貼片晶振為客戶產(chǎn)品應(yīng)用提供了更高效,快速的頻率信號傳輸,因此可以降低智能手機(jī)和WiFi路由器通信設(shè)備的功耗.

⒉低功率傳輸模式

由于可以根據(jù)功率放大器模塊的傳輸功率將其設(shè)置為工作電壓和工作電流,因此有助于降低設(shè)備的功耗.可以利用諸如APT（平均功率跟蹤）和ET（包絡(luò)跟蹤）之類的工作電壓控制功能,其通過改變工作電壓來降低功耗.

3.用于檢測傳輸功率的內(nèi)置耦合器（僅限NJG1331）

從終端發(fā)送時(shí),需要測量功率以適應(yīng)指定的功率.由于NJG1331具有用于檢測傳輸功率的內(nèi)置耦合器電路,因此不需要外部耦合器.通過單頻帶構(gòu)成傳輸電路的sXGP等有助于減少部件數(shù)量和安裝面積.

【應(yīng)用】

 NJR晶振,功率放大器,貼片晶體,小型貼片晶振應(yīng)用于手機(jī),便攜式WiFi路由器,Small Cell,CPE小區(qū),CPE（用戶駐地設(shè)備）：一種基站和終端等蜂窩設(shè)備使用LTE.

Q-Tech的振蕩器老化方法導(dǎo)致精密制造方法和在商業(yè)領(lǐng)域無與倫比的實(shí)質(zhì)性測試和性能監(jiān)控.實(shí)現(xiàn)Q-Tech晶振依靠設(shè)計(jì)傳統(tǒng)和專業(yè)知識(shí),確保我們的設(shè)計(jì)所需的準(zhǔn)確性和精確度在電氣工程中加上內(nèi)部制造.所有Q-Tech晶體振蕩器都是在嚴(yán)格的潔凈室污染控制下在美國現(xiàn)場制造.后振蕩器組裝完成后,Q-Tech能夠按照MILPRF-38534和MIL-PRF-55310進(jìn)行幾乎所有內(nèi)部測試,用于B/H級和S/K級.測試變得非常對于振蕩器老化特性至關(guān)重要的應(yīng)用非常重要.Q-Tech晶振測試使用單度掃描方法在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的所有器件增量. 可以在下面找到測試樣本列表：

所有Q-Tech B類振蕩器的100％測試：

A組,電氣測試：電源電壓,輸入電流,輸出波形,輸出電壓功率,上升和下降時(shí)間,占空比和啟動(dòng)時(shí)間（根據(jù)需要）

頻率-Q-Tech晶振溫度穩(wěn)定性：參考時(shí)的初始準(zhǔn)確度溫度,初始頻率-溫度精度和頻率-溫度公差

頻率電壓容差：輸出頻率是在何時(shí)測量的振蕩器電源電壓調(diào)整到其指定的標(biāo)稱值,直到其最大值/最低價(jià)值

過電壓不存在：過電壓比最大值高20％規(guī)定

視覺和機(jī)械：驗(yàn)證材料,設(shè)計(jì),施工,工藝,物理尺寸和標(biāo)記,按照MIL-PRF-55310

符合MIL-STD-202的方法208的可焊性測試

B組,老化測試：Q-Tech晶體振蕩器在烤箱中通電連續(xù)30天,70ºC±3ºC.輸出頻率在最大72小時(shí)的間隔內(nèi)測量,按照MIL-PRF-55310

在所有Q-Tech B類振蕩器類型的基礎(chǔ)上進(jìn)行的測試：

C組

根據(jù)MILPRF-55310,MIL-STD-202,方法204的非振動(dòng)（正弦）振動(dòng)

按MIL-STD-202,方法213（非操作）進(jìn)行沖擊（指定脈沖）

按MIL-STD-202,方法107進(jìn)行熱沖擊

符合MIL-STD-202,方法105的環(huán)境壓力（運(yùn)行和非運(yùn)行）,和MIL-PRF-55310

符合MIL-PRF-55310的存儲(chǔ)溫度

按照MIL-STD-202,方法210對焊接熱量的抵抗力

符合MIL-STD-202的防潮性,方法106

按照MIL-STD-883進(jìn)行鹽霧化,方法1009

符合MIL-STD-202的終端強(qiáng)度,方法211

按照MIL-STD-202,方法215對溶劑的耐受性

品質(zhì)差異與傳承

除了強(qiáng)大的高可靠性方法設(shè)計(jì)和制造每個(gè)Q-Tech晶振,晶體振蕩器,強(qiáng)大的質(zhì)量管理體系是許多潛在風(fēng)險(xiǎn)的重要緩解與商業(yè)零件發(fā)生的情況.Q-Tech晶振獲得AS9100C和ISO9001：2008認(rèn)證,并遵守過程驅(qū)動(dòng)和配置控制的質(zhì)量方法的租戶.

Q-Tech保持每個(gè)人使用的所有組件和材料的完全可追溯性振蕩器配備專門的來電檢查團(tuán)隊(duì),對所有部件進(jìn)行監(jiān)控.操作員,檢查員和裝配人員接受過全面修訂和控制程序的培訓(xùn)記錄控制,Q-Tech石英晶振,貼片晶振根據(jù)AS9100定期進(jìn)行監(jiān)督審核要求.此外,Q-Tech員工專門制定了強(qiáng)大的防偽計(jì)劃直接從制造商或授權(quán)經(jīng)銷商處購買組件.

這個(gè),加上所有批次的來料檢驗(yàn),為客戶提供每個(gè)部件的保證由Q-Tech生產(chǎn)的石英晶振晶體產(chǎn)品符合與購買的零件相同的嚴(yán)格要求過去或?qū)?/span>,允許Q-Tech晶振集團(tuán)自豪地提供一個(gè)首屈一指的反過時(shí)計(jì)劃振蕩器行業(yè).相比之下,COTS振蕩器幾乎總是建在亞洲,通常是中國,并且每次采購時(shí)都可能來自不同的工廠,甚至可能來自不同的工廠內(nèi)部電氣設(shè)計(jì).即使從美國購買COTS零件,這通常也是如此公司擁有美國品牌.

現(xiàn)代電路和通信精確計(jì)時(shí)的本質(zhì)在過去四年中,環(huán)境有助于塑造高可靠性的晶體振蕩器市場幾十年的Q-Tech晶振生產(chǎn)銷售業(yè)務(wù).隨著程序?qū)煽啃院托阅艿囊蟮奶岣咴絹碓絿?yán)格,有源晶振和晶體振蕩器質(zhì)量的重要性比今天更重要它曾經(jīng)是過去.選擇COTS部件會(huì)將程序集暴露給各種問題可通過Q-Tech提供的高可靠性部件進(jìn)行預(yù)防,為工程師提供了可靠性靈活性,性能和可靠性,以實(shí)現(xiàn)最大的結(jié)果.

在為現(xiàn)代電子應(yīng)用選擇石英晶體振蕩器時(shí),通常會(huì)有工程師由于相對較低的單位,熱衷于選擇便宜的COTS（“商業(yè)現(xiàn)貨”）零件成本和交貨時(shí)間,導(dǎo)致性能不佳.選擇高可靠性振蕩器是最安全的,比如Q-Tech晶振,晶體振蕩器,最終是飛行應(yīng)用的最具成本效益的選擇.

Q-Tech晶振,Q-Tech晶體振蕩器對于計(jì)時(shí)和精密應(yīng)用的電氣性能,以及相位噪聲和抖動(dòng)特性,可以顯著改變電路的輸出.

振蕩器的相位噪聲和抖動(dòng)經(jīng)常導(dǎo)致錯(cuò)誤的相位檢測.當(dāng)使用相移鍵控（PSK）數(shù)字調(diào)制時(shí),轉(zhuǎn)換（即比特錯(cuò)誤）.數(shù)字化例如,在使用8相PSK的通信中,最大相位容差為±22.5°,其中±7.5°是典型的允許載波噪聲貢獻(xiàn).例如,由于相位偏差的統(tǒng)計(jì)性質(zhì),如果存在1.5°相位偏差的概率超過±7.5°相位偏差為6X10-7,這可能導(dǎo)致誤碼率在許多情況下顯著應(yīng)用.因此,有源晶振,晶體振蕩器最小化相位噪聲和抖動(dòng)在現(xiàn)代中變得越來越重要

電路應(yīng)用.對于石英晶體振蕩器而言,相位噪聲和抖動(dòng)在很大程度上取決于晶體及其在振蕩器內(nèi)的設(shè)計(jì)和組裝.水晶處理和專業(yè)知識(shí),設(shè)計(jì)并不是普通振蕩器所能提供的,而且需要專業(yè)的工程和制造,在Q-Tech晶振等高可靠性公司中找到.

這在使用開放式晶體的設(shè)計(jì)中尤其重要,而不是與封裝的相比品種.Q-Tech晶振制造工藝擁有超過40年的產(chǎn)出歷史用于最苛刻的應(yīng)用,從高溫井下到深空飛行.同樣的制造和水晶設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)監(jiān)督Q-Tech的所有水晶操作,無論最終用途如何.

即便如此,設(shè)計(jì)工程也起著重要作用,因?yàn)闆_擊和振動(dòng)可以產(chǎn)生,即使在“低噪聲”晶體振蕩器中也存在較大的相位偏差.而且,當(dāng)一個(gè)頻率振蕩器乘以N,相位偏差也乘以N.例如,相位偏差為10-3,10MHz時(shí)的弧度在10GHz時(shí)變?yōu)?/span>1弧度.這種大相位偏移可以對系統(tǒng)的性能是災(zāi)難性的,例如那些依賴于鎖相環(huán)的系統(tǒng)（PLL）或相移鍵控（PSK）.低噪聲,加速度不敏感的振蕩器是必不可少的這樣的應(yīng)用.Q-Tech晶振根據(jù)封裝使用各種晶體安裝選項(xiàng)

和每個(gè)振蕩器的應(yīng)用：

-TO/w/3鎳夾具焊接

-支柱上帶3點(diǎn)式安裝的DIP封裝（用于QT1-QT3系列）

-扁平包裝和DIP包裝,帶有3或4點(diǎn)郁金香夾子安裝（30年以上太空遺產(chǎn)）

-帶4點(diǎn)橋接安裝的SMD封裝貼片晶振

-帶4點(diǎn)“相框”安裝座的LCC

-5x7mm陶瓷封裝,帶有2或4點(diǎn)LedgeMount,安裝在陶瓷架上

-包裝Q-Tech晶振4點(diǎn)式安裝選項(xiàng)

值得注意的是,對于高沖擊應(yīng)用,Q-Tech晶振的4-pt安裝選項(xiàng)已得到證實(shí),遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于商用振蕩器提供的任何其他安裝,特別是小型5x7mm封裝貼片晶振,大多數(shù)現(xiàn)貨晶振產(chǎn)品使用簡單的2點(diǎn)安裝.

Q-Tech晶體振蕩器是苛刻環(huán)境的安全選擇,因?yàn)樗鼈兪菫檫@些環(huán)境設(shè)計(jì),構(gòu)造和測試,目的是制造100％可靠的產(chǎn)品適用于故障昂貴或危及生命的情況.石英晶體振蕩器是設(shè)計(jì)用于-55°C至+125°C的工作溫度,從石英晶振元件開始包括電路.從石英棒切割晶體的角度進(jìn)行了優(yōu)化,確切的溫度范圍.雖然COTS時(shí)鐘可以在-55°C下工作,但是如果它們打開的話在室溫下隨后冷卻至-55℃,已知它們存在問題在-55°C或其他低溫下開啟時(shí)啟動(dòng)（冷啟動(dòng)問題）.Q-Tech的晶體振蕩器不易受冷啟動(dòng)問題的影響.

商用振蕩器的驅(qū)動(dòng)電平依賴性也可能成為高可靠性應(yīng)用的問題.Q-Tech晶振通過定制配對晶體來緩解這一潛在問題設(shè)計(jì)IC的每個(gè)設(shè)計(jì)的參數(shù),也防止冷啟動(dòng)問題前面提到的.

活動(dòng)下降是晶體電阻的相對突然增加（擾動(dòng)）,石英晶體系列電阻隨溫度變化.一般來說,活動(dòng)下降是由一個(gè)人引起的石英晶振晶體中的干涉振動(dòng)模式（耦合模式）.這些模式從中汲取能量主要模式.因此,一旦耦合模式的頻率與主模式的頻率一致,耦合模式就會(huì)急劇增加主模式的電阻.這些干擾模式實(shí)際上是低頻彎曲的高泛音（高達(dá)第50泛音）模式.由于非常陡峭的溫度系數(shù)約為-20ppm/°C,它們只與之一致主模式頻率適用于相當(dāng)窄的溫度范圍.然而,如果沒有設(shè)計(jì)出來,耦合模式將導(dǎo)致活動(dòng)下降.這些是通常溫度相當(dāng)窄（大約5到30°C寬）,對于給定的設(shè)計(jì),活動(dòng)下降將傾向于大約相同的溫度范圍.因?yàn)轳詈夏Ｊ绞腔谑⒌?/span>,所以導(dǎo)致任何活動(dòng)下降隨時(shí)間和溫度變得非常可重復(fù).請參閱下面的示例.

耦合模式的影響程度可以從輕微到災(zāi)難到間歇性,取決于干擾模式的強(qiáng)度和應(yīng)用的敏感程度是Q-Tech晶體振蕩器輸出電平的變化（頻率偏移約為2到20ppm）.活動(dòng)下降可以導(dǎo)致無數(shù)系統(tǒng)問題,甚至可能失去鎖相.活動(dòng)下降的另一個(gè)原因是粘附在晶振晶體有效區(qū)域上或附近的粒子.這種類型的活動(dòng)下降可以改變隨著時(shí)間,溫度和時(shí)間.這些都會(huì)受到粒子成為影響脫離晶體表面或移動(dòng)到另一個(gè)位置.這種立場改變可以因此有可能導(dǎo)致下降趨于好轉(zhuǎn),惡化或暫時(shí)消失重新浮出水面.在Q-Tech晶振,我們有能力設(shè)計(jì)潛在的活動(dòng)下降和在我們的溫度測試程序中篩選它們作為高可靠性設(shè)計(jì)方法的一部分和建設(shè).下一篇文章中我們將介紹Q-Tech晶體振蕩器的制造和篩選,歡迎關(guān)注億金電子晶振技術(shù)資料.

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