SiTime晶振公司,MEMS和模擬半導(dǎo)體公司,提供了業(yè)界最好的時(shí)間解決方案.我們的團(tuán)隊(duì)熱衷于解決高性能電子產(chǎn)品中最困難的時(shí)間問(wèn)題.我們已經(jīng)向世界各地的客戶運(yùn)送了超過(guò)6.25億臺(tái)設(shè)備,占MEMS時(shí)間的90%,并且年增長(zhǎng)率超過(guò)50%.SiTime是MegaChips公司(東京證券交易所:6875)的獨(dú)立子公司, 主要以生產(chǎn)高精度石英晶體振蕩器,Sitime可編程晶體振蕩器等器件為主.
SiTime石英晶體振蕩器可編程架構(gòu)使最靈活的產(chǎn)品具有更多的特性和超快的領(lǐng)導(dǎo)時(shí)間.為電子產(chǎn)品的微型化提供了支持,它提供了行業(yè)中最小的包的定時(shí)解決方案——小到1.5 x0.8毫米,以及減少組件計(jì)數(shù)的獨(dú)特功能.我們的產(chǎn)品通過(guò)將多個(gè)組件的功能組合在同一個(gè)包中來(lái)減少董事會(huì)空間.半導(dǎo)體公司正在集成我們的硅MEMS諧振器在其SOCs / ASICs中完全消除外部時(shí)鐘和簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì).
SiTime晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少晶振,石英晶振, 石英水晶振蕩子材料廢棄物等.
Sitime晶振,SiT8002AA晶振,高精密貼片晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說(shuō)明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
1M~125MHZ |
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料:http://www.gshqh.cn |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
||
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
在使用Sitime晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
晶振在工作中出現(xiàn)異常技術(shù)問(wèn)題:
這些晶振知識(shí)介紹是指,晶振在產(chǎn)品上線之后發(fā)生不良品或者沒(méi)反應(yīng)的情況下,自檢辦法.石英晶振如果在電路上的功能不規(guī)則或根本無(wú)法全部晶振找出得到了應(yīng)用操作,請(qǐng)使用以下的清單找出可能存在的問(wèn)題.請(qǐng)按照確定的因素和可能的解決方案的說(shuō)明.
我們從晶振使用輸出無(wú)信號(hào)開始尋找相關(guān)問(wèn)題.
我們可以先使用示波器或者頻率計(jì)數(shù)器來(lái)檢查石英晶體終端的兩個(gè)信號(hào),如果沒(méi)有信號(hào)輸出,請(qǐng)按照步驟1-1到1-4步執(zhí)行檢查.如果有從石英晶振(XOUT)的輸出端子的輸出信號(hào),而是從在終端(辛)輸出沒(méi)有信號(hào),請(qǐng)檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6.
你可以先把晶體卸載下來(lái)并測(cè)試晶振的頻率和負(fù)載電容,看看他們是否能振動(dòng),也可以使用專業(yè)的石英晶體測(cè)試儀器來(lái)檢測(cè) .如果你沒(méi)法檢測(cè)你也可以將不良品發(fā)送給我公司,我們檢測(cè)分析之后告訴你結(jié)果.Sitime晶振,SiT8002AA晶振,高精密貼片晶振
如果有下列情況發(fā)生,晶振不起振,首先你先查看你產(chǎn)品上使用的負(fù)載電容CL是否對(duì),是否跟你的線路相匹配,或者是晶振的精度是否符合你的要求,或者你可以把產(chǎn)品發(fā)送回我公司分析.如果晶振頻率和負(fù)載電容跟要求相對(duì)應(yīng)的話,我們將需要進(jìn)行等效電路測(cè)試.