ECS Inc.晶振集團(tuán)與世界各地的組織合作,幾乎每一個行業(yè),以及每一個規(guī)模,從初創(chuàng)企業(yè)到全球財富500強組織.所使用到的晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器,有源晶振壓控晶振等元件遍布各行各業(yè).
自1980年ECS Inc.晶振集團(tuán)成立以來,在國際范圍內(nèi)進(jìn)行了近35年的業(yè)務(wù),自成立以來已超過30億的頻率控制組件,致力于為世界提供最先進(jìn)的創(chuàng)新頻率控制技術(shù).ECS公司堅持以創(chuàng)新為中心的企業(yè)文化,旨在促進(jìn)和發(fā)展每一個無價值的伙伴關(guān)系的創(chuàng)造力,使我們能夠最大限度地滿足不斷變化的全球電子市場的需求.
ECS晶振,貼片晶振,CSM-8Q晶振,ECS-200-18-20BQ-DS晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振在選用晶片時應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對于晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.
對于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1),會在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠,點膠點點在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計:石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波.第1、2、3項相對簡單,第4項的設(shè)計很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導(dǎo)致第4項的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設(shè)計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對電極的設(shè)計提出了更精準(zhǔn)的要求.
ECSInc晶振規(guī)格 |
單位 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8M~36MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-55°C~+125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用ECS晶振時應(yīng)注意以下事項:
產(chǎn)品設(shè)計人員在設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明石英晶體振蕩器所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力(P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,ECS晶振,石英晶振,CSM-8M晶振,ECS-120-20-20BM-TR晶振
Re表示石英晶振的有效電阻,而且Re=R1(1+Co/CL)2.
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩.為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻.ECS晶振,貼片晶振,CSM-8Q晶振,ECS-200-18-20BQ-DS晶振
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中晶振的負(fù)載電容不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示.電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式CL≒CG × CD /(CG+CD)+ CS.
其中CS表示電路的雜散電容.