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首頁 NDK Quartz crystal

NDK晶振,石英晶體諧振器,NX3225GB晶振,NX3225GD晶振,NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2晶振

NDK晶振,石英晶體諧振器,NX3225GB晶振,NX3225GD晶振,NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2晶振NDK晶振,石英晶體諧振器,NX3225GB晶振,NX3225GD晶振,NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2晶振

產(chǎn)品簡介

3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

產(chǎn)品詳情

NDK-1

NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家,以“通過對客戶的服務(wù),為社會繁榮和世界和平作出貢獻(xiàn)”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎(chǔ)于1948年成立.

現(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產(chǎn)品以及應(yīng)用水晶技術(shù)的傳感器等新的高附加價(jià)值產(chǎn)品的頻率綜合生產(chǎn)廠家,正以企業(yè)的繼續(xù)成長為目標(biāo)而努力.

日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振經(jīng)營范圍:晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷售

NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社超低電壓驅(qū)動的CO2排放量(0.8V ~)型時(shí)鐘振蕩器(nz2520sf)采用最先進(jìn)的技術(shù)和傳統(tǒng)的產(chǎn)品開發(fā)(2700系列)是由環(huán)境LCA技術(shù)相比.二氧化碳排放量的計(jì)算量的部分制造,產(chǎn)品制造和我們的產(chǎn)品納入筆記本電腦的功耗,以及產(chǎn)品運(yùn)輸?shù)娜剂舷牧?/span>.所采用的分析方法是“現(xiàn)場類型”,研究工廠和生產(chǎn)線單位的功耗,然后從產(chǎn)品的總金額,每產(chǎn)品的功耗.

NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社由于制造普通晶體振蕩器(PXO)、壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等涉及高溫處理,所以需要大量電力的過程.通過使產(chǎn)品更加緊湊,可以增加每個工序引入的零件數(shù)量.設(shè)備功耗幾乎不影響零件數(shù)量.因此,每個產(chǎn)品的功耗減少由于增加的部件的數(shù)量,然后抑制二氧化碳排放.與這項(xiàng)改革,減少功耗設(shè)備也實(shí)施.為了快速響應(yīng)我們的客戶需求,我們整合了我們的基本技術(shù),設(shè)計(jì)技術(shù),生產(chǎn)技術(shù)和制造技術(shù),成功地減少和減輕產(chǎn)品使用最先進(jìn)的技術(shù).

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NDK晶振,石英晶體諧振器,NX3225GB晶振,NX3225GD晶振,NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2晶振,為什么越來越多的晶體企業(yè)都著手向汽車電子市場進(jìn)軍呢,然而汽車電子的要求也比科技數(shù)碼產(chǎn)品高的多,特別是耐溫這塊,都有一定的要求值,比如:3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).

yijin-2

NDK晶振規(guī)格

單位

NX3225GB晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

12MHZ~50MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C +150°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +150°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF

超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

NDK晶振規(guī)格

單位

NX3225GD晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

7.98MHZ~12MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C +150°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +150°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF

超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

yijin-3

NX3225GB晶振尺寸圖:

NX3225GB-CRA-2 3.2_2.5

NX3225GD晶振尺寸圖:

NX3225GD-3.2_2.5

yijin-4

在使用NDK晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊

所有石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供.

噪音

在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象.

電源線路

電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.

輸出負(fù)載

建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間).

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC GND.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.NDK晶振,石英晶體諧振器,NX3225GB晶振,NX3225GD晶振,NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2晶振

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

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