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泰藝電子立基臺(tái)灣,在美國(guó)與中國(guó)大陸均設(shè)有生產(chǎn)據(jù)點(diǎn),營(yíng)業(yè)與銷售據(jù)點(diǎn)包括臺(tái)灣臺(tái)北、美國(guó)、歐洲以及中國(guó)大陸等地,客戶使用石英水晶振蕩子,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振遍及汽車產(chǎn)業(yè)、消費(fèi)性電子、信息產(chǎn)業(yè)、通信產(chǎn)業(yè)與通信基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè).泰藝電子多年來致力于研發(fā)創(chuàng)新,部分核心技術(shù)是臺(tái)灣業(yè)界的領(lǐng)先者,近年來陸續(xù)取得石英相關(guān)制造技術(shù)專利；未來將持續(xù)加強(qiáng)開發(fā),以成為全球石英晶振頻控元件領(lǐng)導(dǎo)者之目標(biāo)邁進(jìn).

泰藝石英晶振公司以嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量管制系統(tǒng)獲得客戶對(duì)產(chǎn)品的信賴度,健全的供應(yīng)鏈管理掌握原材物料的來源,滿足客戶對(duì)石英頻率元件的需求.

泰藝石英晶振公司主要產(chǎn)品：

石英晶片(Crystal Wafer, Crystal Blank)

廣泛用途石英晶體（Crystal）

小型化貼片晶振(SMD Crystal)

一般及精密有源晶振(XO)

小型化貼片石英晶體振蕩器（SMD XO）

壓控有源晶振（VCXO）

壓控溫補(bǔ)振蕩器(VC/TCXO)

恆溫石英晶振 (OCXO)

未來展望

銷售：發(fā)展自有品牌及策略性客戶、拓展全球化渠道.

產(chǎn)能：經(jīng)濟(jì)化、規(guī)?；?/span>.

產(chǎn)品：高頻、高精度、輕、薄、短、小.

制程：標(biāo)準(zhǔn)化、自動(dòng)化、信息化與彈性化.

供應(yīng)鏈：交期短、庫存低.

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泰藝晶振,石英晶振,XR晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振的切割設(shè)計(jì)：用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等.超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì)：石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果.

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泰藝晶振規(guī)格	單位	XR晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8MHZ~50MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6(標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

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在使用泰藝晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

以下是石英晶振電路設(shè)計(jì)匹配問題：

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. （請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個(gè)阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)
（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值.
（3）振蕩期間測(cè)量R的值.
（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會(huì)影響測(cè)定值.

如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動(dòng)電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.
使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.泰藝晶振,石英晶振,XR晶振