1973年10月在中國(guó)香港成立銷售公司—村田有限公司
1978年11月收購(gòu)臺(tái)灣的生產(chǎn)銷售公司—美國(guó)企業(yè)的當(dāng)?shù)胤ㄈ恕?/span>Mallory 現(xiàn)在的(臺(tái)灣村田股份有限公司)]
1994年7月在中國(guó)北京成立制造公司—北京村田電子有限公司,主要生產(chǎn)銷售,貼片陶瓷晶振,陶瓷晶體,陶瓷諧振器等
1994年12月在中國(guó)江蘇省無(wú)錫市成立生產(chǎn)?銷售公司—無(wú)錫村田電子有限公司
1995年5月在中國(guó)上海成立銷售公司—村田電子貿(mào)易(上海)有限公司
1999年7月在中國(guó)深圳成立銷售公司—村田電子貿(mào)易(深圳)有限公司
1999年8月在中國(guó)天津成立銷售公司—村田電子貿(mào)易(天津)有限公司,主要生產(chǎn)銷售陶瓷晶振,村田陶瓷諧振器,村田晶振等
2001年7月在中國(guó)香港成立制造?銷售公司—香港村田電子有限公司
2005年6月在中國(guó)廣東省深圳市成立制造公司—深圳科技有限公司
2005年12月在中國(guó)上海成立中華地區(qū)銷售統(tǒng)括公司—村田(中國(guó))投資有限公司
2006年4月 Murata Electronics North America Inc.收購(gòu) SyChip (在中國(guó)有SyChip的上海分公司)
2006年10月在四川大學(xué)、浙江大學(xué)、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、武漢大學(xué)開(kāi)始實(shí)施助學(xué)金制度
2007年3月在村田(中國(guó))投資有限公司增資及設(shè)立了內(nèi)部研發(fā)中心
2007年4月成立了村田(中國(guó))投資有限公司浦東分公司與上海SyChip,共同進(jìn)行研發(fā)工作
2009年5月在上海村田(中國(guó))投資有限公司新辦公大樓竣工
村田制作所基于高尚的企業(yè)道德,遵循其經(jīng)營(yíng)理念,以繼續(xù)成為受社會(huì)信賴的公司為目標(biāo),承諾遵守法律和法規(guī),實(shí)施高度透明的管理、尊重人權(quán)、維護(hù)健康與安全、為社會(huì)發(fā)展和環(huán)境保護(hù)做出貢獻(xiàn).
muRata晶振,SMD晶振,MCR-1612晶振,XRCMD48M000FXQ58R0晶振,1612mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無(wú)線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無(wú)鉛.
石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對(duì)于晶振的條片,長(zhǎng)邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.
對(duì)于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1),會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì):石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波.第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單,第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求.
產(chǎn)品類別 | 水晶單位 |
---|---|
系列 | XRCJK |
類型 | TSS-3225J晶振 |
晶振頻率 | 12M~52MHZ |
頻率容差 | 最多+/- 10ppm。(25 +/- 3℃) |
工作溫度范圍 | -30℃至85℃ |
溫度變化 | 最多+/- 15ppm |
頻率老化 | +/- 3ppm最大/年 |
等效串聯(lián)電阻(ESR) | 最大80歐姆 |
驅(qū)動(dòng)電平(DL) | 30μW |
負(fù)載電容(Cs) | 為8pF |
形狀 | SMD |
洗 | 無(wú)法使用 |
長(zhǎng)x寬(大?。?/span> | 3.2x2.5mm |
村田貼片晶振型號(hào)對(duì)照表
日本村田XRCMD晶振系列編碼
品名 | 型號(hào) | 頻率 | 頻率公差 | 其他用途 |
XRCFD26M000FYQ01R0 | MCR1612 | 26.0000MHz | ±20ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD32M000F1P00R0 | MCR1612 | 32.0000MHz | ±10ppm max. (25±3℃) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD32M000FXP50R0 | MCR1612 | 32.0000MHz | ±30ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD32M000FXP52R0 | MCR1612 | 32.0000MHz | ±30ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD32M000FXP53R0 | MCR1612 | 32.0000MHz | ±30ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD32M000FXP54R0 | MCR1612 | 32.0000MHz | ±35ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD32M000FZQ52R0 | MCR1612 | 32.0000MHz | ±30ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD37M400F1Q01R0 | MCR1612 | 37.4000MHz | ±10ppm max. (25±3℃) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD38M400FXQ56R0 | MCR1612 | 38.4000MHz | ±20ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD40M000FXQ57R0 | MCR1612 | 40.0000MHz | ±20ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD40M000FXQ58R0 | MCR1612 | 40.0000MHz | ±20ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
XRCMD48M000FXQ58R0 | MCR1612 | 48.0000MHz | ±20ppm max. (Total) | 消費(fèi)級(jí) |
在使用村田晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.muRata晶振,SMD晶振,MCR-1612晶振,XRCMD48M000FXQ58R0晶振
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.
6:靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.