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首頁(yè) SiTimeCrystal晶振

Sitime晶振,SiT8002AA晶振,高精密貼片晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無(wú)線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

產(chǎn)品詳情

SITIME-1

SiTime晶振公司,MEMS和模擬半導(dǎo)體公司,提供了業(yè)界最好的時(shí)間解決方案.我們的團(tuán)隊(duì)熱衷于解決高性能電子產(chǎn)品中最困難的時(shí)間問(wèn)題.我們已經(jīng)向世界各地的客戶運(yùn)送了超過(guò)6.25億臺(tái)設(shè)備,占MEMS時(shí)間的90%,并且年增長(zhǎng)率超過(guò)50%.SiTime是MegaChips公司(東京證券交易所:6875)的獨(dú)立子公司, 主要以生產(chǎn)高精度石英晶體振蕩器,Sitime可編程晶體振蕩器等器件為主.

SiTime石英晶體振蕩器可編程架構(gòu)使最靈活的產(chǎn)品具有更多的特性和超快的領(lǐng)導(dǎo)時(shí)間.為電子產(chǎn)品的微型化提供了支持,它提供了行業(yè)中最小的包的定時(shí)解決方案——小到1.5 x0.8毫米,以及減少組件計(jì)數(shù)的獨(dú)特功能.我們的產(chǎn)品通過(guò)將多個(gè)組件的功能組合在同一個(gè)包中來(lái)減少董事會(huì)空間.半導(dǎo)體公司正在集成我們的硅MEMS諧振器在其SOCs / ASICs中完全消除外部時(shí)鐘和簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì).

SiTime晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少晶振,石英晶振, 石英水晶振蕩子材料廢棄物等.

yijin-1

Sitime晶振,SiT8002AA晶振,高精密貼片晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

yijin-2

項(xiàng)目

符號(hào)

規(guī)格說(shuō)明

條件

輸出頻率范圍

f0

1M~125MHZ

請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.60 V to 3.63 V

請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料:http://www.gshqh.cn

H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

輸入電壓

VIH

80% VCCMax.

ST終端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25 , 初年度,第一年

yijin-3

SiT8002AA-2520 OSCyijin-4

在使用Sitime晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

晶振在工作中出現(xiàn)異常技術(shù)問(wèn)題:

這些晶振知識(shí)介紹是指,晶振在產(chǎn)品上線之后發(fā)生不良品或者沒(méi)反應(yīng)的情況下,自檢辦法.石英晶振如果在電路上的功能不規(guī)則或根本無(wú)法全部晶振找出得到了應(yīng)用操作,請(qǐng)使用以下的清單找出可能存在的問(wèn)題.請(qǐng)按照確定的因素和可能的解決方案的說(shuō)明.

我們從晶振使用輸出無(wú)信號(hào)開始尋找相關(guān)問(wèn)題.

我們可以先使用示波器或者頻率計(jì)數(shù)器來(lái)檢查石英晶體終端的兩個(gè)信號(hào),如果沒(méi)有信號(hào)輸出,請(qǐng)按照步驟1-11-4步執(zhí)行檢查.如果有從石英晶振(XOUT)的輸出端子的輸出信號(hào),而是從在終端(辛)輸出沒(méi)有信號(hào),請(qǐng)檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6.

你可以先把晶體卸載下來(lái)并測(cè)試晶振的頻率和負(fù)載電容,看看他們是否能振動(dòng),也可以使用專業(yè)的石英晶體測(cè)試儀器來(lái)檢測(cè) .如果你沒(méi)法檢測(cè)你也可以將不良品發(fā)送給我公司,我們檢測(cè)分析之后告訴你結(jié)果.Sitime晶振,SiT8002AA晶振,高精密貼片晶振

如果有下列情況發(fā)生,晶振不起振,首先你先查看你產(chǎn)品上使用的負(fù)載電容CL是否對(duì),是否跟你的線路相匹配,或者是晶振的精度是否符合你的要求,或者你可以把產(chǎn)品發(fā)送回我公司分析.如果晶振頻率和負(fù)載電容跟要求相對(duì)應(yīng)的話,我們將需要進(jìn)行等效電路測(cè)試.

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