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Sitime晶振公司,MEMS和模擬半導(dǎo)體公司,提供了業(yè)界最好的時(shí)間解決方案.我們的團(tuán)隊(duì)熱衷于解決高性能電子產(chǎn)品中最困難的時(shí)間問題.我們已經(jīng)向世界各地的客戶運(yùn)送了超過6.25億臺(tái)設(shè)備,占MEMS時(shí)間的90%,并且年增長(zhǎng)率超過50%.SiTime是MegaChips公司(東京證券交易所:6875)的獨(dú)立子公司, 主要以生產(chǎn)高精度石英晶體振蕩器,可編程晶體振蕩器等器件為主.

在過去的幾十年里,石英晶體振蕩器、時(shí)鐘發(fā)生器和石英晶體諧振器是電子器件中主要的參考計(jì)時(shí)元件.由于沒有其他選擇,OEMs和ODMs接受了石英定時(shí)裝置固有的局限性.現(xiàn)在,有了強(qiáng)大的MEMS諧振器和高性能模擬電路,SiTime晶振公司已經(jīng)開發(fā)出突破石英器件限制的突破性解決方案,研發(fā)出高性能貼片晶振,石英晶體振蕩器,可編程石英晶體振蕩器等.

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Sitime晶振,SiT2001B晶振,有源晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）.使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

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項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	1M~110MHZ	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料：http://www.gshqh.cn
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CCMax.	ST終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CCMax.	ST終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CCto 80 % V_CC極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

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在使用Sitime晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)：

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.