32.768K振蕩器,Pletronics貼片晶振,SM44K有源晶振,CMOS輸出晶振,SM4445KE-32.768K
在眾多需要精準(zhǔn)計(jì)時(shí)的電子設(shè)備中,Pletronics晶振的 SM4445KE - 32.768K 貼片晶振發(fā)揮著關(guān)鍵作用。這是一款 32.768K振蕩器,采用有源設(shè)計(jì)且為 CMOS 輸出。其 32.768KHz 的頻率是計(jì)時(shí)領(lǐng)域的經(jīng)典頻率,能為設(shè)備提供精確的時(shí)鐘基準(zhǔn)。有源晶振的特性使其無需復(fù)雜的外部電路支持,可獨(dú)立穩(wěn)定工作,輸出穩(wěn)定且精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號。CMOS 輸出則具備低功耗、高噪聲容限等優(yōu)點(diǎn),能與多種電子電路良好適配。
該3225貼片晶振采用貼片式封裝,體積小巧,適合現(xiàn)代電子設(shè)備小型化、集成化的趨勢,可輕松安裝在各類電路板上。它廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、智能穿戴設(shè)備、工業(yè)控制等領(lǐng)域。在電子手表中確保時(shí)間的精準(zhǔn)顯示,在工業(yè)控制系統(tǒng)里保證各環(huán)節(jié)的精確計(jì)時(shí)。憑借出色的性能和穩(wěn)定的品質(zhì),成為眾多電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)計(jì)時(shí)的理想選擇。
32.768K振蕩器,Pletronics貼片晶振,SM44K有源晶振,CMOS輸出晶振,SM4445KE-32.768K
Parameter | Min | Typ | Max | Unit | ||
Frequency | - | 32.768 | - | kHz | ||
Frequency Stability | ±20* | - | ±50 | ppm | ||
Operating Temperature Range |
-20 -40 -40 |
- |
+70 +85 +105 |
°C | ||
Supply Voltage1VCC | 1.6 | 3.3 | 3.63 | V | ||
Input Current ICC | - | 35 | µA | |||
Output Disabled Current Icc | - | - | 5 | µA | ||
Output Waveform | CMOS輸出晶振 | |||||
Duty Cycle | 45 | - | 55 | % | ||
Output VHIGH(IOH= -1mA) | Vcc-0.4 | - | - | V | ||
Output VLOW(IOL= 1mA) | - | - | 0.4 | V | ||
Output TRISEand TFALL | - | - | 50 | ns | ||
Startup Time | - | - | 20 | ms | ||
VDISABLEVIL | - | - | 0.3Vcc | V | ||
VENABLEVIH | 0.7Vcc | - | ||||
Enable/Disable Pullup Resistance | 50 | 100 | 150 | kΩ | ||
Output Disable Time | - | - | 1 | µs | ||
Output Enable Time | - | - | 20 | ms | ||
Aging 1st Year | - | - | ±3 | ppm | ||
Storage Temperature Range | -55 | - | +125 | °C |
32.768K振蕩器,Pletronics貼片晶振,SM44K有源晶振,CMOS輸出晶振,SM4445KE-32.768K
32.768K振蕩器,Pletronics貼片晶振,SM44K有源晶振,CMOS輸出晶振,SM4445KE-32.768K
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
石英晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。