1996年09月臺灣津綻NSK晶體科技分公司創(chuàng)立于臺北市
1997年12月臺灣津綻NSK晶體科技設立香港創(chuàng)群有限公司
1998年02月臺灣津綻NSK晶體科技設立深圳辦事處,生產銷售石英晶振,貼片晶振, 32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等
2000年04月 總公司遷址至中和市
2001年01月臺灣津綻NSK晶體科技成立 BVI JENJAAN QUARTEK CO., 控股公司
2004年 05月臺灣津綻晶振NSK晶體科技經證期局核準正式成為公開發(fā)行公司
2005年09月 東莞創(chuàng)群石英晶體有限公司再增設 SMD TYPE X'TAL 與 O.S.C. 生產線,總年產量達 125 KK/pcs
2007年11月 東莞創(chuàng)群石英晶體有限公司增設芯片型 SMD TYPE 生產線, 石英晶振,貼片晶振, (SPXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器總年產量 220 KK/pcs
2009年11月 東莞創(chuàng)群石英晶體有限公司通過 ISO9001體系2000版升版為2008版認證東莞創(chuàng)群石英晶體有限公司通過OHSAS18001:2007認證
2010年12月東莞創(chuàng)群石英晶體有限公司取得中華人民共和國全國重點企業(yè)質量信用AAA等級證書
2011年臺灣津綻NSK晶體科技在東莞的生產基地,東莞創(chuàng)群石英晶體有限公司導入ISO/TS16949:2009體系
津綻公司是世界領先的頻率控制組件制造商:石英晶體、晶體振蕩器、壓控晶體振蕩器的主要和關鍵的電子產品的一部分.津綻為客戶提供高質量的晶體組件在電子產品的廣泛使用,例如,無線、電信、網絡、計算機及外圍設備、GSM等通信設備.津綻一直支持臺灣與國際客戶提供質量晶體超過10年.
津綻晶振,32.768K晶振,NXG 2-6晶振,插件32.768K系列為滿足市場不同產品對精度的要求,通常情況下分為±5PPM、±10PPM、±20PPM,如果有其他特殊要求的客戶也可以分為在精度上分為正偏差以及負偏差.音叉型表晶32.768K晶振在產品中使用溫度范圍可以達到—40°到+70°的寬溫要求.插件32.768K系列主要使用于較為高端大氣上檔次的汽車電子、智能家用電器、筆記本、插卡音響、智能手表、以及數(shù)碼相機等產品中.
晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術為研發(fā)及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一
NSK晶振規(guī)格 |
單位 |
NXG 2-6晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-20°C ~ +70°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
12.5pF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用NSK晶振時應注意以下事項:
(4)DIP 產品
已變形的石英晶振引腳不能插入板孔中.請勿施加過大壓力,以免引腳變形.
(5)SOJ 產品和SOP 產品
請勿施加過大壓力,以免石英晶振引腳變形.已變形的石英晶振引腳焊接時會造成浮起.尤其是SOP產品需要更加小心處理.
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面面濾波器波(SAW)/聲表面諧振器的產品,可以通過超聲波進行清洗.但是,在某些條件下, 晶振特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞.確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性.
(2)使用音叉晶振和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶振可能受到破壞.
(3)請勿清洗開啟式晶振產品
(4)對于可清洗晶振產品,應避免使用可能對產品產生負面影響的清洗劑或溶劑等.
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固.這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象.這將會負面影響產品的可靠性和質量.請清理殘余的助焊劑并烘干PCB.津綻晶振,32.768K晶振,NXG 2-6晶振
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面.
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內使用石英晶振.這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障.請避免凝露的產生.
晶振/石英晶體諧振器
激勵功率
在晶振上施加過多驅動力,會導致產品特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當?shù)募罟β?/span> (請參閱“激勵功率”章節(jié)內容).
負極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容).
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內容).