希華晶振晶體科技有限公司成立于1988年,希華正式成立, 資本額為1,500萬元整,開始以普通石英頻率控制元件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售.從人工晶棒長成到最終產(chǎn)品,透過最佳團(tuán)隊(duì)組合及先進(jìn)之生產(chǎn)技術(shù),建立完整的產(chǎn)品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶振、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補(bǔ)償型及電壓控制型產(chǎn)品等,以健全的供應(yīng)煉系統(tǒng),為客戶提供全方位的服務(wù).
在十年的時(shí)間里希華晶體科技刻苦專研,開發(fā)大量新產(chǎn)品,正式從原始普通石英晶體諧振器,慢慢的步入SMD晶體,有源貼片晶振領(lǐng)域,并且成功在1998年回到祖國的懷抱,到了沒了的中國廣東省東莞市投資建廠, 主要生產(chǎn)SMD晶振系列,剛開始以有源5070mm石英晶體振蕩器為主.后在慢慢的開始量產(chǎn)常規(guī)石英晶體諧振器,后以小尺寸3225貼片晶振,2520mm晶振尺寸為主.
希華晶體產(chǎn)品應(yīng)用范圍包含行動(dòng)電話、平板電腦、衛(wèi)星通訊、車載系統(tǒng)、全球定位系統(tǒng)、個(gè)人電腦、無線通信及家用產(chǎn)品等,扮演基本信號(hào)源產(chǎn)生、傳遞、濾波等功能.持續(xù)致力于技術(shù)研究開發(fā)及品質(zhì)落實(shí)扎根,營運(yùn)據(jù)點(diǎn)遍布臺(tái)灣、中國大陸、日本、新加坡、美國及歐洲等世界各地,使希華得以提供服務(wù)予世界電子大廠.
希華晶體承諾所有的運(yùn)作皆遵守本地國家的法律,并符合國際上所共同認(rèn)知環(huán)保與社會(huì)責(zé)任的標(biāo)準(zhǔn),成為一個(gè)創(chuàng)造股東最大權(quán)益、照顧員工、善盡社會(huì)責(zé)任的好公司.
我們將持續(xù)關(guān)注企業(yè)社會(huì)責(zé)任各項(xiàng)新議題,使希華晶振集團(tuán)更加完整并落實(shí)企業(yè)社會(huì)責(zé)任所有面向.
對(duì)內(nèi),我們將透過各種教育訓(xùn)練與活動(dòng),用心創(chuàng)造一個(gè)多元且充滿活力的工作環(huán)境 (例如健康促進(jìn)活動(dòng)); 對(duì)外,本公司透過與利害相關(guān)團(tuán)體間的溝通,積極落實(shí)企業(yè)社會(huì)責(zé)任活動(dòng),持續(xù)投入社會(huì)公益,降低對(duì)社會(huì)環(huán)境之沖擊.
希華晶振,石英晶振,SX-3225晶振,CSX-3225晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).
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希華晶振規(guī)格 |
單位 |
SX-3225晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
10MHZ~125MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-30°C ～ +85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C ～ +60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
10PF,12PF,16PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
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希華晶振規(guī)格 |
單位 |
CSX-3225晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12MHZ~40MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ～ +125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C ～ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
10PF,12PF,16PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
SX-3225晶振尺寸圖:
CSX-3225晶振尺寸圖:
在使用希華晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品.請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響.條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件.同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等.
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）.尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法.
陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.希華晶振,石英晶振,SX-3225晶振,CSX-3225晶振
（2）陶瓷封裝貼片晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂（開裂）,也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞.當(dāng)石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂.當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正.在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞.所以在此處請(qǐng)不要施加壓力.另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上.
大河晶振,貼片晶振,FCX-04晶振,FCX-04C晶振
大真空晶振,石英晶振,DSX321SH晶振,DSX321SL晶振
NSK晶振,石英晶振,NXK-32晶振
TXC晶振,貼片晶振,DX晶振
愛普生晶振,貼片晶振,TSX-3225晶振,X1E0000210019晶振
村田晶振,石英晶體,TAS-3225J晶振,XRCJH26M000F1QC1P0晶振
日本村田晶振,貼片晶振,TSS-3225J晶振,XRCJK26M000F1QC3P0晶振