Abracon llc成立于1992年8月5日,其愿景是成為全球頂級制造商,并擁有非并行應(yīng)用工程和銷售支持.為了實現(xiàn)這一愿景,Abracon獲得了iso9001 - 2008質(zhì)量認(rèn)證,在北美和海外的生產(chǎn)設(shè)施和技術(shù)合作伙伴中選擇了股權(quán)投資,建立了與即將到來的技術(shù)公司的渠道伙伴關(guān)系,并在其加州的位置設(shè)立了一個國家的藝術(shù)工程實驗室.
Abracon llc晶振集團是全球頻率控制、信號調(diào)節(jié)、時鐘分布和磁性元件的制造商.Abracon晶振提供廣泛的石英晶體、晶體和MEMS振蕩器、壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,實時時鐘、天線、藍牙模塊、陶瓷諧振器、電感濾波器和諧振器、電感器、變壓器和電路保護元件.
Abracon llc晶振集團已通過iso9001:2008認(rèn)證,在加州和伊利諾斯州擁有設(shè)計和應(yīng)用工程資源;在得克薩斯州、加利福尼亞州、中國、臺灣、新加坡、蘇格蘭和德國的銷售辦事處,主要生產(chǎn)銷售石英晶振,石英晶體,貼片晶振,石英晶體振蕩器,有源晶振等.
Abracon晶振,圓柱晶振,AB38T晶振,AB38T-32.768KHZ晶振,32.768K石英晶體頻率穩(wěn)定性強,在各種產(chǎn)品中面對不同環(huán)境其晶振都能夠保持在10PPM高精度.具有極強的抗震性能,在常規(guī)的摔落以及物流運輸過程中都不會受到影響,每一批生產(chǎn)的晶振在出廠時都會經(jīng)過嚴(yán)格的檢驗,采用24小時老化測試為質(zhì)量嚴(yán)格把關(guān).
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
Abracon晶振規(guī)格 |
單位 |
AB38T晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用Abracon晶振時應(yīng)注意以下事項:
插件型晶振安裝注意事項:
安裝時的注意事項導(dǎo)腳型晶振• 構(gòu)造圓柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2).
• 修改插件晶振彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時,以及要取出晶振等情況下不能強制拔出導(dǎo)腳,如果強制地拔出導(dǎo)腳,會引起玻璃的破裂,而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3).(2) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時,要壓住外殼基側(cè)的導(dǎo)腳,且從上下方壓住彎曲的部位,再進行修改(參閱圖 4).
彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 將導(dǎo)腳彎曲之后并進行焊接時,導(dǎo)腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位.如果不留出導(dǎo)腳的直線部位而將導(dǎo)腳彎曲,有可能導(dǎo)致玻璃的破碎 (參閱圖5 和圖6).(2) 在導(dǎo)腳焊接完畢之后再將導(dǎo)腳彎曲時,務(wù)必請留出大于外殼直徑長度的空閑部分 (參閱圖7).Abracon晶振,圓柱晶振,AB38T晶振,AB38T-32.768KHZ晶振
如果直接在外殼部位焊接,會導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,使晶振特性惡化以及晶振芯片的破損.應(yīng)注意將晶振平放時,不要使之與導(dǎo)腳相碰撞,請放長從外殼部位到線路板為止的導(dǎo)腳長度 (L) ,并使之大于外殼的直徑長度(D).
焊接方法焊接部位僅局限于導(dǎo)腳離開玻璃纖部位 1.0mm 以上的部位,并且請不要對外殼進行焊接.另外,如果利用高溫或長時間對導(dǎo)腳部位進行加熱,會導(dǎo)致晶振特性的惡化以及晶振的破損.因此,請注意對導(dǎo)腳部位的加熱溫度要控制在 300°C 以下,且加熱時間要控制在5秒以內(nèi) (外殼的部位的加熱溫度要控制在150°C以下).