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首頁(yè) 圓柱晶振

圓柱晶振,石英晶體,3x8兆赫茲晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

億金生產(chǎn)的圓柱晶振具有以下幾種規(guī)格,3*8,2*6,3*9我公司所有材料均是來(lái)自日本進(jìn)口,封裝測(cè)試設(shè)備采用日本精工儀器設(shè)備,并且從日本聘請(qǐng)高級(jí)技術(shù)工程師,我司所生產(chǎn)的音叉晶體具有一致性良好,頻率穩(wěn)定度高,耐抗震強(qiáng),每批次出廠均采用24小時(shí)老化測(cè)試,產(chǎn)品精度分為以下幾種±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根據(jù)客戶需求特殊分為+偏差,或者-偏差.

產(chǎn)品詳情

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深圳市寶安億金電子是一家專業(yè)生產(chǎn)晶振的大型廠家,工廠生產(chǎn)的石英晶振動(dòng)子國(guó)內(nèi)外均有銷售為了各大客戶能更準(zhǔn)確找到適合的產(chǎn)品,億金公司成功建立屬于自己的官方網(wǎng)站為各戶提供一站式服務(wù),不僅有產(chǎn)品圖還有詳細(xì)規(guī)格書(shū)下載,還提供產(chǎn)品的正確使用方法和到問(wèn)題解決為客戶省時(shí)省心又省力,選擇億金是您最忠實(shí)的合作伙伴.下面介紹關(guān)于晶振的產(chǎn)品性能,49/S,49/U,49/SSMD,6035mm,5032mm,3225晶振,圓柱晶振系列.
應(yīng)頻率從3,579545MHZ----75MHZ,其中基頻AT切范圍從3,579545MHZ----27MHZ;
基頻BT切范圍從24MHZ----40MHZ:頻率頻差范圍:+/-5PPM--+/-50PPM
負(fù)載電容:12---50PF或串聯(lián);激勵(lì)功率:0,1--2M;溫度范圍:-20-----70;電阻:30OHM.

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圓柱晶振,石英晶體,3x8兆赫茲晶振,億金生產(chǎn)的圓柱晶振具有以下幾種規(guī)格,3*8,2*6,3*9我公司所有材料均是來(lái)自日本進(jìn)口,封裝測(cè)試設(shè)備采用日本精工儀器設(shè)備,并且從日本聘請(qǐng)高級(jí)技術(shù)工程師,我司所生產(chǎn)的音叉晶體具有一致性良好,頻率穩(wěn)定度高,耐抗震強(qiáng),每批次出廠均采用24小時(shí)老化測(cè)試,產(chǎn)品精度分為以下幾種±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根據(jù)客戶需求特殊分為+偏差,或者-偏差.

超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù):是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問(wèn)題,為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一.我公司億金電子具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過(guò)結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定.

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億金晶振規(guī)格

單位

晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

6M~70MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-20°C +70°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C +60°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

7pF

不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

yijin-3

3X8

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在使用億金晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

晶體產(chǎn)品線路焊接安裝時(shí)注意事項(xiàng)

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品

晶振產(chǎn)品類型

晶振焊接條件

插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下
比如:橢圓形引腳插件,圓柱晶體引腳插件

手工焊接+300°C或低于3秒鐘
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C

SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號(hào)晶振高溫可達(dá)260°,有些只可達(dá)230°

+260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C

(2)SMD產(chǎn)品回流焊接條件圖

用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷.請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息.圓柱晶振,石英晶體,3x8兆赫茲晶振

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